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公开(公告)号：CN113394655B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202110663288.0
申请日：2017-02-13
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/06 , H01S5/12 , H01S5/026 , H01S5/0625 , H01S5/343
Abstract: 半导体激光元件是具备光谐振器的游标型且波长可变型的半导体激光元件，该光谐振器由具有在波长轴上大致周期性地配置有反射峰值的反射梳光谱、且所述周期彼此不同的第一反射要件、第二反射要件构成，所述第一反射要件、第二反射要件中的至少一个具备取样光栅结构，该取样光栅结构具有各反射峰值的反射相位一致、且设定好的激光振荡波段外的反射峰值的强度小于所述激光振荡波段内的反射峰值的强度的反射梳光谱。
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公开(公告)号：CN105981239B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201580007841.8
申请日：2015-02-06
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 一种集成型半导体激光器元件，在基板上集成了半导体激光器和对所述半导体激光器的输出激光进行放大的半导体光放大器，所述集成型半导体激光器元件的特征在于，所述半导体激光器包括第1活性层，所述半导体光放大器包括第2活性层，所述第1活性层以及所述第2活性层具有多量子阱结构，所述第2活性层的量子阱数目比所述第1活性层的量子阱数目多。由此，能够实现输出激光的光谱线宽窄且高强度的集成型半导体激光器元件以及半导体激光器模块。
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公开(公告)号：CN105981239A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580007841.8
申请日：2015-02-06
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 一种集成型半导体激光器元件，在基板上集成了半导体激光器和对所述半导体激光器的输出激光进行放大的半导体光放大器，所述集成型半导体激光器元件的特征在于，所述半导体激光器包括第1活性层，所述半导体光放大器包括第2活性层，所述第1活性层以及所述第2活性层具有多量子阱结构，所述第2活性层的量子阱数目比所述第1活性层的量子阱数目多。由此，能够实现输出激光的光谱线宽窄且高强度的集成型半导体激光器元件以及半导体激光器模块。
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公开(公告)号：CN111684342B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201980011667.2
申请日：2019-02-07
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 光集成元件具备：基板；第1波导路区域，其在所述基板上依次层叠下部包覆层、与所述下部包覆层相比而折射率更高的第1芯层和与所述第1芯层相比而折射率更低的上部包覆层；和活性区域，其在所述基板上依次层叠所述下部包覆层、与所述下部包覆层相比而折射率更高的第2芯层、通过被注入电流来将光放大的量子阱层和所述上部包覆层，所述第2芯层与所述量子阱层之间在正在所述第2芯层进行波导的光的模场的范围内接近，所述第1芯层、和所述第2芯层以及所述量子阱层。
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公开(公告)号：CN111684674A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201980011889.4
申请日：2019-02-08
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 清田和明
Abstract: 在半导体基板上形成的波导型的波长可变激光器，具备：第1反射部，输出激光；第2反射部，与所述第1反射部一起构成激光谐振器；增益部，被设置于所述第1反射部和所述第2反射部之间；至少两个波长滤波器，能够调整波长特性，并对所述激光的波长进行调整；以及相位调整部，对所述激光谐振器内的光路长进行调整，在所述第1反射部和所述第2反射部之间具有折回部，该折回部由光路实质上以180度的角度进行折回的波导而形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105830292B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201480070393.1
申请日：2014-12-26
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 半导体激光器阵列具备在互不相同的振荡波长下进行单一模式振荡的多个半导体激光器，各所述半导体激光器具备：包含具有交替层叠的多个阱层和势垒层的多量子阱结构的活性层；和从厚度方向夹着该活性层而形成、带隙能大于该活性层的所述势垒层的带隙能的n侧分离限制异质结构层以及p侧分离限制异质结构层，在所述活性层掺杂n型杂质。由此提供能在宽带中输出高强度的激光的半导体激光器阵列。
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公开(公告)号：CN102362400B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201080013441.5
申请日：2010-03-17
Applicant: 古河电气工业株式会社
CPC classification number: G02B6/2808 , G02B6/4206 , G02B6/4215 , H01S5/02248 , H01S5/02284 , H01S5/026 , H01S5/0683 , H01S5/4012 , H01S5/4025 , H01S5/4062 , H01S5/4087
Abstract: 本发明公开一种半导体激光模块，包含集成了至少一个半导体激光器和弯曲波导的半导体器件、束分离器、多个检测器，从所述半导体激光器射出的激光经由所述弯曲波导传播，经由所述弯曲波导射出的所述激光入射向所述束分离器，入射到所述束分离器的激光的一部分由所述束分离器分路，由配置于该光束断面内的不同的位置的所述多个检测器检测所述分路的所述激光的一部分，其中，在光路上设有用于使所述半导体激光器的输出和所述多个检测器的检测值的相关关系接近线性的波形整形装置。由此，可以进行精度高且稳定的波长锁定控制。
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公开(公告)号：CN118648207A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202380020405.9
申请日：2023-02-08
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/0238 , G02B6/42 , H01S5/227
Abstract: 光半导体元件例如具备：基板；第一突出部，其具有包括活性层作为半导体层的第一台面，且从基板向第一方向突出；以及对准标识，其设置为相对于周边部分向第一方向突出的凸部或相对于周边部分向第一方向的相反方向凹陷的凹部，用于确定光半导体元件在与第一方向交叉的方向上的位置，对准标识具有第一侧面，该第一侧面相对于凸部的顶部向第一方向的相反方向偏移设置、或相对于凹部的底部向第一方向偏移设置，且朝向相对于与第一方向正交的方向而向第一方向的相反方向倾斜的方向。
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公开(公告)号：CN111684674B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN201980011889.4
申请日：2019-02-08
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 清田和明
Abstract: 在半导体基板上形成的波导型的波长可变激光器，具备：第1反射部，输出激光；第2反射部，与所述第1反射部一起构成激光谐振器；增益部，被设置于所述第1反射部和所述第2反射部之间；至少两个波长滤波器，能够调整波长特性，并对所述激光的波长进行调整；以及相位调整部，对所述激光谐振器内的光路长进行调整，在所述第1反射部和所述第2反射部之间具有折回部，该折回部由光路实质上以180度的角度进行折回的波导而形成。
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公开(公告)号：CN114342193A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080055291.8
申请日：2020-08-03
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 半导体光放大器阵列元件(100)具备基板(100a)、以及形成于基板(100a)上且分别具有活性区域的多个半导体光放大器，所述多个半导体光放大器分别具有的两个光输入输出端口(111a、111b、121a、121b)均与所述活性区域的每一个光学连接，且均设置于半导体光放大器阵列元件(100)的相同的端面(101)，所述多个半导体光放大器包括：活性区域(110ca1、110cb1)的长度为第一长度的第一半导体光放大器(110)、以及活性区域(120ca1、120cb1)的长度与第一长度不同的第二长度的第二半导体光放大器(120)。
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