-
公开(公告)号：CN117452651B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311803175.1
申请日：2023-12-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种晶面结构观测仪及其观测方法，涉及教学器材技术领域，包括沿第二光线路径排列设置的激光器、第一光阑、第二光阑、第二显微物镜、样品、光屏和第二CCD相机，沿第一光线路径排列设置的光源组件、样品、第一显微物镜、第二光阑样品、半反半透镜和第一CCD相机。本发明公开的晶面结构观测仪可以直观地展现晶体结构与衍射图案的对应关系，实现了宏观的可见光衍射到微观电子衍射的知识过渡，从而方便教师课堂教学，帮助学生形成对晶体结构的直观印象，加深对晶体结构等知识的理解，且涉及固体物理、材料化学、光学、计算机等方面知识，综合教学意义突出。
-
公开(公告)号：CN117563516A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311531874.5
申请日：2023-11-16
Abstract: 本发明涉及微纳米自动化制造技术领域，涉及一种微纳球模板全自动制备装置及制备方法，其包括：基座、培养皿定位台、注射泵定位台、水泵、培养皿、第一注射泵和第二注射泵，第一注射泵中设有第一注射器，第二注射泵中设有第二注射器；借此，通过整体设备的全自动化，无需人工干预，从根本上避免了由于人工操作时的失误或抖动、不均匀等情况带来的误差，整体制备过程都设定了精确的参数，确保每一次制备都能够准确无误地按照预设条件进行，提高制备成品的准确性和一致性，也具备可复制性，从而提高了生产效率和产品良率，适应性高，适合大规模应用。
-
公开(公告)号：CN113471341A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110577770.2
申请日：2021-05-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子器件技术领域，特别涉及一种基于红光A l I nGaAs量子点的Mi cro‑LED结构及其制备方法。所述Mi cro‑LED结构自下而上依次包括衬底、n型层、多量子阱有源层以及p型层；所述多量子阱有源层包括势阱层；所述势阱层包括A l I nGaAs量子点层。其能够降低侧壁及其边缘处的非辐射复合，有效提高低电流密度下的发光效率；且其发光波长可实现在红光波长范围的调控；且其结构简单，制备工艺简便，易于生产应用。
-
公开(公告)号：CN112531070A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011337981.0
申请日：2020-11-25
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/0336 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种基于核‑壳纳米柱阵列的深紫外探测器及其制备方法。其中基于核‑壳纳米柱阵列的深紫外探测器包括衬底和位于衬底之上的氮化镓层，氮化镓层的上半部分形成氮化镓纳米柱阵列，氮化镓纳米柱阵列与包覆其上表面外的氧化镓构成核‑壳纳米柱阵列异质结；金属电极分别设在氮化镓层和氧化镓层表面的电极区域上，并形成肖特基接触。通过核‑壳异质结的形成可有效降低深紫外探测器的暗电流，提高器件的响应度，改善基于半导体异质结的光电探测器件性能。本发明提供的一种基于核‑壳纳米柱阵列的深紫外探测器，其结构简单，制备容易，便于规模化生产。
-
公开(公告)号：CN112186052A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202011085614.6
申请日：2020-10-12
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种高外量子效率的深紫外多波长MSM窄带光电探测器及其制备方法。所述的光电探测器包括衬底、缓冲层、至少两组超短周期超晶格层、金属叉指电极，每组超短周期超晶格层的分子层数不同；超短周期超晶格层的上表面沉积金属纳米颗粒阵列；不同的超短周期超晶格层对应沉积不同尺寸、形状及周期的金属纳米颗粒阵列；金属叉指电极设置在超短周期超晶格层上表面，形成肖特基接触。本发明通过将多组不同尺寸、形状及周期的金属纳米颗粒阵列设置在超短周期超晶格层上，能够针对超短周期超晶格层的特定窄带光吸收进行有效地局域表面等离激元增强，进一步提高对深紫外光的吸收效率，最终改善多波长MSM窄带探测器的响应度和外量子效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110364584A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910577036.9
申请日：2019-06-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/108 , H01L31/18 , G02B5/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供基于局域表面等离激元效应的深紫外MSM探测器及制备方法，其结构从下至上包括：衬底、缓冲层、超短周期超晶格及金属电极；超短周期超晶格包括设置在超短周期超晶格的纳米孔阵，以及金属纳米颗粒；金属纳米颗粒注入在纳米孔阵空隙或沉积于超短周期超晶格上表面，颗粒尺寸可调控；金属电极设置在超短周期超晶格上，形成肖特基接触。本发明通过在有序分布的纳米孔阵中形成金属纳米颗粒再在其上设置金属电极，避免了超短周期超晶格吸收层载流子隧穿能力较弱问题，又利用产生的局域表面等离激元效应，增强深紫外光的吸收，最终提高深紫外MSM探测器的量子效率。
-
公开(公告)号：CN110165028A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910532879.7
申请日：2019-06-19
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明的基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED及其制备方法，在MIS结构的紫外LED中引入银金属纳米颗粒以形成局域表面等离激元；所述MIS结构LED采用石墨烯膜作为导电层以增强电流扩展性，提高器件紫外光出射率；所述金属纳米颗粒设置于石墨烯层之上，利用局域表面等离激元增强效应，使出射光子与金属纳米颗粒之间发生共振耦合，从而提高器件的内量子效率，增强其发光强度。本发明提供的一种基于局域表面等离激元增强的MIS结构紫外LED，结构简单，制备简便，易于生产。
-
公开(公告)号：CN102820398B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201210319019.3
申请日：2012-08-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极，涉及一种电极。提供一种可抑制发光二极管金属电极吸收光较强的负面效应，改善发光二极管横向电流扩展均匀性的分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极。设有分布式布拉格反射结构、小面积金属欧姆接触阵列和半导体基底；分布式布拉格反射结构设在半导体基底上，分布式布拉格反射结构为多层介质，所述多层介质由至少1层高折射率介质层和至少1层低折射率介质层交替组成的膜堆；所述小面积金属欧姆接触阵列与分布式布拉格反射结构复合并贯穿分布式布拉格反射结构再与半导体基底欧姆接触并形成复合三维电极。
-
公开(公告)号：CN103474503A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310461747.2
申请日：2013-09-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0248
Abstract: 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极；所述二维晶格在衬底上交替生长，交替生长的周期为至少20个；每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成，第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中，成为半导体Ⅰ类超晶格，第一介质膜层作为势阱，第二介质膜层作为势垒，金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。
-
公开(公告)号：CN103320753A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310250357.0
申请日：2013-06-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法，涉及铝纳颗粒阵列的制备方法。提供可实现颗粒尺寸密度可调的一种尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备方法。在E-Beam生长腔体中，放入样品台，然后将衬底放置于样品台上；将铝置于E-Beam生长腔体内，用高能电子束轰击膜料铝，使之表面产生很高的温度后由固态直接升华到气态，并沉积在衬底上，完成尺寸密度可控铝纳米颗粒阵列的制备。采用调整放置衬底的样品台倾角的方法，可实现尺寸密度可调控的金属纳米颗粒阵列的制备。制得铝纳米颗粒阵列纳米颗粒尺寸密度可调控，有利于制备电学/光电器件。制备条件简单，不需要复杂设备，在规模化工业生产中具有良好的应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
42
records
(took 0.034 seconds)
