公开(公告)号：CN118648207A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202380020405.9

申请日：2023-02-08

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 松岛贤史郎 ,  平岩浩二 ,  清田和明 ,  今村明博

IPC: H01S5/0238 ,  G02B6/42 ,  H01S5/227

Abstract: 光半导体元件例如具备：基板；第一突出部，其具有包括活性层作为半导体层的第一台面，且从基板向第一方向突出；以及对准标识，其设置为相对于周边部分向第一方向突出的凸部或相对于周边部分向第一方向的相反方向凹陷的凹部，用于确定光半导体元件在与第一方向交叉的方向上的位置，对准标识具有第一侧面，该第一侧面相对于凸部的顶部向第一方向的相反方向偏移设置、或相对于凹部的底部向第一方向偏移设置，且朝向相对于与第一方向正交的方向而向第一方向的相反方向倾斜的方向。

公开(公告)号：CN118613978A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202380019243.7

申请日：2023-01-10

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 宫岛贤一 ,  清田和明 ,  木本龙也 ,  今村明博 ,  平岩浩二

IPC: H01S5/227

Abstract: 光半导体元件例如具备：基板；第一突出部，具有第一台面，并从基板向第一方向突出，所述第一台面具有在基板上沿第一方向层叠有多个半导体层的层叠构造且包括活性层来作为半导体层；以及第二突出部，在相对于第一突出部在与第一方向交叉的第二方向上分离的位置从基板向第一方向突出，包括与第一台面相同的层叠构造，在第一方向的端部露出多个半导体层中的一个。

公开(公告)号：CN118591956A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202380018402.1

申请日：2023-01-10

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 宫岛贤一 ,  清田和明 ,  木本龙也 ,  今村明博 ,  平岩浩二

IPC: H01S5/227

Abstract: 光半导体元件例如具备：基板，其以(100)面作为表面；第一突出部，其具有第一台面，且从基板向第一方向突出，该第一台面由多个半导体层在表面上沿第一方向层叠而成且作为该半导体层而包括活性层；以及第二突出部，其在相对于第一突出部而在第二方向上分离的位置从基板向第一方向突出，且具有由多个半导体层在表面上沿第一方向层叠而成的层叠结构，第二突出部的第一方向上的端面具有大致多边形的形状，并且该端面的各边与沿[0‑11]方向延伸的假想线不平行。