公开(公告)号：CN119923015A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510159002.3

申请日：2025-02-13

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 李金泽 ,  王琳 ,  宋雪芬 ,  杭阳 ,  谢海涛 ,  刘天宇

IPC: H10F71/00 ,  H10F77/14 ,  H10F30/222 ,  B82Y40/00 ,  H10F77/12

Abstract: 本发明公开一种基于双光活化层的超灵敏光电晶体管。本发明所述光电晶体管自下而上依次由栅电极（Si）、介质层（HfO2）、光活化离子层（PbI2）、沟道（WSe2）和源漏电极（Au）构成。本发明所述光电晶体管展现出极高的灵敏度优势：一方面，其满足极弱光环境下的测试需求，其探测的暗场光强比商用光电晶体管低4个数量级；另一方面，其响应度相较于商用产品高出4个数量级。本发明首次将PbI2这一光活化离子层引入传统基于传统二维材料的光电晶体管结构中，极大地提升了器件的灵敏度，为极暗场探测技术的发展提供了新的思路。

公开(公告)号：CN119907321A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202510132755.5

申请日：2025-02-06

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 赵柄昇 ,  王琳 ,  宋雪芬 ,  谢海涛 ,  刘天宇 ,  李金泽

IPC: H10F30/282 ,  H10F71/00 ,  H10F30/21 ,  H10F30/222 ,  H10F77/12

Abstract: 本发明提出了一种具有宽光谱响应特性的光电探测器及其制备方法和应用，器件采用Au/WSe2/PbI2/HfO2/Si的二维器件结构。器件制备流程如下：首先，通过溶液法在HfO2/Si衬底表面制备二维PbI2纳米片。接着，采用范德华集成工艺，在PbI2纳米片表面堆叠WSe2纳米片，制备WSe2/PbI2异质结构，此过程需高度精确操作，以保证异质界面清洁且紧密接触。随后，利用电子束曝光（EBL）与真空镀膜技术在WSe2/PbI2异质结构表面精确绘制并沉积金（Au）电极。该光电探测器展现出宽光谱探测特性，在紫外、可见光及近红外范围内均具有良好的光谱响应能力。为宽光谱成像、光通信等领域提供了坚实的物质基础和技术支持。

公开(公告)号：CN119604184A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411761162.7

申请日：2024-12-16

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 刘天宇 ,  王琳 ,  宋雪芬 ,  杭阳 ,  李金泽

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明公开一种具有突触模拟功能的整流忆阻器及其应用，属于人工智能领域。本发明忆阻器件采用三明治结构，依次由上层Ag电极、AgI与PbI2功能层及下层ITO电极构成。本发明所述忆阻器具有整流特性，有效解决了crossbar集成中的潜行电流难题，确保了阵列中器件数据的精确读取。同时本发明在循环的电脉冲下实现良好的神经突触功能，包括双脉冲抑制、双脉冲易化、长短程记忆响应和突触权重可塑性，可模仿人脑神经突触处理和学习工作行为等。本发明首次成功地将PbI2材料应用于实现整流、存储与神经形态模拟多功能一体化集成，为神经形态模拟及人工神经网络领域的应用开辟了新的可能。

公开(公告)号：CN116154035A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211463726.X

申请日：2022-11-22

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 宋雪芬 ,  王琳 ,  袁甲枭 ,  张笑敏 ,  葛飞翔

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/032 ,  H01L21/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/368

Abstract: 本发明公开一种金属卤素钙钛矿超薄单晶纳米片的液‑气界面制备方法，属于半导体光电材料领域。所述无机钙钛矿的化学通式为A3B2I9，A为Cs，B为Sb或Bi。一种液‑气界面生长方法，通过向溶剂HI中额外添加I2来实现。I2的作用：(1)协助无机卤素钙钛矿实现液‑气界面生长；(2)调控材料厚度与横向尺寸的生长速率、大小和纵横比；(3)原位填补钙钛矿内部缺陷，不但可以提升材料稳定性，而且可以优化材料的荧光特性，提升光电响应率和探测率。该方法操作简便，成本低廉，首次实现了全无机卤素钙钛矿超薄纳米片的无支撑型制备。该方法所得产物极易被转移，大大简化了异质结堆叠和微纳光电子器件构筑的工艺流程。

公开(公告)号：CN115666217A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202211362106.7

申请日：2022-11-02

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 王琳 ,  宋雪芬 ,  葛飞翔 ,  刘子聪 ,  顾恒硕

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明公开一种基于卤素杂化钙钛矿的自整流忆阻器，属于微电子制造及存储技术领域。所述自整流忆阻器是一种包括上电极、钙钛矿层、下电极的三层器件，在负电压扫描范围呈现出高、低两个阻态，而在正电压扫描范围始终保持在高阻态。所述忆阻器是依靠钙钛矿/金属界面瞬时形成的金属卤化物，钙钛矿可以与该卤化物形成p‑n结，反向p‑n结形成阻挡层，助推实现类二极管效应的自整流忆阻器。本发明首次基于钙钛矿材料体系实现了自整流忆阻器，丰富了钙钛矿忆阻器的功能特征，拓展了自整流忆阻器的材料选择范围，是一种低成本设计，可以满足高集成十字交叉阵列中存储单元的信息准确读取需求。