公开(公告)号：CN116154035A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211463726.X

申请日：2022-11-22

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 宋雪芬 ,  王琳 ,  袁甲枭 ,  张笑敏 ,  葛飞翔

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/032 ,  H01L21/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/368

Abstract: 本发明公开一种金属卤素钙钛矿超薄单晶纳米片的液‑气界面制备方法，属于半导体光电材料领域。所述无机钙钛矿的化学通式为A3B2I9，A为Cs，B为Sb或Bi。一种液‑气界面生长方法，通过向溶剂HI中额外添加I2来实现。I2的作用：(1)协助无机卤素钙钛矿实现液‑气界面生长；(2)调控材料厚度与横向尺寸的生长速率、大小和纵横比；(3)原位填补钙钛矿内部缺陷，不但可以提升材料稳定性，而且可以优化材料的荧光特性，提升光电响应率和探测率。该方法操作简便，成本低廉，首次实现了全无机卤素钙钛矿超薄纳米片的无支撑型制备。该方法所得产物极易被转移，大大简化了异质结堆叠和微纳光电子器件构筑的工艺流程。

公开(公告)号：CN115666217A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211362106.7

申请日：2022-11-02

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 王琳 ,  宋雪芬 ,  葛飞翔 ,  刘子聪 ,  顾恒硕

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明公开一种基于卤素杂化钙钛矿的自整流忆阻器，属于微电子制造及存储技术领域。所述自整流忆阻器是一种包括上电极、钙钛矿层、下电极的三层器件，在负电压扫描范围呈现出高、低两个阻态，而在正电压扫描范围始终保持在高阻态。所述忆阻器是依靠钙钛矿/金属界面瞬时形成的金属卤化物，钙钛矿可以与该卤化物形成p‑n结，反向p‑n结形成阻挡层，助推实现类二极管效应的自整流忆阻器。本发明首次基于钙钛矿材料体系实现了自整流忆阻器，丰富了钙钛矿忆阻器的功能特征，拓展了自整流忆阻器的材料选择范围，是一种低成本设计，可以满足高集成十字交叉阵列中存储单元的信息准确读取需求。