公开(公告)号：CN119997651A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510193090.9

申请日：2025-02-21

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 张军然 ,  王琳 ,  毛子龙 ,  陈留沣 ,  史义永

IPC: H10F71/00 ,  H10F30/29 ,  H10F77/12 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于二维半导体晶体管实现高性能X射线探测的方法，通过栅压调控新型二维材料NbOI2晶体管实现优异的X射线探测性能的方法，属于光电信息领域。基于二维半导体NbOI2纳米片制备晶体管器件，利用其重原子对X射线优异的吸收特性，通过对晶体管施加栅压，实现优异的X射线探测性能。截止目前，该技术还没有被报道过，本发明是首次实现该技术。本发明主要基于栅极电压对二维半导体NbOI2纳米片载流子的高效调控特性，实现对X射线产生载流子数量的有效放大，进而增强晶体管对X射线的响应，提高X射线探测器的灵敏度。本发明对二维高集成X射线探测器，尤其是高灵敏X射线探测器的应用具有重要意义。