公开(公告)号：CN119855221A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202510336276.5

申请日：2025-03-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  钱文涛 ,  翁乐 ,  桑冠荞 ,  王军转

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/85 ,  H10D88/00

Abstract: 本发明涉及微电子制造技术领域。本发明利用阶梯型的叠层沟槽制备以及IPSLS的纳米线生长方式，实现自分层可寻址的三维堆叠纳米线集成并有利于制备可寻址的三维集成器件，能够大大提高集成密度，提升器件性能。同时本发明基于阶梯型的三维堆叠纳米线提出了一种CFET结构的制备方式，采用不同的催化金属在不同的阶梯层内生长不同类型的纳米线，而后对每个阶梯光刻定义并制备源漏金属，并沉积栅介质层和栅极薄膜层，能够通过一次生长制备多层沟道，从而在三维方向上实现CFET的多层堆叠并实现可寻址，大大提高了器件的集成密度，简化了制备流程、工艺稳定性及可靠性。

公开(公告)号：CN119698021B

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202510194397.0

申请日：2025-02-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  翁乐 ,  钱文涛 ,  王军转

IPC: H10D30/43 ,  H10D62/80 ,  H10D62/17 ,  H10D30/01 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及微电子制造技术领域。本发明公开了一种具有悬空纳米线结构的IGZO‑FET器件，悬空纳米线结构表面由内而外依次沉积有栅介质层，IGZO沟道层及源、漏电极层，悬空电极及其链接的悬空纳米线构成CAA IGZO‑FET器件的栅电极，悬空电极设有开孔区域用以对由悬空电极链接悬空纳米线形成的栅电极施加栅极电压；或悬空纳米线结构表面由内而外依次沉积有缓冲层，IGZO沟道层，源、漏电极层，栅介质层及栅电极层构成GAA IGZO‑FET器件。本发明获得的高驱动电流和低的亚阈值摆幅，有效提升了高性能IGZO晶体管的集成密度，适用于高清显示和高密度集成电路。

公开(公告)号：CN119698021A

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202510194397.0

申请日：2025-02-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  翁乐 ,  钱文涛 ,  王军转

IPC: H10D30/43 ,  H10D62/80 ,  H10D62/17 ,  H10D30/01 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及微电子制造技术领域。本发明公开了一种具有悬空纳米线结构的IGZO‑FET器件，悬空纳米线结构表面由内而外依次沉积有栅介质层，IGZO沟道层及源、漏电极层，悬空电极及其链接的悬空纳米线构成CAA IGZO‑FET器件的栅电极，悬空电极设有开孔区域用以对由悬空电极链接悬空纳米线形成的栅电极施加栅极电压；或悬空纳米线结构表面由内而外依次沉积有缓冲层，IGZO沟道层，源、漏电极层，栅介质层及栅电极层构成GAA IGZO‑FET器件。本发明获得的高驱动电流和低的亚阈值摆幅，有效提升了高性能IGZO晶体管的集成密度，适用于高清显示和高密度集成电路。

公开(公告)号：CN118412284A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410509551.4

申请日：2024-04-25

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  翁乐 ,  钱文涛 ,  王军转

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种具备超高等效迁移率的硅纳米线栅控晶体管器件的制备方法，包括利用光刻技术定义栅极图案，并利用蒸发、溅射工艺沉积导电栅极连接超密周期性回转结构的晶态纳米线；在所述晶态纳米线‑导电栅极连接结构上沉积介质层；定位沉积沟道层，所述超密周期性回转结构的晶态纳米线位于所述沟道层下方，对所述沟道层具有栅控作用；定位源极、漏极区域，沉积导电源极层、漏极层得到由硅纳米线栅控的具备超高等效迁移率的晶体管器件。本发明利用纳米线材料栅控沟道层，能够获得兼具高集成度和高迁移率的TFT，有望突破长期以来显示技术中超高分辨率和超快刷新率技术矛盾的关键瓶颈，引领显示技术向多维度共同发展。