公开(公告)号：CN101602597B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200910072132.4

申请日：2009-05-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张幸红 ,  韩文波 ,  王智 ,  胡平 ,  洪长青 ,  孙新

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 硼化锆-碳化硅-碳黑三元高韧化超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，它涉及陶瓷基复合材料及其制备方法。它解决了现有ZrB2超高温陶瓷基复合材料的抗热冲击性能差、临界温差低、强度高、断裂韧性低和临界裂纹尺寸低的问题。硼化锆-碳化硅-碳黑三元高韧化超高温陶瓷基复合材料由硼化锆粉末、碳化硅粉末和碳黑粉末制成。方法：一、称取原料湿混后得浆料；二、浆料烘干后研磨得混合粉料；三、混合粉料烧结后冷却取出即得。本发明中材料的抗热冲击性能好，其临界温差为470～1000℃，强度为132.03～695.54MPa，断裂韧性为2.01～6.57MPa·m1/2，临界裂纹尺寸为65.9～249.9μm。

公开(公告)号：CN101560103B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200910072136.2

申请日：2009-05-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张幸红 ,  韩文波 ,  王智 ,  洪长青 ,  胡平 ,  孙新

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/58 ,  C04B35/565 ,  C04B41/85

Abstract: 一种在硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料表面原位生成高抗氧化性能膜的方法，它涉及了一种在陶瓷复合材料表面原位生成的高抗氧化性能膜的方法。本发明解决了现有硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料的抗氧化性能差、使用过程中质量损失大，无法将微弧氧化法应用到陶瓷表面的处理上。本发明在硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料表面原位生成高抗氧化性能膜的方法按如下步骤进行：一、混合，研磨；二、烧结；三、微弧氧化反应；即在硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料表面原位生成了高抗氧化性能膜。本发明成功应用微弧氧化法在陶瓷材料表面制备了高抗氧化涂层，制备出涂层大大提高了硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料的抗氧化性能，降低了材料使用过程中的质量损失。

公开(公告)号：CN102060554A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010565353.8

申请日：2010-11-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张幸红 ,  韩文波 ,  梁军 ,  林佳 ,  孙新 ,  胡平

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 一种高强高韧性的二硼化锆-碳化硅-氧化锆陶瓷基复合材料及其制备方法，它涉及一种陶瓷基复合材料及其制备方法。它解决了现有方法制备的ZrB2陶瓷基复合材料存在断裂韧性低和难烧结的问题。材料由二硼化锆粉末、碳化硅粉末和二氧化锆纤维制成。方法：一、称取原料湿混后得浆料；二、浆料烘干后研磨得混合粉料；三、混合粉料烧结后冷却取出即得。本发明将ZrO2纤维引入到二硼化锆-碳化硅超高温陶瓷材料体系中，以改善超高温陶瓷材料的脆性及抗热震性能，提高材料使用的可靠性。本发明制备的陶瓷复合材料，易烧结，其断裂韧性为5.69～6.82MPa·m1/2，抗弯强度为700.86～723.15MPa。

公开(公告)号：CN101560103A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910072136.2

申请日：2009-05-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张幸红 ,  韩文波 ,  王智 ,  洪长青 ,  胡平 ,  孙新

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/58 ,  C04B35/565 ,  C04B41/85

Abstract: 一种在硼化锆－碳化硅陶瓷复合材料表面原位生成高抗氧化性能膜的方法，它涉及了一种在陶瓷复合材料表面原位生成的高抗氧化性能膜的方法。本发明解决了现有硼化锆－碳化硅陶瓷复合材料的抗氧化性能差、使用过程中质量损失大，无法将微弧氧化法应用到陶瓷表面的处理上。本发明在硼化锆－碳化硅陶瓷复合材料表面原位生成高抗氧化性能膜的方法按如下步骤进行：一、混合，研磨；二、烧结；三、微弧氧化反应；即在硼化锆－碳化硅陶瓷复合材料表面原位生成了高抗氧化性能膜。本发明成功应用微弧氧化法在陶瓷材料表面制备了高抗氧化涂层，制备出涂层大大提高了硼化锆－碳化硅陶瓷复合材料的抗氧化性能，降低了材料使用过程中的质量损失。

公开(公告)号：CN101602597A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910072132.4

申请日：2009-05-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张幸红 ,  韩文波 ,  王智 ,  胡平 ,  洪长青 ,  孙新

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 硼化锆－碳化硅－碳黑三元高韧化超高温陶瓷基复合材料及其制备方法，它涉及陶瓷基复合材料及其制备方法。它解决了现有ZrB2超高温陶瓷基复合材料的抗热冲击性能差、临界温差低、强度高、断裂韧性低和临界裂纹尺寸低的问题。硼化锆－碳化硅－碳黑三元高韧化超高温陶瓷基复合材料由硼化锆粉末、碳化硅粉末和碳黑粉末制成。方法：一、称取原料湿混后得浆料；二、浆料烘干后研磨得混合粉料；三、混合粉料烧结后冷却取出即得。本发明中材料的抗热冲击性能好，其临界温差为470～1000℃，强度为132.03～695.54MPa，断裂韧性为2.01～6.57MPa·m1/2，临界裂纹尺寸为65.9～249.9μm。