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公开(公告)号:CN103474503B
公开(公告)日:2016-01-20
申请号:CN201310461747.2
申请日:2013-09-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0248
Abstract: 一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器,属于半导体光电子器件技术领域。提供一种利用量子限制效应实现可调控单波长、且更容易发挥量子能级态密度高这一优势的基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器。包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极;所述二维晶格在衬底上交替生长,交替生长的周期为至少20个;每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成,第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中,成为半导体Ⅰ类超晶格,第一介质膜层作为势阱,第二介质膜层作为势垒,金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。
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公开(公告)号:CN103831724B
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201410115280.0
申请日:2014-03-26
Applicant: 厦门大学
IPC: B24B53/06
Abstract: 圆弧截面杯形砂轮修形装置,涉及一种砂轮修形装置。设有底座、X轴进给机构、Y轴进给机构、摆动机构、刀具进给机构和刀具;X轴进给机构设有X轴滑座、X轴螺杆和X轴螺杆驱动件;Y轴进给机构设有Y轴滑座、Y轴螺杆和Y轴螺杆驱动件;摆动机构设有刀架座、蜗杆、蜗轮和摆动驱动件;刀具进给机构设有刀架、刀具进给螺杆、刀架回位弹簧和刀具进给驱动件。结构简单紧凑可靠、可在同一位置对不同半径的圆弧截面杯形砂轮进行修形,操作简单方便。还可根据实际情况选择手动或电力驱动,占用空间小,安装容易,便于移动。除了能够对杯形砂轮进行修形外,还可以对圆形工件的棱角进行修整。
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公开(公告)号:CN103831724A
公开(公告)日:2014-06-04
申请号:CN201410115280.0
申请日:2014-03-26
Applicant: 厦门大学
IPC: B24B53/06
Abstract: 圆弧截面杯形砂轮修形装置,涉及一种砂轮修形装置。设有底座、X轴进给机构、Y轴进给机构、摆动机构、刀具进给机构和刀具;X轴进给机构设有X轴滑座、X轴螺杆和X轴螺杆驱动件;Y轴进给机构设有Y轴滑座、Y轴螺杆和Y轴螺杆驱动件;摆动机构设有刀架座、蜗杆、蜗轮和摆动驱动件;刀具进给机构设有刀架、刀具进给螺杆、刀架回位弹簧和刀具进给驱动件。结构简单紧凑可靠、可在同一位置对不同半径的圆弧截面杯形砂轮进行修形,操作简单方便。还可根据实际情况选择手动或电力驱动,占用空间小,安装容易,便于移动。除了能够对杯形砂轮进行修形外,还可以对圆形工件的棱角进行修整。
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公开(公告)号:CN103346232A
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201310268722.0
申请日:2013-06-28
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种深紫外发光二极管及其制备方法,涉及一种发光二极管。深紫外发光二极管设有衬底,在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层,在p-GaN盖层上沉积铝纳米颗粒阵列,在n-AlGaN层上设有n型电极,在p-GaN盖层上设有p型电极。在衬底上依次生长AlN缓冲层、n-AlGaN层、有源层、p-AlGaN层和p-GaN盖层;采用ICP技术刻蚀出n型台面,并通过光刻、真空电子束蒸发沉积及快速热退火处理技术分别形成p型、n型的欧姆接触;在p-GaN盖层上沉积铝纳米颗粒阵列;在n-AlGaN层上设n型电极,在p-GaN盖层上设p型电极。
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公开(公告)号:CN102590559B
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201210026594.4
申请日:2012-02-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法,涉及一种材料器件电光性能测试方法。提供一种可针对纳米结构中单一量子态进行电注入发光的高空间分辨率、高能量分辨率测试的纳米结构量子态电注入发光测试方法。以双扫描隧道探针、高移动精度的光纤、高分辨率扫描电子显微镜、样品台及光谱仪作为联合实验平台,采用双扫描隧道探针作为电注入端、探针与样品间所产生的隧道电流作为注入电流、光纤作为光信号收集端。选取待测微区,选取待测纳米结构,光纤定位,双探针定位,高能量分辨率电注入发光测试,高空间分辨率载流子选择性注入测试。
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公开(公告)号:CN102820398A
公开(公告)日:2012-12-12
申请号:CN201210319019.3
申请日:2012-08-31
Applicant: 厦门大学
Abstract: 分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极,涉及一种电极。提供一种可抑制发光二极管金属电极吸收光较强的负面效应,改善发光二极管横向电流扩展均匀性的分布式布拉格反射与小面积金属接触复合三维电极。设有分布式布拉格反射结构、小面积金属欧姆接触阵列和半导体基底;分布式布拉格反射结构设在半导体基底上,分布式布拉格反射结构为多层介质,所述多层介质由至少1层高折射率介质层和至少1层低折射率介质层交替组成的膜堆;所述小面积金属欧姆接触阵列与分布式布拉格反射结构复合并贯穿分布式布拉格反射结构再与半导体基底欧姆接触并形成复合三维电极。
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公开(公告)号:CN119153602A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202411259249.4
申请日:2024-09-09
Abstract: 本发明涉及交流驱动的LED器件及其制备方法。交流驱动的LED器件包括:衬底层;第一半导体层,位于衬底层表面,第一半导体层包括平面部分和凸起部分,凸起部位于平面部分背向衬底层一侧的表面;有源层,位于第一半导体层的凸起部分背向衬底层一侧的表面;第二半导体层,位于有源层背向第一半导体层一侧的表面,第二半导体层与第一半导体层的导电类型相反;第一半导体层的凸起部分、有源层和第二半导体层构成LED器件的外延层;钝化层,位于第二半导体层背向有源层一侧的表面,且包覆外延层的侧部;侧部电极,位于钝化层背向外延层侧部的表面。本发明提供的交流驱动的LED器件能有效降低器件在交流驱动下的开启电压,同时提高注入电流,提高器件发光亮度。
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公开(公告)号:CN112234118B
公开(公告)日:2022-04-19
申请号:CN202011042977.1
申请日:2020-09-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/153 , H01L31/18 , H04B10/114 , H04B10/116 , H04B10/40 , H04J14/02
Abstract: 本发明涉及一种可见光通信的微型阵列光收发集成芯片及制作方法,包括具有信号处理电路的支撑衬底、位于支撑衬底上的微型收发单元阵列以及互联电极,其中每个微型收发单元包括由下至上的衬底金属键合层、多个堆叠外延层上下表面覆盖有透明导电层的多层夹心结构、介质填充层、滤光层、光接收台面和钝化层,互联电极包括连接第一外延层的p型面与光发射模块像素的阵列电极、连接第二外延层p型面与光发射模块像素的贯穿阵列电极、贯穿微型收发单元阵列分别与每个外延层n型面连接的共用电极。使用本发明技术方案可制造出实用化、高速、多场景应用的可见光通信终端产品。
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公开(公告)号:CN103822605B
公开(公告)日:2017-06-23
申请号:CN201410098960.6
申请日:2014-03-18
Applicant: 厦门大学
IPC: G01B21/20
Abstract: 大口径光学元件轮廓的一次拼接测量装置,涉及一种光学元件轮廓的测量装置。设有Y轴直线电机、Y轴直线导轨、底座、运动控制器、立柱、横梁、测量传感器、直线运动丝杆螺母副、联轴器、测头运动驱动电机、Z轴直线导轨、Z轴直线电机、测头连接座、Z轴工作台、X轴工作台、X轴直线导轨、X轴直线电机、工件、工件回转台、连接座、旋转电机、Y轴工作台和计算机。可实现一次拼接测量,特别针对大口径工件减少了测量步骤,测量过程简单,测量效率高,结构简单紧凑,操作方便。
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公开(公告)号:CN105364690A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201510782753.7
申请日:2015-11-16
Applicant: 厦门大学
Abstract: 紧凑型气囊抛光进动机构,涉及气囊抛光。设有水平轴、圆弧齿条、水平轴电机、齿轮、摆臂、垂直轴电机、垂直轴、端盖、主轴箱、主轴箱摆臂、气囊工具、主轴电机、联轴器和轴承;所述摆臂竖直安装,垂直轴电机竖直安装于摆臂顶部,控制摆臂旋转,主轴箱嵌套安装于摆臂内部,主轴箱摆臂通过水平轴与摆臂下端连接,圆弧齿条安装于主轴箱左侧,水平轴电机垂直固定于摆臂左侧,安装于水平轴电机的电机轴端的齿轮与圆弧齿条啮合;主轴电机为中空结构,主轴电机安装于主轴箱内部,气囊工具位于主轴箱底部,气囊工具通过联轴器与主轴电机的主轴相连。采用轮胎结构,充气简单,能脱离气压源,减少了机床配套装置,简化了机床主轴结构。
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