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公开(公告)号：CN119855221A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202510336276.5
申请日：2025-03-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及微电子制造技术领域。本发明利用阶梯型的叠层沟槽制备以及IPSLS的纳米线生长方式，实现自分层可寻址的三维堆叠纳米线集成并有利于制备可寻址的三维集成器件，能够大大提高集成密度，提升器件性能。同时本发明基于阶梯型的三维堆叠纳米线提出了一种CFET结构的制备方式，采用不同的催化金属在不同的阶梯层内生长不同类型的纳米线，而后对每个阶梯光刻定义并制备源漏金属，并沉积栅介质层和栅极薄膜层，能够通过一次生长制备多层沟道，从而在三维方向上实现CFET的多层堆叠并实现可寻址，大大提高了器件的集成密度，简化了制备流程、工艺稳定性及可靠性。
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公开(公告)号：CN117018448A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311003140.X
申请日：2023-08-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种插入式全可降解光电心脏起搏器的制备方法，包括：A、将直线型可降解衬底材料清洗干净，悬空放置于等离子体增强化学的气相沉积系统中，在衬底材料表面均匀沉积非晶硅光电单元；B、在A步中获得的样品表面上蒸镀导电纳米颗粒，之后沿径向剪开样品器件，暴露出结；或者，先将A步中获得的样品弯曲成所需形状，再在样品表面上蒸镀导电纳米颗粒，之后沿径向剪开样品器件，暴露出结。该光电起搏器具有良好的可降解性，使用后无需手术二次取出，且细金属丝插入对心肌损伤较小，可用于临床开胸手术后的临时心脏起搏，避免目前外接导线移除时存在心肌撕裂和穿孔的风险。
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公开(公告)号：CN114137719A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111454282.9
申请日：2021-12-01
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种偏转可控的纳米线微振镜，包括一对导电电极、悬空于两导电电极之间的弛豫型导电纳米线以及固定在弛豫型纳米线中间的反射镜片。所述的弛豫型导电纳米线形貌包括但不限于三角形、U形、圆形以及多边形。本发明的纳米线微振镜的支撑结构由传统硅材料制成，具有优异的力学性能，可在撤销偏转力后恢复到原始形状，实现稳定应用。
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公开(公告)号：CN110544656B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910885207.4
申请日：2019-09-19
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/683 , H01L27/15 , H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种利用超可拉伸晶态纳米线实现Micro‑LED巨量转移的方法，包括以下步骤：利用PECVD或者PVD工艺在衬底上淀积一层绝缘介质层作为牺牲层；利用光刻、电子束直写或者掩膜板技术定义台阶边缘，以及与Micro‑LED接触固定的区域，利用干法或湿法刻蚀工艺刻蚀绝缘介质层形成弹簧状垂直台阶侧壁；并沿着台阶刻蚀制作引导通道；在制备好的台阶一端，通过光刻、蒸发或者溅射工艺，局部淀积一层催化金属层；升高温度至催化金属熔点以上，通入还原性气体等离子体进行处理，使催化金属层转变为分离的金属纳米颗粒；本发明方法突破了长期以来限制微发光二极管的大规模制备和巨量转移的问题。
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公开(公告)号：CN111439722B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202010254025.X
申请日：2020-04-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种微测辐射热计，包括水平分布的平面半导体晶态纳米线阵列以及从下至上依次叠层于所述平面半导体晶态纳米线阵列上方的非晶硅层和氮化硅层，所述平面半导体晶态纳米线的两端设有金属电极。本发明改变了目前常见的微测辐射热计器件的结构，采用悬空的晶态纳米线作为支撑，悬空非晶硅(敏感层)氮化硅(光敏感层)，由于悬空晶态纳米线表面对热传导的限制，使得探测岛区能够很好地获得热绝缘，同时由于纳米线具有较低的电阻率，也可作为导电通道，极大的提高器件热性能到电性能的转变。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112599418A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011470043.8
申请日：2020-12-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种三维折线纳米线阵列垂直场效应晶体管的制备方法，包括：1）利用刻蚀技术在图形化衬底上刻蚀出三维台阶形状；2）在刻蚀有三维台阶的衬底上沉积质介质薄膜层后再次刻蚀使三维台阶附近异质侧壁暴露，然后利用选择性刻蚀在异质侧壁构造引导沟道；3）在异质侧壁构造的引导沟道内制备纳米级催化金属颗粒；4）在整个结构表面淀积覆盖与所需生长纳米线对应非晶半导体前驱体薄膜层；5）升高温度使纳米级催化金属颗粒引导沟道中由固态转变为液态，前端开始吸收非晶层，后端析出折线形晶态纳米线；6）以折线形晶态纳米线垂直部分为沟道区域，水平部分为源漏电极区域，制备短沟道场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN112420615A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011400917.2
申请日：2020-12-04
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L27/092 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种半导体结构制备方法，包括以下几个步骤：第一步，形成第一基材层和第二基材层，第一基材层由交替沉积的第一薄膜层和第二薄膜层组成，第二基材层由在第一基材层上交替沉积的第一薄膜层和第三薄膜层组成，所述第一薄膜层为硅的氧化物或者硅的氮化物薄膜，所述第二薄膜层为本征或者P型非晶层，所述第三薄膜层为N型非晶层，在第二薄膜层上刻蚀第一沟槽，第三薄膜层上刻蚀第二沟槽。
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公开(公告)号：CN109850843B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910193940.X
申请日：2019-03-14
Applicant: 南京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种悬空纳米线机械手批量制备方法，包括：基于IPSLS生长模式制备得到生长于光刻定义的坡面台阶边缘的纳米线阵列，而后在生长有硅纳米线的衬底上旋涂一层氧树脂胶体，并进行光刻图案的操作，再用湿法刻蚀除去衬底表面的非晶硅介质层，使得粘住纳米线阵列的环氧树脂胶体薄膜悬浮于溶液表面，与乙醇充分置换后利用干燥技术，即可制备得到自组装的悬空纳米线机械手阵列。本发明利用转移技术和临界点干燥技术将纳米线阵列转移至已光刻的可自支撑衬底，消除溶液表面张力的影响，保持纳米线机械手的原貌，最后得到可操作的悬空纳米线机械手阵列，可广泛应用于纳米机器人、生物医学的细胞检测和生物传感器等多种领域。
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公开(公告)号：CN111573618A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010435911.2
申请日：2020-05-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种螺旋回路磁头的制备方法，包括第一步，在导电衬底层上，定位制备预设高度、长度和宽度参数的基座；第二步，在所述基座上制备侧壁具有波纹状结构的硅柱；第三步，在样品表面制备一定厚度绝缘层；第四步，利用选择性刻蚀工艺，去除硅柱顶端绝缘层；第五步，定义催化金属沉积区域并沉积用作催化纳米线生长的金属层；第六步，利用IP-SLS纳米线生长模式，制备三维纳米线螺旋结构；第七步，在硅柱顶端和衬底层的绝缘层上分别定义电极区域，两个电极区域分别与三维纳米线螺旋结构的上、下端接触，然后沉积电极实现纳米线与电极和导电衬底层之间的连通。
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公开(公告)号：CN111312592A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010119441.9
申请日：2020-02-25
Applicant: 南京大学
Inventor： 余林蔚
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/10 , B82B3/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种三维自换行生长堆叠纳米线沟道及弹簧结构的制备方法，包括以下几个步骤：第一步，在目标衬底上定义掩模阵列；第二步，沿掩模阵列侧壁的轴向平行刻蚀一组预设间距的平行凹槽阵列的柱阵列；第三步，定义催化颗粒沉积区域，并在所述沉积区域沉积一层催化金属层；第四步，利用IP-SLS纳米线生长模式，借助所述催化金属层的催化金属液滴在所述平行凹槽阵列的结构柱上自回避换行生长，制备得到3D纳米线结构。本发明实现了三维高密度堆叠纳米线和三维纳米弹簧结构的制备，并可控制其形貌和结构取向。
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