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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1195426A
公开(公告)日：1998-10-07
申请号：CN97190702.1
申请日：1997-06-13
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L31/105 , G02B6/12
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/115 , Y02B10/10 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种其漏电流受到抑制,暗电流特性优异的半导体波导型感光元件及其制造方法,该半导体波导型感光元件所具有的半导体波导,在半导体衬底上形成一依次淀积有:p型或n型第一半导体层;设于第一半导体层上、禁带能量比第一半导体层小的第二半导体层;和设于第二光导体上、禁带能量比第二半导体层大、且导电型与第一半导体层相反的第三半导体层而成的迭层结构,迭层结构中至少第二半导体层做成台面型条带,其中,至少第二半导体层(光吸收层)侧面或/和光入射端面呈曲面。
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公开(公告)号：CN118648207A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202380020405.9
申请日：2023-02-08
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/0238 , G02B6/42 , H01S5/227
Abstract: 光半导体元件例如具备：基板；第一突出部，其具有包括活性层作为半导体层的第一台面，且从基板向第一方向突出；以及对准标识，其设置为相对于周边部分向第一方向突出的凸部或相对于周边部分向第一方向的相反方向凹陷的凹部，用于确定光半导体元件在与第一方向交叉的方向上的位置，对准标识具有第一侧面，该第一侧面相对于凸部的顶部向第一方向的相反方向偏移设置、或相对于凹部的底部向第一方向偏移设置，且朝向相对于与第一方向正交的方向而向第一方向的相反方向倾斜的方向。
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公开(公告)号：CN118613978A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202380019243.7
申请日：2023-01-10
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/227
Abstract: 光半导体元件例如具备：基板；第一突出部，具有第一台面，并从基板向第一方向突出，所述第一台面具有在基板上沿第一方向层叠有多个半导体层的层叠构造且包括活性层来作为半导体层；以及第二突出部，在相对于第一突出部在与第一方向交叉的第二方向上分离的位置从基板向第一方向突出，包括与第一台面相同的层叠构造，在第一方向的端部露出多个半导体层中的一个。
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公开(公告)号：CN118591956A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380018402.1
申请日：2023-01-10
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/227
Abstract: 光半导体元件例如具备：基板，其以(100)面作为表面；第一突出部，其具有第一台面，且从基板向第一方向突出，该第一台面由多个半导体层在表面上沿第一方向层叠而成且作为该半导体层而包括活性层；以及第二突出部，其在相对于第一突出部而在第二方向上分离的位置从基板向第一方向突出，且具有由多个半导体层在表面上沿第一方向层叠而成的层叠结构，第二突出部的第一方向上的端面具有大致多边形的形状，并且该端面的各边与沿[0‑11]方向延伸的假想线不平行。
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公开(公告)号：CN1131568C
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN97190702.1
申请日：1997-06-13
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01L31/105 , G02B6/12
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L31/115 , Y02B10/10 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种其漏电流受到抑制，暗电流特性优异的半导体波导型感光元件及其制造方法，该半导体波导型感光元件结构如下：在半导体衬底上依次形成p型或n型第一半导体层；设于第一半导体层上、禁带能量比第一半导体层小的第二半导体层；和设于第二光导体上、禁带能量比第二半导体层大、且导电型与第一半导体层相反的第三半导体层而成的迭层结构，迭层结构中至少第二半导体层做成台面型条带，其中，至少第二半导体层(光吸收层)侧面或/和光入射端面呈曲面。
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