-
公开(公告)号：CN113237842A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110449247.1
申请日：2021-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/35 , G01N21/3563 , G01N21/01
Abstract: 一种傅里叶红外光谱仪样品架及使用方法，涉及一种傅里叶红外光谱仪样品架。本发明是为了解决现有技术存在的出入射光线位置点变动，出射光线传播路径改变，最终可能导致测试结果不准确的问题。装置：工装底座上方滑动设置两个支撑柱，两个量角器的直线端分别固定安装在两个支撑柱上，两个测试样品支架底部分别转动连接在两个支撑柱上，两个测试样品分别插装在两个测试样品支架上。方法：步骤一、首先将工装底座平稳安装放置在测试所需的工况或者环境中；步骤二、通过旋转两个测试样品支架来调整测试斜入射角度，角度值可由量角器读出；步骤三、将两个测试样品按照对称要求放置在两个支架上；步骤四、准备完毕后，开始测试。本发明用于光路转换。
-
公开(公告)号：CN109659396A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811573167.1
申请日：2018-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L21/02 , C23C14/35
Abstract: 一种中红外透明P型半导体薄膜的制备方法，它涉及一种P型半导体薄膜的制备方法。本发明的目的是开发一种新型的P型中红外透明导电材料种类，解决现有LaSe2薄膜中红外透明导电薄膜制备困难，在中红外应用受到了极大地限制的技术问题。本发明：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、LaSe2薄膜的制备。本发明以单质Se粉末为Se源，利用真空封管处理，在硒化退火的条件下，Se蒸气可以将La2O3薄膜中的O置换出来的原理制备LaSe2薄膜，弥补了La与Se较高温度下不易反应的材料制备局限性。本发明制备的LaSe2薄膜具有较好的导电性能，中波红外光区的总透过率约为70％，透过性能较为良好。
-
公开(公告)号：CN115747739A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211438098.X
申请日：2022-11-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种可见光‑中红外宽波段透明导电薄膜的制备方法，涉及一种红外透明导电薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的红外光学材料无法兼容高红外透射率和高电导率的技术问题。本发明利用磁控溅射共溅射技术结合硫化处理的方式制备了可见光至中红外宽波段P型透明导电LaCuOS薄膜，制备工艺简单。本发明的LaCuOS薄膜的载流子浓度均在1019cm‑3以上，电导率均在30S/cm以上；镀有LaCuOS薄膜的蓝宝石可见光透过率高于60％，中红外透过率也可达约为50％，实现了P型透明半导体材料可见光‑中红外宽波段透过与电学性能的兼容。
-
-
公开(公告)号：CN111705311B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010779182.2
申请日：2020-08-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石微粉表面镀镍的方法，本发明涉及一种金刚石镀镍的方法。本发明要解决现有化学法镀镍方法在金刚石颗粒表面镀镍，孔隙多、不致密，均匀性差，镍层易脱落的问题。方法：一、对金刚石微粉表面进行除油处理；二、对金刚石微粉进行等离子蚀刻处理；三、对金刚石微粉进行活化处理；四、利用化学法在金刚石微粉表面镀镍。本发明用于金刚石微粉表面镀镍。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112795883B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202011573076.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高红外开关率的钒基氧化物薄膜的制备方法，涉及一种高红外开关率的薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的氧化钒薄膜无法实现85％以上中红外透过率的同时保证较高红外开关率的技术问题。本发明方法结合了磁控溅射镀膜系统和后退火处理，该方法所需设备成本较低、工艺操作简单、性质稳定，可批量生产。本发明制备的钒基氧化物薄膜具有优异的红外开关性能，光开关率可达88％以上，同时保证了中波红外光区透过率可达85％以上。此种高红外开关率钒基氧化物薄膜保证了薄膜在服役过程中优异的红外透过率和优异的光开关性能，适用于智能窗、热致相变器件，尤其是激光防护器件的研制。
-
公开(公告)号：CN113235042A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110516132.X
申请日：2021-05-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 抗激光损伤混杂VOx相的制备方法，本发明属于功能薄膜材料，它为了解决现有采用不同工艺制备的氧化钒薄膜的光学调制性能参差不齐，极大的限制了薄膜的激光防护效能的问题。制备方法：一、超声清洗基底材料和靶材；二、安装V2O3靶材；三、真空室抽气；四、设置沉积温度，采用直流偏压反溅清洗；五、当等离子亮起后降低气压至0.5～1.5Pa，同时通入0.3～0.8sccm的O2，设置偏压为‑100～‑140V，进行预溅射清洁靶材表面，然后打开挡板，沉积薄膜。本发明还可采用退火方法。本发明利用射频磁控溅射工艺，通过控制沉积工艺参数，制备了主要成分为VO2和V2O5的高VO2比例混杂晶态VOx相薄膜。
-
公开(公告)号：CN111705311A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010779182.2
申请日：2020-08-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石微粉表面镀镍的方法，本发明涉及一种金刚石镀镍的方法。本发明要解决现有化学法镀镍方法在金刚石颗粒表面镀镍，孔隙多、不致密，均匀性差，镍层易脱落的问题。方法：一、对金刚石微粉表面进行除油处理；二、对金刚石微粉进行等离子蚀刻处理；三、对金刚石微粉进行活化处理；四、利用化学法在金刚石微粉表面镀镍。本发明用于金刚石微粉表面镀镍。
-
公开(公告)号：CN109659396B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811573167.1
申请日：2018-12-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L21/02 , C23C14/35
Abstract: 一种中红外透明P型半导体薄膜的制备方法，它涉及一种P型半导体薄膜的制备方法。本发明的目的是开发一种新型的P型中红外透明导电材料种类，解决现有LaSe2薄膜中红外透明导电薄膜制备困难，在中红外应用受到了极大地限制的技术问题。本发明：一、靶材和衬底的清洗；二、La2O3薄膜的制备；三、LaSe2薄膜的制备。本发明以单质Se粉末为Se源，利用真空封管处理，在硒化退火的条件下，Se蒸气可以将La2O3薄膜中的O置换出来的原理制备LaSe2薄膜，弥补了La与Se较高温度下不易反应的材料制备局限性。本发明制备的LaSe2薄膜具有较好的导电性能，中波红外光区的总透过率约为70％，透过性能较为良好。
-
公开(公告)号：CN221645070U
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202420115601.6
申请日：2024-01-17
IPC: C23C26/00
Abstract: 一种应用于曲面膜层厚度和均匀性检测的衬底快速拆装装置，涉及一种应用于曲面膜层厚度和均匀性检测的拆装装置。本实用新型在铝合金曲面罩的外壁上各个方向均匀设置了多个正方形衬底卡槽，解决了目前测量点位不均匀的技术问题；镀膜圆孔设计成被掩膜条均分成两个半圆形的镀膜孔，掩膜条代替常规胶带做掩膜，可以避免撕扯胶带对膜层的破坏；装置内壁进行了倒角设计，最大程度的降低镀膜过程中台阶的掩膜边缘效应；本实用新型用铝合金曲面罩代替整流罩，能够更好的节约成本，且精细的结构设计能够镀膜后快速进行后续测量；衬底拆卸孔的设计能够快速拆卸衬底，节约操作时间，且不伤膜层；正方形衬底卡槽适用于多种设备的曲面工况，普适性强。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.025 seconds)
