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公开(公告)号：CN118206980A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410291634.0
申请日：2024-03-14
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开一种绿色荧光InP/ZnSeS/ZnS多壳量子点的制备方法，该方法使用安全的(DMA)3P磷源，将铟源与锌源按照一定比例混合，硫和硒前驱体溶解在三正辛基磷(TOP)中，然后采用一锅法进行加热，加热到不同阶段快速注入相应前驱体溶液从而制备InP/ZnSeS/ZnS多壳量子点。本发明综合考虑了脱气温度、成核温度对FWHM和荧光峰位的影响，面向显示应用合成出荧光峰位置可调且荧光半峰宽较窄的绿色荧光InP/ZnSeS/ZnS多壳量子点，在发光器件中具有独特的应用前景，并且本发明提供的方法具有简便高效、节省成本、环境友好等优点，以及有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN115558907B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211222958.6
申请日：2022-10-08
Applicant: 南京工业大学
IPC: C23C16/44 , C23C16/40 , C23C16/52 , C23C28/00 , H01L21/02 , H01L29/24 , H01L29/772 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及化学气相沉积法生长制备二维材料，属于纳米材料的生长制备技术领域。该发明包括二氧化钨纳米片的制备以及基于制得的二氧化钨纳米片制成的二氧化钨二维材料的电学器件。该发明将三氧化钨粉末和硒化钨粉末共同盛放在瓷舟中作为蒸发源，在80sccm的载气流量，生长温度为1150‑1190℃，沉积时间5‑35min内化学气相沉积在基底表面，制备出二氧化钨纳米片。本发明制备的二氧化钨纳米片结晶度高，形状为规整的四边形，大小在24‑133μm，厚度在19.7‑123nm，制备方法简单可行具有一定的可控性和重复性，环境友好，解决了二氧化钨纳米片制备的问题。
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公开(公告)号：CN116790245A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310758191.7
申请日：2023-06-26
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了利用异质结构界面耦合作用在非手性有机‑无机杂化钙钛矿中实现室温强圆偏振发光(Circularly Polarized Light,CPL)特性的方法，包括：通过机械剥离方法分别获得手性钙钛矿、非手性钙钛矿A和非手性钙钛矿B纳米片；利用干法转移技术将以上三者搭建异质结构，其堆叠顺序为非手性钙钛矿A/非手性钙钛矿B/手性钙钛矿/衬底；将异质结构在60‑90℃温度下退火3‑10分钟等步骤。本发明基于三层纳米片的阶梯状能带结构，利用界面高效自旋极化载流子传输，在非手性钙钛矿A中可以实现室温较强的圆偏振发光特性，室温偏振度可达28.5％，对基于钙钛矿材料圆偏振光特性的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116154035A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211463726.X
申请日：2022-11-22
Applicant: 南京工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/032 , H01L21/02 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01L21/368
Abstract: 本发明公开一种金属卤素钙钛矿超薄单晶纳米片的液‑气界面制备方法，属于半导体光电材料领域。所述无机钙钛矿的化学通式为A3B2I9，A为Cs，B为Sb或Bi。一种液‑气界面生长方法，通过向溶剂HI中额外添加I2来实现。I2的作用：(1)协助无机卤素钙钛矿实现液‑气界面生长；(2)调控材料厚度与横向尺寸的生长速率、大小和纵横比；(3)原位填补钙钛矿内部缺陷，不但可以提升材料稳定性，而且可以优化材料的荧光特性，提升光电响应率和探测率。该方法操作简便，成本低廉，首次实现了全无机卤素钙钛矿超薄纳米片的无支撑型制备。该方法所得产物极易被转移，大大简化了异质结堆叠和微纳光电子器件构筑的工艺流程。
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公开(公告)号：CN115666217A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211362106.7
申请日：2022-11-02
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开一种基于卤素杂化钙钛矿的自整流忆阻器，属于微电子制造及存储技术领域。所述自整流忆阻器是一种包括上电极、钙钛矿层、下电极的三层器件，在负电压扫描范围呈现出高、低两个阻态，而在正电压扫描范围始终保持在高阻态。所述忆阻器是依靠钙钛矿/金属界面瞬时形成的金属卤化物，钙钛矿可以与该卤化物形成p‑n结，反向p‑n结形成阻挡层，助推实现类二极管效应的自整流忆阻器。本发明首次基于钙钛矿材料体系实现了自整流忆阻器，丰富了钙钛矿忆阻器的功能特征，拓展了自整流忆阻器的材料选择范围，是一种低成本设计，可以满足高集成十字交叉阵列中存储单元的信息准确读取需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106745026B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201611168507.3
申请日：2016-12-16
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种无缺陷DDR分子筛膜的制备方法，采用Sigma‑1分子筛作为诱导晶种，在多孔陶瓷支撑体表面制备获得连续致密的DDR分子筛膜且显著缩短了制膜时间，其特征是采用特殊气氛在低温下即可脱除分子筛膜孔中的模板剂，避免晶间缺陷以及裂缝的形成，活化后的DDR分子筛膜对CO2具有优异的分离选择性。
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公开(公告)号：CN119997651A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510193090.9
申请日：2025-02-21
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体晶体管实现高性能X射线探测的方法，通过栅压调控新型二维材料NbOI2晶体管实现优异的X射线探测性能的方法，属于光电信息领域。基于二维半导体NbOI2纳米片制备晶体管器件，利用其重原子对X射线优异的吸收特性，通过对晶体管施加栅压，实现优异的X射线探测性能。截止目前，该技术还没有被报道过，本发明是首次实现该技术。本发明主要基于栅极电压对二维半导体NbOI2纳米片载流子的高效调控特性，实现对X射线产生载流子数量的有效放大，进而增强晶体管对X射线的响应，提高X射线探测器的灵敏度。本发明对二维高集成X射线探测器，尤其是高灵敏X射线探测器的应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113912105B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202111392890.1
申请日：2021-11-23
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开一种制备和转移超薄大尺寸碘化铅纳米片的方法，该方法是通过将纯碘化铅粉末与超纯水按照一定比例混合均匀，在一定温度下进行加热搅拌，然后采用溶液法，将一定体积的溶液滴在一定温度下表面有金属镀层的衬底上，从而制备超薄的碘化铅纳米片；利用液面生长碘化铅纳米片的特点，将其引流或定向转移到目标衬底或样品上，可以实现无损超净转移超薄大尺寸碘化铅纳米片。本发明可以制备和转移尺寸50～200um,厚度3～20nm且具有单晶结构和高质量的超薄大尺寸碘化铅纳米片，对生长更多基于溶液法的纳米片有重要的借鉴意义，可以进一步研究分子动力学等物理机制，并且本发明提供的转移方法具有无损超净、可控性好、重复性高、产量高、成本低等优点，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN111446420A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010267531.2
申请日：2020-04-08
Applicant: 南京工业大学
IPC: H01M4/139 , H01M4/1397 , H01M4/04 , H01M4/13 , H01M4/136 , H01M10/0525
Abstract: 本发明属于电化学储能技术领域，涉及一种液态锂硫电池正极及其制备方法与锂硫电池。首先在手套箱中称取一定量的硫、硫化锂粉末溶解在一种有机溶剂中，搅拌，形成溶液，将上述溶液滴加在集流体上，组装成锂硫电池。本发明所制备的液态锂硫电池正极材料具有纯度高、分散均匀、制备过程简单和环保无害等特点，极大的简化了锂硫电池的组装流程，降低了生产成本，并极大的优化了锂硫电池的性能，通过简单液态滴加的方式也降低了电池生产成本，同时该液态的锂硫电池循环寿命达到500次，电池容量平均保持在约400mAh/g。
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公开(公告)号：CN110292943A
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201910583212.X
申请日：2019-07-01
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开一种通过尿素制备碳掺杂的金属氮化物的方法，属于先进化学材料技术领域。该方法是通过将金属氧化物与尿素按照一定比例混合均匀，在氩气或氮气气氛下，高温反应后制备出碳掺杂的金属氮化物。本发明所制备的碳掺杂的金属氮化物纯度高、微结构有序，且制备方法简单、成本低廉、环保无害。
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