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公开(公告)号：CN103018827B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201210570246.3
申请日：2012-12-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种高Q值微型圆形谐振腔器件，采用SOI晶片作为载体，所述SOI晶体从上到下依次为顶层硅器件层、氧化埋层和硅衬底层；所述顶层硅器件层刻蚀有一个C型谐振腔、2个光波导、2列入射光栅和一个光子晶体阵列，其中，一个光波导的一端与C型谐振腔的开口连接，另一个光波导的一端与C型谐振腔的外周连接；光子晶体阵列由数个圆孔型空气介质柱周期性光子晶体组成，围绕C型谐振腔和光波导规则排列；每列入射光栅均由数个线性光栅纵向平行排列而成，两列入射光栅的一端分别连接两个光波导的另一端。此种器件可实现对入射光的二次选频，提高器件的Q值。本发明还公开一种高Q值微型圆形谐振腔器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN103811598A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310672969.9
申请日：2013-12-12
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y20/00 , G02B6/1225 , G02B6/124 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片外延生长一层纳米级厚度的氧化铪薄膜，包括硅衬底层，设置在硅衬底层上的氮化物层，以及外延生长在氮化物层上的氧化铪薄膜层。硅衬底层具有一个贯穿至氮化物层下表面的长方体空腔；氮化物层位于空腔上部的悬空部分从其下表面进行减薄处理；氮化物层和氧化铪薄膜层位于空腔上部的部分具有相同的纳米光子器件结构。本发明还公开了一种硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件的制备方法，该器件实现了激发光和纳米结构之间的交互作用，并且便于与硅基微电子加工技术集成，实现集成式硅基光电子系统。
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公开(公告)号：CN103630966A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310107094.8
申请日：2013-03-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种悬空氮化物光波导器件及其制备方法，实现载体为硅衬底氮化物晶片，所述硅衬底氮化物晶片包括顶层氮化物器件层和位于顶层氮化物器件层下部的硅衬底层；该方法能够实现高折射率硅衬底层和氮化物器件层的剥离，利用氮化物器件层和空气的折射率差异，实现悬空氮化物光波导器件；所述顶层氮化物器件层的上表面具有光波导器件结构，结合背后对准和深硅刻蚀技术，去除氮化物光波导器件下方的硅衬底层，得到悬空氮化物光波导器件；进一步的可以采用氮化物背后减薄刻蚀技术，获得厚度可控的氮化物光波导器件，降低光波导器件的模式损耗。
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公开(公告)号：CN103018827A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210570246.3
申请日：2012-12-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种高Q值微型圆形谐振腔器件，采用SOI晶片作为载体，所述SOI晶体从上到下依次为顶层硅器件层、氧化埋层和硅衬底层；所述顶层硅器件层刻蚀有一个C型谐振腔、2个光波导、2列入射光栅和一个光子晶体阵列，其中，一个光波导的一端与C型谐振腔的开口连接，另一个光波导的一端与C型谐振腔的外周连接；光子晶体阵列由数个圆孔型空气介质柱周期性光子晶体组成，围绕C型谐振腔和光波导规则排列；每列入射光栅均由数个线性光栅纵向平行排列而成，两列入射光栅的一端分别连接两个光波导的另一端。此种器件可实现对入射光的二次选频，提高器件的Q值。本发明还公开一种高Q值微型圆形谐振腔器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN114371155B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202210004730.3
申请日：2022-01-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明涉及一种基于光电子集成芯片的荧光光谱测试装置及其制备方法。所述基于光电子集成芯片的荧光光谱测试装置包括：样品台；氮化镓光电子集成芯片，位于所述样品台上方，包括透明衬底、位于所述透明衬底一侧的透明LED器件、以及位于所述透明衬底另一侧的滤光器件，所述透明LED器件用于向所述样品台方向发射具有第一波长的发射光信号，所述滤光器件用于仅透过具有第二波长的激发荧光信号，所述第二波长大于所述第一波长；透镜，位于所述氮化镓光电子集成芯片上方；光纤，位于所述透镜上方；光谱仪，用于接收并分析所述光纤传输的所述激发荧光信号。本发明缩小了荧光光谱测试装置的体积，简化荧光光谱测试装置的光路结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114361313B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202210004743.0
申请日：2022-01-04
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光滤光集成光电子芯片及其制备方法。所述发光滤光集成光电子芯片包括：透明衬底，所述透明衬底包括正面、以及与所述正面相对的背面；透明LED器件，位于所述透明衬底的正面，包括沿垂直于所述正面的方向依次叠置的缓冲层、n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p‑GaN层，所述透明LED器件至少能够沿所述背面指向所述正面的方向发射具有第一波长的发射光信号；滤光器件，位于所述透明衬底的背面，用于透过第二波长的激发荧光信号、并阻挡所述发射光信号，所述第二波长大于所述第一波长。本发明简化了荧光分析过程中的光路结构，并有助于提高荧光分析结果的准确度和可靠性。
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公开(公告)号：CN118248766A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410400757.3
申请日：2024-04-03
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/112 , H01L31/0304 , H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种叉指型环形栅AlGaN/GaN HEMT结构的双面紫外光探测器，其结构从下往上依次包括：硅衬底层、AlGaN背势垒层、高阻GaN缓冲层、u‑GaN沟道层、AlGaN势垒层、GaN帽层；探测器在有源区侧壁采用绝缘物进行保护，源极金属层和漏极金属层以叉指型分布方式交错排列在GaN帽层上，利用钝化物对器件进行钝化处理，通过对硅衬底层、AlGaN背势垒层、高阻GaN缓冲层和部分的u‑GaN沟道层进行刻蚀处理，暴露出u‑GaN沟道层，实现对紫外光的双面探测。本发明中叉指型源漏电极和环形栅结构的引入，降低了器件的导通电阻，提高了欧姆接触性能，显著增大了器件的有效感光面积，使得探测器对光信号的灵敏度大幅提升，从而更有效地捕获光子，提高了探测器的响应能力。
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公开(公告)号：CN114371155A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210004730.3
申请日：2022-01-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明涉及一种基于光电子集成芯片的荧光光谱测试装置及其制备方法。所述基于光电子集成芯片的荧光光谱测试装置包括：样品台；氮化镓光电子集成芯片，位于所述样品台上方，包括透明衬底、位于所述透明衬底一侧的透明LED器件、以及位于所述透明衬底另一侧的滤光器件，所述透明LED器件用于向所述样品台方向发射具有第一波长的发射光信号，所述滤光器件用于仅透过具有第二波长的激发荧光信号，所述第二波长大于所述第一波长；透镜，位于所述氮化镓光电子集成芯片上方；光纤，位于所述透镜上方；光谱仪，用于接收并分析所述光纤传输的所述激发荧光信号。本发明缩小了荧光光谱测试装置的体积，简化荧光光谱测试装置的光路结构。
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公开(公告)号：CN109524516B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811155821.7
申请日：2018-09-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于机械剥离的可转移逻辑芯片及其制备方法，该逻辑芯片包括多对p‑n结量子阱，以及连接p‑n结量子阱之间的悬空GaN波导。该多对p‑n结量子阱之间能实现逻辑与运算和逻辑或运算。该p‑n结量子阱既可以对外发送光信号，也可探测空间中的光信号，并且可即在发光的同时也能探测空间中的光信号，实现全双工通信。本发明采用传统的半导体加工工艺首次实现了可转移的逻辑薄膜芯片，该器件剥离后，转移到柔性载体上，可用于通信、照明、智能显示、逻辑运算以及传感等领域。
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公开(公告)号：CN109462145A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811500232.8
申请日：2018-12-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法，该激光器包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p-n结量子阱器件与光波导，所述光波导一端与p-n结量子阱器件相连，另一端集成有谐振光栅微腔结构。本发明实现的电泵浦硅衬底GaN基悬空波导激光器，可以通过调控微腔结构，实现波长可调的GaN基悬空波导激光器。本发明提出的集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。
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