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公开(公告)号：CN109565151B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201780045737.7
申请日：2017-10-11
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/125
Abstract: 一种半导体激光元件，具备：是进行发光的有源区域且具有衍射光栅的分布反馈部；和是无源反射镜且具有衍射光栅的分布反射部，所述半导体激光元件的特征在于，所述分布反馈部具备：第一区域，其与所述分布反射部相邻且具有规定的标准周期的衍射光栅；相移区域，其与所述第一区域相邻且比所述标准周期的2倍长；和第二区域，其与所述相移区域中的与所述第一区域相反的一侧相邻且具有所述标准周期的衍射光栅，所述相移区域使所述第一区域与所述第二区域之间的激光的相位光学性地变化。
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公开(公告)号：CN111684342A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201980011667.2
申请日：2019-02-07
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 光集成元件具备：基板；第1波导路区域，其在所述基板上依次层叠下部包覆层、与所述下部包覆层相比而折射率更高的第1芯层和与所述第1芯层相比而折射率更低的上部包覆层；和活性区域，其在所述基板上依次层叠所述下部包覆层、与所述下部包覆层相比而折射率更高的第2芯层、通过被注入电流来将光放大的量子阱层和所述上部包覆层，所述第2芯层与所述量子阱层之间在正在所述第2芯层进行波导的光的模场的范围内接近，所述第1芯层、和所述第2芯层以及所述量子阱层。
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公开(公告)号：CN106537201B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201580040429.6
申请日：2015-10-05
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 一种半导体光集成元件，在基板上至少依次层叠了下部包覆层、波导芯层以及上部包覆层，该半导体光集成元件具备：掩埋型波导部，具有在所述波导芯层的两侧附近埋入了半导体包覆材料的结构；以及台面型波导部，具有至少包含所述上部包覆层的半导体层突出成台面状的波导结构，所述掩埋型波导部中的所述上部包覆层的厚度比所述台面型波导部中的所述上部包覆层的厚度厚。
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公开(公告)号：CN108604774A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780010513.2
申请日：2017-02-13
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 半导体激光元件是具备光谐振器的游标型且波长可变型的半导体激光元件，该光谐振器由具有在波长轴上大致周期性地配置有反射峰值的反射梳光谱、且所述周期彼此不同的第一反射要件、第二反射要件构成，所述第一反射要件、第二反射要件中的至少一个具备取样光栅结构，该取样光栅结构具有各反射峰值的反射相位一致、且设定好的激光振荡波段外的反射峰值的强度小于所述激光振荡波段内的反射峰值的强度的反射梳光谱。
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公开(公告)号：CN106605340A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201680002145.2
申请日：2016-08-18
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 一种光半导体装置，构成为具备：振荡波长不同的多个半导体激光元件；和阵列波导路衍射光栅，其将从多个半导体激光元件射出的激光汇合到同一点，来自属于第1组的半导体激光元件的激光，在阵列波导路衍射光栅内通过第1衍射次数的衍射而被汇合到同一点，来自属于第2组的半导体激光元件的激光，在阵列波导路衍射光栅内通过与第1衍射次数不同的第2衍射次数的衍射而被汇合到同一点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106537201A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580040429.6
申请日：2015-10-05
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 一种半导体光集成元件，在基板上至少依次层叠了下部包覆层、波导芯层以及上部包覆层，该半导体光集成元件具备：掩埋型波导部，具有在所述波导芯层的两侧附近埋入了半导体包覆材料的结构；以及台面型波导部，具有至少包含所述上部包覆层的半导体层突出成台面状的波导结构，所述掩埋型波导部中的所述上部包覆层的厚度比所述台面型波导部中的所述上部包覆层的厚度厚。
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公开(公告)号：CN118648206A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202380018154.0
申请日：2023-01-20
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/02375 , G02B6/12 , G02B6/125 , G02B6/42 , G02F1/025
Abstract: 光半导体元件例如具备：基板；第一突出部；和第二突出部，其作为用在与不同于光半导体元件的部件的定位中的定位部发挥功能，包含：第一半导体层，其遍及相对于第一突出部成为第一方向的后方的第一部位、相对于第二突出部成为第一方向的后方的第二部位、以及成为第一部位与第二部位之间的第三部位而形成，相对于能蚀刻其他半导体层的给定的蚀刻剂不被蚀刻，或者蚀刻速率相对于该其他半导体层的蚀刻速率之比充分小。
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公开(公告)号：CN118613978A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202380019243.7
申请日：2023-01-10
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/227
Abstract: 光半导体元件例如具备：基板；第一突出部，具有第一台面，并从基板向第一方向突出，所述第一台面具有在基板上沿第一方向层叠有多个半导体层的层叠构造且包括活性层来作为半导体层；以及第二突出部，在相对于第一突出部在与第一方向交叉的第二方向上分离的位置从基板向第一方向突出，包括与第一台面相同的层叠构造，在第一方向的端部露出多个半导体层中的一个。
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公开(公告)号：CN118591956A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380018402.1
申请日：2023-01-10
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/227
Abstract: 光半导体元件例如具备：基板，其以(100)面作为表面；第一突出部，其具有第一台面，且从基板向第一方向突出，该第一台面由多个半导体层在表面上沿第一方向层叠而成且作为该半导体层而包括活性层；以及第二突出部，其在相对于第一突出部而在第二方向上分离的位置从基板向第一方向突出，且具有由多个半导体层在表面上沿第一方向层叠而成的层叠结构，第二突出部的第一方向上的端面具有大致多边形的形状，并且该端面的各边与沿[0‑11]方向延伸的假想线不平行。
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公开(公告)号：CN118414564A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202180105016.7
申请日：2021-12-22
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 光模块(100)具备：调制器(2)，包括InP系半导体材料，具备对所输入的光进行调制的调制信号赋予部；和光集成电路(3)，与所述调制器(2)进行光学耦合，集成有包括硅系半导体材料的多个波导以及多个光学元件，所述光集成电路(3)向所述调制器(2)输出通过了所述波导的任一者或者所述光学元件的任一者的光，接受所述调制器(2)对所述光进行调制而生成的调制光，输出通过了所述波导的其他任一者或者所述光学元件的其他任一者的所述调制光。
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