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公开(公告)号：CN109565151B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201780045737.7
申请日：2017-10-11
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/125
Abstract: 一种半导体激光元件，具备：是进行发光的有源区域且具有衍射光栅的分布反馈部；和是无源反射镜且具有衍射光栅的分布反射部，所述半导体激光元件的特征在于，所述分布反馈部具备：第一区域，其与所述分布反射部相邻且具有规定的标准周期的衍射光栅；相移区域，其与所述第一区域相邻且比所述标准周期的2倍长；和第二区域，其与所述相移区域中的与所述第一区域相反的一侧相邻且具有所述标准周期的衍射光栅，所述相移区域使所述第一区域与所述第二区域之间的激光的相位光学性地变化。
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公开(公告)号：CN109565151A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780045737.7
申请日：2017-10-11
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/125
Abstract: 一种半导体激光元件，具备：是进行发光的有源区域且具有衍射光栅的分布反馈部；和是无源反射镜且具有衍射光栅的分布反射部，所述半导体激光元件的特征在于，所述分布反馈部具备：第一区域，其与所述分布反射部相邻且具有规定的标准周期的衍射光栅；相移区域，其与所述第一区域相邻且比所述标准周期的2倍长；和第二区域，其与所述相移区域中的与所述第一区域相反的一侧相邻且具有所述标准周期的衍射光栅，所述相移区域使所述第一区域与所述第二区域之间的激光的相位光学性地变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116540366A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202211497688.X
申请日：2022-11-24
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明提供光模块。例如能得到进行了改善的新的结构的光模块，其能抑制从发热部向在受热的情况下会给外壳内传输的光的特性带来影响这样的器件的热传递。光模块例如具备：外壳，其在内部传输光；发热部；器件，其设于外壳内，在受热的情况下使在外壳内传输的光的特性发生变化；和第一构件，其与发热部以及器件热连接，在第一构件，在从发热部向器件的传热路径上，在抑制了向外壳内的对流热传递的状态下设置空洞。外壳可以被气密密封，在第一构件，作为空洞，可以设置向外壳外开放的空洞，也可以设置作为封闭空间的空洞。
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公开(公告)号：CN105075038B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201480008894.7
申请日：2014-02-18
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 小林刚
CPC classification number: H01S5/1231 , G02B6/00 , G02B6/43 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/1003 , H01S5/1203 , H01S5/124 , H01S5/125 , H01S5/4012 , H01S5/4025 , H01S5/4087
Abstract: 半导体激光元件具备：半导体层叠构造，其包含波导芯层，并具有分布反馈型激光器部和分布布拉格反射部，在所述分布反馈型激光器部中，所述波导芯层具有遍及光谐振器长度方向而连续的长度，并且在所述波导芯层的附近沿着该波导芯层而配置有衍射光栅层，在所述分布布拉格反射部中，所述波导芯层被离散地且周期性地配置，以形成衍射光栅；和电极，其用于向所述分布反馈型激光器部注入电流，所述分布反馈型激光器部使与所述衍射光栅层的周期相应的波长的激光振荡，在所述分布布拉格反射部中所述波导芯层所形成的衍射光栅被设定为具有包含所述激光的波长在内的阻带。由此，能够提供光输出高、且生产时的成品率良好的半导体激光元件。
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公开(公告)号：CN105981239B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201580007841.8
申请日：2015-02-06
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 一种集成型半导体激光器元件，在基板上集成了半导体激光器和对所述半导体激光器的输出激光进行放大的半导体光放大器，所述集成型半导体激光器元件的特征在于，所述半导体激光器包括第1活性层，所述半导体光放大器包括第2活性层，所述第1活性层以及所述第2活性层具有多量子阱结构，所述第2活性层的量子阱数目比所述第1活性层的量子阱数目多。由此，能够实现输出激光的光谱线宽窄且高强度的集成型半导体激光器元件以及半导体激光器模块。
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公开(公告)号：CN105981239A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580007841.8
申请日：2015-02-06
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 一种集成型半导体激光器元件，在基板上集成了半导体激光器和对所述半导体激光器的输出激光进行放大的半导体光放大器，所述集成型半导体激光器元件的特征在于，所述半导体激光器包括第1活性层，所述半导体光放大器包括第2活性层，所述第1活性层以及所述第2活性层具有多量子阱结构，所述第2活性层的量子阱数目比所述第1活性层的量子阱数目多。由此，能够实现输出激光的光谱线宽窄且高强度的集成型半导体激光器元件以及半导体激光器模块。
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公开(公告)号：CN105075038A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480008894.7
申请日：2014-02-18
Applicant: 古河电气工业株式会社
Inventor： 小林刚
CPC classification number: H01S5/1231 , G02B6/00 , G02B6/43 , H01S5/026 , H01S5/0425 , H01S5/1003 , H01S5/1203 , H01S5/124 , H01S5/125 , H01S5/4012 , H01S5/4025 , H01S5/4087
Abstract: 半导体激光元件具备：半导体层叠构造，其包含波导芯层，并具有分布反馈型激光器部和分布布莱克反射部，在所述分布反馈型激光器部中，所述波导芯层具有遍及光谐振器长度方向而连续的长度，并且在所述波导芯层的附近沿着该波导芯层而配置有衍射光栅层，在所述分布布莱克反射部中，所述波导芯层被离散地且周期性地配置，以形成衍射光栅；和电极，其用于向所述分布反馈型激光器部注入电流，所述分布反馈型激光器部使与所述衍射光栅层的周期相应的波长的激光振荡，在所述分布布莱克反射部中所述波导芯层所形成的衍射光栅被设定为具有包含所述激光的波长在内的阻带。由此，能够提供光输出高、且生产时的成品率良好的半导体激光元件。
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