公开(公告)号：CN105702583A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201510845166.8

申请日：2015-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭成毅 ,  何嘉政 ,  叶致锴 ,  李宗霖 ,  杨玉麟

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/82345 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/66795 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/42364

Abstract: 用于制造半导体装置的方法包括以下步骤：在第一鳍特征结构的上方形成第一栅极堆叠及在第二鳍特征结构的上方形成第二栅极堆叠；移除第一栅极堆叠以形成曝露第一鳍特征结构的第一栅极沟道，移除第二栅极堆叠以形成曝露第二鳍特征结构的第二栅极沟道；对第一鳍特征结构的一部分执行高压退火工艺；及在第一鳍特征结构的彼部分的上方的第一栅极沟道内部形成第一高介电金属栅极及在第二鳍特征结构的上方的第二栅极沟道内部形成第二高介电金属栅极。因此形成具有第一、第二阈值电压的第一、第二高介电金属栅极，第二阈值电压不同于第一阈值电压。于是，本方法在无植入工艺的不利影响、不受形成工作函数金属层的工艺约束的情况下达成阈值电压调整。

公开(公告)号：CN106158662B

公开(公告)日：2019-09-27

申请号：CN201510766042.0

申请日：2015-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨玉麟 ,  何嘉政 ,  叶致锴 ,  彭成毅 ,  李宗霖

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成鳍结构和在鳍结构的第一部分上方形成第一栅极结构。在鳍结构的第二部分上方形成第一氮化物层。将第一氮化物层曝光于紫外辐射。在鳍结构的第二部分处形成源极/漏极区。本发明实施例涉及用于半导体器件的双氮化物应力源和制造方法。

公开(公告)号：CN109786250A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201810902002.8

申请日：2018-08-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑兆钦 ,  杨玉麟 ,  云惟胜 ,  徐振峰 ,  陈自强

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开的实施例涉及半导体装置与半导体装置的形成方法。半导体装置的形成方法包括：形成一鳍状结构，其具有交替堆叠的多个第一半导体层与多个第二半导体层；在鳍状结构上形成一牺牲栅极结构；非等向蚀刻该牺牲栅极结构未覆盖的该鳍状结构的一源极/漏极区，以形成一源极/漏极空间；在该源极/漏极空间中形成一源极/漏极外延层；移除牺牲栅极结构，以露出鳍状结构的一部分；自露出的该鳍状结构移除该第一半导体层；形成朝向该源极/漏极外延层的多个凹陷部；在这些凹陷部中形成多个内侧间隔物；以及形成一栅极介电层以覆盖这些内侧间隔物，并形成一栅极层以围绕第二半导体层，其中内侧间隔物与该栅极介电层隔离该栅极层与该源极/漏极外延层。

公开(公告)号：CN106571340A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201610621501.0

申请日：2016-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭成毅 ,  江宏礼 ,  杨玉麟 ,  叶致锴 ,  杨育佳 ,  刘继文

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本发明提供了晶体管结构和晶体管结构的形成方法。晶体管结构包括第一外延材料和第二外延材料的交替层。在一些实施例中，对于一个n‑型或p‑型晶体管，可以去除第一外延材料或第二外延材料。可以去除第一外延材料和第二外延材料的最下的层，并且可以使第一外延材料或第二外延材料的侧壁缩进或凹进。本发明的实施例还涉及应变纳米线CMOS器件和形成方法。

公开(公告)号：CN106158856A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510187697.2

申请日：2015-04-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭成毅 ,  杨玉麟 ,  何嘉政 ,  邱荣标 ,  李宗霖 ,  叶致锴 ,  张智胜 ,  杨育佳

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7848

Abstract: 一种半导体器件，包括：具有第一区和第二区的衬底；位于第一区中的n型晶体管，n型晶体管包括第一组源极/漏极部件；以及位于第二区中的p型晶体管，p型晶体管包括第二组源极/漏极部件。第二组源极/漏极部件比第一组源极/漏极部件延伸得更深。本发明涉及非对称源极/漏极深度。

公开(公告)号：CN106158662A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510766042.0

申请日：2015-11-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨玉麟 ,  何嘉政 ,  叶致锴 ,  彭成毅 ,  李宗霖

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成鳍结构和在鳍结构的第一部分上方形成第一栅极结构。在鳍结构的第二部分上方形成第一氮化物层。将第一氮化物层曝光于紫外辐射。在鳍结构的第二部分处形成源极/漏极区。本发明实施例涉及用于半导体器件的双氮化物应力源和制造方法。

公开(公告)号：CN103426770A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201210280801.9

申请日：2012-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨玉麟 ,  彭辞修 ,  叶致锴 ,  赖理学

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7845

Abstract: 包括具有鳍的衬底的方法和器件。在鳍上形成金属栅极结构。金属栅极结构包括在鳍上形成的应力金属层，使得应力金属层从STI部件延伸至第一高度，第一高度大于鳍高度。在应力金属层上形成导电金属层。本发明提供了金属栅极finFET器件及其制造方法。