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公开(公告)号：CN104499270B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410809082.4
申请日：2014-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D06M11/79 , D06M11/64 , D06M13/144 , D06M101/40
Abstract: 一种纳米二氧化硅表面改性碳纤维的方法，涉及一种表面改性碳纤维的方法。本发明是要解决目前碳纤维的力学和热学性能较差的问题。方法：一、对纳米二氧化硅进行表面卤化，得到产物；二、纳米二氧化硅表面叠氮化处理；三、碳纤维的氧化处理；四、碳纤维表面修饰炔基化处理；五、碳纤维表面接枝纳米二氧化硅。修饰二氧化硅之后，碳纤维表面的浸润性有显著提高，粗糙度明显增加，有利于增强复合材料中基体和界面之间的传递效应，可以有效的缓解应力集中，阻止材料的破坏，进而提高复合材料的力学性能。经过纳米二氧化硅的表面改性，碳纤维的热稳定性得到了显著提高。本发明用于改性碳纤维。
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公开(公告)号：CN104495849B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410675593.1
申请日：2014-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 有机无机杂化制备碳化硅纳米线的方法，它涉及一种以有机酚醛树脂和无机硅粉体为原料制备超长碳化硅纳米线的方法。本发明为了解决现有方法制备超长SiC纳米线设备要求高、成本高、安全性低、操作过程复杂的技术问题。本方法如下：称取原料；将原料机械混合，然后装入瓷方舟中，将瓷方舟推至管式炉中央，在氩气保护、常压条件下保温，降温，即得。本发明主要是有机酚醛树脂粉体和无机硅粉体为原料，采用简单的制备方法在常压条件下就制备出了长达数毫米甚至是厘米的超长碳化硅纳米线。成本低、安全系数高、操作简单。该纳米线可以应用于纳米电子元器件、激光器、场发射和光催化等领域。本发明属于纳米线的制备领域。
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公开(公告)号：CN105693261A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610015369.9
申请日：2016-01-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/58 , C04B35/645
CPC classification number: C04B35/806 , C04B35/58078 , C04B35/645 , C04B2235/3826 , C04B2235/5248 , C04B2235/5445
Abstract: 本发明公开了一种ZrB2-SiC-Cf超高温陶瓷复合材料及其制备方法，属于超高温陶瓷复合材料领域。本发明旨在克服ZrB2基超高温陶瓷的本征脆性。本发明的复合材料按体积分数是由30％～60％粒径为100～200nm的ZrB2粉体、15％～30％粒径为100～500nm的SiC粉体和20％～50％碳纤维制成的。方法：一、将ZrB2粉体、SiC粉体和碳纤维加入到无水乙醇中，进行超声清洗；二、然后球磨，干燥；三、然后研磨过筛，装入石墨模具，在1400～1500℃、压力20～40MPa下热压烧结，然后冷却至室温，得到ZrB2-SiC-Cf超高温陶瓷复合材料。本发明具有烧结温度低、纤维损伤小、复合材料破坏应变高等特点；本发明的烧结温度为1400～1500℃。本发明的超高温陶瓷复合材料可应用于超高温防热结构材料等领域。
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公开(公告)号：CN105086348A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510540540.3
申请日：2015-08-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种层状分布短纤维增强多孔酚醛复合材料及其制备方法，它涉及一种酚醛树脂复合材料及其制备方法。它解决了现有酚醛树脂及其复合材料的热导率高和密度大的问题。多孔酚醛复合材料由酚醛树脂和短纤维组成。制备方法：一、制备酚醛树脂溶液；二、加短纤维得到浆料；三、注模加压；四、固化。本发明层状分布短纤维增强多孔酚醛复合材料具有密度低、热导率低的特点。
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公开(公告)号：CN103172382B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310140267.6
申请日：2013-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，它涉及一种抗超高温度氧化损伤的陶瓷基复合材料的制备方法。本发明是要解决现有的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料在超高温度(＞1700℃)下存在氧化层的稳定性差的问题。制备方法：一、制备二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料；二、氧化抑制处理；即得到抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料。本发明可用于制备抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103172382A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310140267.6
申请日：2013-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 一种抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，它涉及一种抗超高温度氧化损伤的陶瓷基复合材料的制备方法。本发明是要解决现有的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料在超高温度(＞1700°C）下存在氧化层的稳定性差的问题。制备方法:一、制备二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料;二、氧化抑制处理;即得到抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料。本发明可用于制备抗超高温度氧化损伤的二硼化锆-碳化硅陶瓷基复合材料。
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公开(公告)号：CN101747047B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910073080.2
申请日：2009-10-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/58
Abstract: 一种提高ZrB2-SiC超高温陶瓷材料抗热冲击和强度的方法，它涉及一种提高陶瓷材料抗热冲击和强度的方法。本发明解决了现有二硼化锆基超高温陶瓷材料抗热冲击性能差、强度差的问题。本发明方法：一、称取原料；二、球磨分散；三、烘干；四、烧结；五、氧化；六、加热保温，即提高了ZrB2-SiC超高温陶瓷材料抗热冲击和强度。本发明方法有效的提高了ZrB2-SiC超高温陶瓷材料抗热冲击性和强度，与现有的二硼化锆基超高温陶瓷材料相比较，抗热冲击性能提高50％左右，力学性能提高30％左右。
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公开(公告)号：CN101602597B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910072132.4
申请日：2009-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 硼化锆-碳化硅-碳黑三元高韧化超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，它涉及陶瓷基复合材料及其制备方法。它解决了现有ZrB2超高温陶瓷基复合材料的抗热冲击性能差、临界温差低、强度高、断裂韧性低和临界裂纹尺寸低的问题。硼化锆-碳化硅-碳黑三元高韧化超高温陶瓷基复合材料由硼化锆粉末、碳化硅粉末和碳黑粉末制成。方法：一、称取原料湿混后得浆料；二、浆料烘干后研磨得混合粉料；三、混合粉料烧结后冷却取出即得。本发明中材料的抗热冲击性能好，其临界温差为470～1000℃，强度为132.03～695.54MPa，断裂韧性为2.01～6.57MPa·m1/2，临界裂纹尺寸为65.9～249.9μm。
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公开(公告)号：CN102179977A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110061545.X
申请日：2011-03-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B32B18/00 , C04B35/66 , C04B35/58 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 硼化锆-碳化硅层状复合超高温陶瓷材料及制备方法，本发明涉及一种超高温陶瓷材料及制备方法。本发明解决了现有硼化物超高温陶瓷基复合材料韧性差的问题。本发明硼化锆-碳化硅层状复合超高温陶瓷材料由残余压应力层和残余拉应力层交替叠层制成。方法：一、称取原料；二、制备残余压应力层粉体和残余拉应力层粉体；三、制备层状混合物；四、层状混合物经过烧结、保温即得到硼化锆-碳化硅层状复合超高温陶瓷材料。本发明硼化锆-碳化硅层状复合超高温陶瓷材料的断裂韧性值最高达10.4MPam1/2，本发明制备工艺简单，成本低，本发明在提高断裂韧性的同时并没有对材料的强度造成不利的影响。
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公开(公告)号：CN101318833A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810064952.4
申请日：2008-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B41/80
Abstract: 硼化物基陶瓷材料的表面预氧化方法，它涉及一种陶瓷材料的表面预氧化方法。它解决了现有技术中硼化物基陶瓷材料的力学性能低的问题。本发明硼化物基陶瓷材料的表面预氧化方法按以下步骤实施：一、用砂纸对硼化物基陶瓷材料进行表面抛光处理；二、将抛光处理后的材料放入烧结炉中，升温至300～1500℃并保温20～200min，然后随炉冷却至室温；即得硼化物基陶瓷材料的氧化表面。本发明成本低，工艺简单，易于操作。采用本发明方法处理后的硼化物基陶瓷复合材料，其抗弯强度值为751～901MPa，与未经过预氧化处理的同体系硼化物基陶瓷材料相比，抗弯强度增加了2.9％～17.5％。
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