公开(公告)号：CN102179977A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110061545.X

申请日：2011-03-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张幸红 ,  胡平 ,  韩文波 ,  周鹏 ,  何汝杰 ,  侯杨

IPC: B32B18/00 ,  C04B35/66 ,  C04B35/58 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 硼化锆-碳化硅层状复合超高温陶瓷材料及制备方法，本发明涉及一种超高温陶瓷材料及制备方法。本发明解决了现有硼化物超高温陶瓷基复合材料韧性差的问题。本发明硼化锆-碳化硅层状复合超高温陶瓷材料由残余压应力层和残余拉应力层交替叠层制成。方法：一、称取原料；二、制备残余压应力层粉体和残余拉应力层粉体；三、制备层状混合物；四、层状混合物经过烧结、保温即得到硼化锆-碳化硅层状复合超高温陶瓷材料。本发明硼化锆-碳化硅层状复合超高温陶瓷材料的断裂韧性值最高达10.4MPam1/2，本发明制备工艺简单，成本低，本发明在提高断裂韧性的同时并没有对材料的强度造成不利的影响。

公开(公告)号：CN102584240A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210013666.1

申请日：2012-01-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡平 ,  张幸红 ,  侯杨 ,  何汝杰 ,  金鑫鑫

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 一种ZrB2-SiC超高温陶瓷的烧结方法，它涉及一种超高温陶瓷的烧结方法。本发明要解决现有制备ZrB2-SiC超高温陶瓷的工艺存在烧结温度高，能耗大的问题。ZrB2-SiC超高温陶瓷的烧结方法按以下步骤进行：一、称取ZrB2粉、SiC粉和柠檬酸；二、球磨混合，得到浆料；三、将浆料烘干得到复合粉体；四、在温度为1500～1600℃条件下真空烧结得到ZrB2-SiC超高温陶瓷。本发明ZrB2-SiC超高温陶瓷的烧结方法，将烧结温度降低了约300℃，减少了能耗，所得产物的致密度可达98％，满足在1800℃含氧气氛中的使用要求。本发明用于制备ZrB2-SiC超高温陶瓷。