公开(公告)号：CN118613978A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202380019243.7

申请日：2023-01-10

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 宫岛贤一 ,  清田和明 ,  木本龙也 ,  今村明博 ,  平岩浩二

IPC: H01S5/227

Abstract: 光半导体元件例如具备：基板；第一突出部，具有第一台面，并从基板向第一方向突出，所述第一台面具有在基板上沿第一方向层叠有多个半导体层的层叠构造且包括活性层来作为半导体层；以及第二突出部，在相对于第一突出部在与第一方向交叉的第二方向上分离的位置从基板向第一方向突出，包括与第一台面相同的层叠构造，在第一方向的端部露出多个半导体层中的一个。

公开(公告)号：CN118591956A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202380018402.1

申请日：2023-01-10

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 宫岛贤一 ,  清田和明 ,  木本龙也 ,  今村明博 ,  平岩浩二

IPC: H01S5/227

Abstract: 光半导体元件例如具备：基板，其以(100)面作为表面；第一突出部，其具有第一台面，且从基板向第一方向突出，该第一台面由多个半导体层在表面上沿第一方向层叠而成且作为该半导体层而包括活性层；以及第二突出部，其在相对于第一突出部而在第二方向上分离的位置从基板向第一方向突出，且具有由多个半导体层在表面上沿第一方向层叠而成的层叠结构，第二突出部的第一方向上的端面具有大致多边形的形状，并且该端面的各边与沿[0‑11]方向延伸的假想线不平行。