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公开(公告)号：CN117383928B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202310044154.X
申请日：2023-01-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/626
Abstract: 一种兼具高产率和大径厚比的 取向钛酸钡模板的制备方法，它涉及一种钛酸钡模板的制备方法。本发明的目的在于提供一种大幅度提高 取向钛酸钡模板产率的同时，提升进一步提升其径厚比的方法，解决现有片状钛酸钡模板因径厚比小导致其在流延浆料中定向排布差、与基体细粉容易出现分层，以及因其产率低导致 取向织构陶瓷难以批量制备等问题。方法：一、制备大径厚比Ba6Ti17O40薄片微晶；二、制备 取向的BaTiO3片状模板；三、清洗。本发明制备的钛酸钡模板的径厚比将达到现有专利技术制备模板的2～3倍，产率将提升3～5倍。本发明可获得一种兼具高产率和大径厚比的 取向钛酸钡模板。
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公开(公告)号：CN117383928A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202310044154.X
申请日：2023-01-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/626
Abstract: 一种兼具高产率和大径厚比的 取向钛酸钡模板的制备方法，它涉及一种钛酸钡模板的制备方法。本发明的目的在于提供一种大幅度提高 取向钛酸钡模板产率的同时，提升进一步提升其径厚比的方法，解决现有片状钛酸钡模板因径厚比小导致其在流延浆料中定向排布差、与基体细粉容易出现分层，以及因其产率低导致 取向织构陶瓷难以批量制备等问题。方法：一、制备大径厚比Ba6Ti17O40薄片微晶；二、制备 取向的BaTiO3片状模板；三、清洗。本发明制备的钛酸钡模板的径厚比将达到现有专利技术制备模板的2～3倍，产率将提升3～5倍。本发明可获得一种兼具高产率和大径厚比的 取向钛酸钡模板。
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公开(公告)号：CN116589278A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310420473.6
申请日：2023-04-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/493 , C04B35/622 , C04B41/88 , A61B8/00
Abstract: 一种兼具高机电性能及温度稳定性的钽镍酸铅‑锆钛酸铅陶瓷及其制备方法和应用。本发明属于压电陶瓷领域。本发明为解决现有彩超探头应用中陶瓷高机电性能与温度稳定性难以兼得的问题。本发明陶瓷化学式为：0.24Pb(Ni1/3Ta2/3)O3‑0.33PbZrO3‑0.43PbTiO3。本发明陶瓷以 取向的钛酸钡模板通过流延法制备获得。所得陶瓷综合性能最好，此时陶瓷压电系数d33高达724pC/N，居里温度TC为188℃，在25‑75℃温度范围内性能变化低于5％，同时机电耦合系数kt,可达0.57，与压电单晶相近。钽镍酸铅的引入，解决了当前高锆酸铅含量(>30％)陶瓷中模板固溶现象严重的问题。
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公开(公告)号：CN112022204B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202010811916.0
申请日：2020-08-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: A61B8/00
Abstract: 本发明提供了一种新型抗干扰并联式叠层医用超声换能器及其制备方法，包括由两层或多层压电层叠放形成的多层压电层并联结构、电路板、至少一层背衬层、一层或多层声匹配层和声聚焦层，所述多层压电层并联结构粘接在电路板上，所述电路板的底端粘接有至少一层背衬层，在多层压电层并连结构的顶侧粘接有至少一层声匹配层；所述声聚焦层粘贴在与多层压电层并连结构的声匹配层上。本发明将两层或多层压电材料并联叠合在一起，使得接地极把两片或多片压电材料包裹住，最大程度地将干扰信号从超声换能器的接地极传导至超声系统的接地极，以避免干扰信号进入信号极，大大降低超声图像出现干扰的可能性。
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公开(公告)号：CN109400147B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201811421334.0
申请日：2018-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B41/88 , H02N2/18
Abstract: 一种应用于高功率密度能量收集器件的无铅压电织构复合材料及其制备方法和应用，本发明涉及一种无铅压电织构复合材料及其制备方法和应用。本发明要解决现有无铅压电陶瓷能量密度低，基于传统固溶体或者随机掺杂的理念使得材料的能量收集性能提升幅度非常有限的问题。应用于高功率密度能量收集器件的无铅压电织构复合材料的化学通式为(1‑x)(Ba1‑yCay)(Ti1‑zMz)O3/xBaTiO3。方法：一、制备细晶壳基体粉体；二、制备流延浆料；三、制备陶瓷素坯；四、制备织构复合陶瓷；五、制备高度致密的织构复合陶瓷；六、制备高性能织构复合陶瓷。应用：用作环保型高功率密度微型化能量收集器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107716258B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201711177891.8
申请日：2017-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 振幅调控均匀声场环阵超声换能器，属于超声换能器设计技术领域。本发明是为了解决超声换能器近场的声场强度不均匀，影响超声实验结果的问题。它包括N个环阵阵元和N‑1个可调电阻，N个环阵阵元由内向外依次通过树脂套接形成一个圆盘；将N个环阵阵元由外向内依次排序为0，1，2，……，N‑1，其中第1，2，3，……，N‑1个环阵阵元分别串联一个可调电阻，将N个环阵阵元并联后，与单通道驱动电源连接；通过调节每个可调电阻的阻值来调控相应环阵阵元的振幅，从而调节换能器近场区域的声场强度分布。本发明可以消除换能器近场的不均匀场强空间分布状况。
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公开(公告)号：CN106350869B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201610835377.8
申请日：2016-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶及其制备方法，它属于功能性单晶材料及其制备技术研究领域，具体涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠基无铅压电单晶及其制备方法。本发明的目的是针对目前组分复杂的单晶生长困难，质量不高，压电性能不够高的问题。一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶的化学式为[(NayK1‑y)1‑xLix](Nb1‑zTazSbt)O3:Mn。方法：一、准备原料；二、混合原料；三、预烧；四、第二次预烧；五、反复熔化预烧钙钛矿结构的多晶材料；六、晶体生长。本发明可获得一种超高压电性能的正交相Mn掺杂铌钽锑酸钾钠锂无铅压电单晶。
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公开(公告)号：CN109553415A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201910068506.9
申请日：2019-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/491 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 具有高电热效应的硅掺杂锆钛酸铅非取向薄膜的制备方法，涉及微电子器件制冷领域。本发明是为了解决现有缺少采用非取向薄膜形式对集成电路进行制冷的方法的问题。将乙酸铅溶于冰乙酸溶液中并加热去除水分得溶液A，将正丙醇锆和钛酸四丁酯溶于乙二醇单甲醚中得到溶液B；将A和B混合形成絮状不溶物，溶解不溶物，再加热得到PbZrxTi1-xO3溶胶溶液，作为溶液C；将纳米二氧化硅颗粒的乙醇溶液和溶液C混合得到溶液D；将C或D涂覆在FTO基片上形成湿膜，经过烘烤形成干膜，干膜退火处理形成一层薄膜；重复镀膜，获得具有厚度的薄膜；用磁控溅射方法在薄膜上表面生长铂金电极，制备锆钛酸铅非取向薄膜。它用于制备高电热效应的薄膜。
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公开(公告)号：CN108147452A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201810143645.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C01G23/005 , B82Y40/00 , C01P2002/34 , C01P2002/72 , C01P2004/01 , C01P2004/03
Abstract: 一种尺寸可控的低维钛酸锶晶体的合成方法及应用，它涉及一种钛酸锶晶体的合成方法及应用。本发明的目的是要解决采用现有制备工艺制备的片状SrTiO3晶体中存在粒径尺寸过大且可调控范围相对较窄、晶体为多晶聚集体，晶体中杂质原子含量高、造成其应用中存在范围窄、稳定性差、取向度低、性能恶化的问题。方法：一、制备前驱体混合原料；二、煅烧制备前驱体；三、清洗、分散得到粒径均一且尺寸可调控的片状Bi4Ti3O12前驱体；四、制备产物混合原料；五、煅烧制备产物；六、清洗。应用：用于光催化、纳米器件、有机填充料及能量存储、高性能多功能电子织构陶瓷、薄膜、单晶的制备领域。本发明可获得一种尺寸可控的低维钛酸锶晶体。
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公开(公告)号：CN107716258A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711177891.8
申请日：2017-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: B06B1/0625 , A61N7/00 , B06B3/00 , B06B2201/76
Abstract: 振幅调控均匀声场环阵超声换能器，属于超声换能器设计技术领域。本发明是为了解决超声换能器近场的声场强度不均匀，影响超声实验结果的问题。它包括N个环阵阵元和N-1个可调电阻，N个环阵阵元由内向外依次通过树脂套接形成一个圆盘；将N个环阵阵元由外向内依次排序为0，1，2，……，N-1，其中第1，2，3，……，N-1个环阵阵元分别串联一个可调电阻，将N个环阵阵元并联后，与单通道驱动电源连接；通过调节每个可调电阻的阻值来调控相应环阵阵元的振幅，从而调节换能器近场区域的声场强度分布。本发明可以消除换能器近场的不均匀场强空间分布状况。
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