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公开(公告)号：CN111684342B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201980011667.2
申请日：2019-02-07
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 光集成元件具备：基板；第1波导路区域，其在所述基板上依次层叠下部包覆层、与所述下部包覆层相比而折射率更高的第1芯层和与所述第1芯层相比而折射率更低的上部包覆层；和活性区域，其在所述基板上依次层叠所述下部包覆层、与所述下部包覆层相比而折射率更高的第2芯层、通过被注入电流来将光放大的量子阱层和所述上部包覆层，所述第2芯层与所述量子阱层之间在正在所述第2芯层进行波导的光的模场的范围内接近，所述第1芯层、和所述第2芯层以及所述量子阱层。
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公开(公告)号：CN108885305A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780019420.6
申请日：2017-02-03
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够在将基模的损失抑制得小的同时充分减少或除去高阶模、并且能够便宜且容易地制造的光元件及其制造方法、以及光调制器。该光元件具有：基板；以及第一光波导、第二光波导及第三光波导，形成于所述基板上，分别具有下部包层、芯层及上部包层，所述芯层与所述下部包层及所述上部包层相比折射率大，所述第一光波导与所述第二光波导光学连接，所述第二光波导与所述第三光波导光学连接，所述第一光波导、第二光波导及第三光波导具有至少所述上部包层及所述芯层的上部形成为在所述下部包层上突出的台面状的台面结构，当将芯高度设为从所述台面结构的两侧的底面或所述台面结构的侧面的倾斜到达所述底面而变得不连续的部位到所述芯层的上表面为止的高度时，所述第三光波导的所述芯高度比所述第一光波导的所述芯高度低，当将台面宽度设为所述芯层的中央的宽度时，所述第三光波导的所述台面宽度比所述第一光波导的所述台面宽度窄。
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公开(公告)号：CN110088995B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201780078544.1
申请日：2017-12-19
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 光集成元件具备：在基板上依次层叠第2芯层、下部包覆层、第1芯层、以及上部包覆层而成的无源波导区域、在基板上依次层叠第2芯层、下部包覆层、第1芯层、通过注入电流而放大光的量子阱层、以及上部包覆层而成的活性区域，第1芯层与量子阱层之间在对第1芯层进行波导的光的模场的范围内相接近，无源波导区域的至少一部分以及活性区域具有上部包覆层突出为台面状的第1台面构造，无源波导区域包含除了第1台面构造还具有第1芯层、下部包覆层以及第2芯层突出为台面状的第2台面构造的第2光点尺寸变换区域，第2台面构造的宽度比第1台面构造的宽度宽，并且具有第2台面构造的无源波导区域中，第1台面构造的宽度连续地变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108885305B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201780019420.6
申请日：2017-02-03
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够在将基模的损失抑制得小的同时充分减少或除去高阶模、并且能够便宜且容易地制造的光元件及其制造方法、以及光调制器。该光元件具有：基板；以及第一光波导、第二光波导及第三光波导，形成于所述基板上，分别具有下部包层、芯层及上部包层，所述芯层与所述下部包层及所述上部包层相比折射率大，所述第一光波导与所述第二光波导光学连接，所述第二光波导与所述第三光波导光学连接，所述第一光波导、第二光波导及第三光波导具有至少所述上部包层及所述芯层的上部形成为在所述下部包层上突出的台面状的台面结构，当将芯高度设为从所述台面结构的两侧的底面或所述台面结构的侧面的倾斜到达所述底面而变得不连续的部位到所述芯层的上表面为止的高度时，所述第三光波导的所述芯高度比所述第一光波导的所述芯高度低，当将台面宽度设为所述芯层的中央的宽度时，所述第三光波导的所述台面宽度比所述第一光波导的所述台面宽度窄。
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公开(公告)号：CN111684342A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201980011667.2
申请日：2019-02-07
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 光集成元件具备：基板；第1波导路区域，其在所述基板上依次层叠下部包覆层、与所述下部包覆层相比而折射率更高的第1芯层和与所述第1芯层相比而折射率更低的上部包覆层；和活性区域，其在所述基板上依次层叠所述下部包覆层、与所述下部包覆层相比而折射率更高的第2芯层、通过被注入电流来将光放大的量子阱层和所述上部包覆层，所述第2芯层与所述量子阱层之间在正在所述第2芯层进行波导的光的模场的范围内接近，所述第1芯层、和所述第2芯层以及所述量子阱层。
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公开(公告)号：CN106537201B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201580040429.6
申请日：2015-10-05
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 一种半导体光集成元件，在基板上至少依次层叠了下部包覆层、波导芯层以及上部包覆层，该半导体光集成元件具备：掩埋型波导部，具有在所述波导芯层的两侧附近埋入了半导体包覆材料的结构；以及台面型波导部，具有至少包含所述上部包覆层的半导体层突出成台面状的波导结构，所述掩埋型波导部中的所述上部包覆层的厚度比所述台面型波导部中的所述上部包覆层的厚度厚。
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公开(公告)号：CN110088995A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780078544.1
申请日：2017-12-19
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 光集成元件具备：在基板上依次层叠第2芯层、下部包覆层、第1芯层、以及上部包覆层而成的无源波导区域、在基板上依次层叠第2芯层、下部包覆层、第1芯层、通过注入电流而放大光的量子阱层、以及上部包覆层而成的活性区域，第1芯层与量子阱层之间在对第1芯层进行波导的光的模场的范围内相接近，无源波导区域的至少一部分以及活性区域具有上部包覆层突出为台面状的第1台面构造，无源波导区域包含除了第1台面构造还具有第1芯层、下部包覆层以及第2芯层突出为台面状的第2台面构造的第2光点尺寸变换区域，第2台面构造的宽度比第1台面构造的宽度宽，并且具有第2台面构造的无源波导区域中，第1台面构造的宽度连续地变化。
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公开(公告)号：CN106537201A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201580040429.6
申请日：2015-10-05
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 一种半导体光集成元件，在基板上至少依次层叠了下部包覆层、波导芯层以及上部包覆层，该半导体光集成元件具备：掩埋型波导部，具有在所述波导芯层的两侧附近埋入了半导体包覆材料的结构；以及台面型波导部，具有至少包含所述上部包覆层的半导体层突出成台面状的波导结构，所述掩埋型波导部中的所述上部包覆层的厚度比所述台面型波导部中的所述上部包覆层的厚度厚。
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