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公开(公告)号：CN112599418A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011470043.8
申请日：2020-12-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种三维折线纳米线阵列垂直场效应晶体管的制备方法，包括：1）利用刻蚀技术在图形化衬底上刻蚀出三维台阶形状；2）在刻蚀有三维台阶的衬底上沉积质介质薄膜层后再次刻蚀使三维台阶附近异质侧壁暴露，然后利用选择性刻蚀在异质侧壁构造引导沟道；3）在异质侧壁构造的引导沟道内制备纳米级催化金属颗粒；4）在整个结构表面淀积覆盖与所需生长纳米线对应非晶半导体前驱体薄膜层；5）升高温度使纳米级催化金属颗粒引导沟道中由固态转变为液态，前端开始吸收非晶层，后端析出折线形晶态纳米线；6）以折线形晶态纳米线垂直部分为沟道区域，水平部分为源漏电极区域，制备短沟道场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN112420615A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011400917.2
申请日：2020-12-04
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L27/092 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种半导体结构制备方法，包括以下几个步骤：第一步，形成第一基材层和第二基材层，第一基材层由交替沉积的第一薄膜层和第二薄膜层组成，第二基材层由在第一基材层上交替沉积的第一薄膜层和第三薄膜层组成，所述第一薄膜层为硅的氧化物或者硅的氮化物薄膜，所述第二薄膜层为本征或者P型非晶层，所述第三薄膜层为N型非晶层，在第二薄膜层上刻蚀第一沟槽，第三薄膜层上刻蚀第二沟槽。
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公开(公告)号：CN114400248A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210041211.4
申请日：2022-01-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种精确引导生长高均一性直径纳米线的方法，包括以下几个步骤：通过PECVD于垂直方向交替沉积多层SiO2和Si3N4，形成纵向密排堆叠结构，等离子体刻蚀和酸处理后形成纵向侧壁引导凹槽；或者，在衬底上通过电子束曝光及刻蚀获得横向平面内密排引导沟槽；将整个衬底样品沉积非晶硅前驱体，非晶硅前驱体的厚度大于所述引导凹槽或者大于密排引导沟槽的深度以形成更好的前驱体覆盖；通过等离子体刻蚀技术，将所述引导凹槽或密排引导沟槽的表面、侧壁上的非晶硅前驱体刻蚀掉，仅保留引导凹槽或引导沟槽内部的非晶硅前驱体。
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公开(公告)号：CN112599418B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011470043.8
申请日：2020-12-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种三维折线纳米线阵列垂直场效应晶体管的制备方法，包括：1）利用刻蚀技术在图形化衬底上刻蚀出三维台阶形状；2）在刻蚀有三维台阶的衬底上沉积质介质薄膜层后再次刻蚀使三维台阶附近异质侧壁暴露，然后利用选择性刻蚀在异质侧壁构造引导沟道；3）在异质侧壁构造的引导沟道内制备纳米级催化金属颗粒；4）在整个结构表面淀积覆盖与所需生长纳米线对应非晶半导体前驱体薄膜层；5）升高温度使纳米级催化金属颗粒引导沟道中由固态转变为液态，前端开始吸收非晶层，后端析出折线形晶态纳米线；6）以折线形晶态纳米线垂直部分为沟道区域，水平部分为源漏电极区域，制备短沟道场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN112420615B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202011400917.2
申请日：2020-12-04
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L27/092 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种半导体结构制备方法，包括以下几个步骤：第一步，形成第一基材层和第二基材层，第一基材层由交替沉积的第一薄膜层和第二薄膜层组成，第二基材层由在第一基材层上交替沉积的第一薄膜层和第三薄膜层组成，所述第一薄膜层为硅的氧化物或者硅的氮化物薄膜，所述第二薄膜层为本征或者P型非晶层，所述第三薄膜层为N型非晶层，在第二薄膜层上刻蚀第一沟槽，第三薄膜层上刻蚀第二沟槽。
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