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公开(公告)号：CN109850843B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910193940.X
申请日：2019-03-14
Applicant: 南京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种悬空纳米线机械手批量制备方法，包括：基于IPSLS生长模式制备得到生长于光刻定义的坡面台阶边缘的纳米线阵列，而后在生长有硅纳米线的衬底上旋涂一层氧树脂胶体，并进行光刻图案的操作，再用湿法刻蚀除去衬底表面的非晶硅介质层，使得粘住纳米线阵列的环氧树脂胶体薄膜悬浮于溶液表面，与乙醇充分置换后利用干燥技术，即可制备得到自组装的悬空纳米线机械手阵列。本发明利用转移技术和临界点干燥技术将纳米线阵列转移至已光刻的可自支撑衬底，消除溶液表面张力的影响，保持纳米线机械手的原貌，最后得到可操作的悬空纳米线机械手阵列，可广泛应用于纳米机器人、生物医学的细胞检测和生物传感器等多种领域。
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公开(公告)号：CN109904308A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910191517.6
申请日：2019-03-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过纳米线环结构实现电操控磁读写存储功能的方法，首先，在衬底上利用光刻和刻蚀技术定义所需要的纳米线引导生长沟道的图案；通过金属液滴引导的生长模式，顺延引导台阶边缘生长纳米线形成纳米环结构；然后，在样品表面蒸镀或者涂布一层磁性薄膜材料，仅保留纳米环附近的磁性薄膜材料；在纳米线两端利用制备电极；最后，通过在纳米线中通过适当电流，可在纳米环中产生感应磁场，使得磁性薄膜中的磁畴发生定向翻转，从而实现对磁性介质的电操控“写入”操作，反之亦可实现相应的擦除；本发明由于消除了对移动读写磁头的需求，此电操控磁读写单元可以在垂直方向上实现多层堆叠，从而实现高密度的3D存储应用。
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公开(公告)号：CN109850843A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910193940.X
申请日：2019-03-14
Applicant: 南京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种悬空纳米线机械手批量制备方法，包括：基于IPSLS生长模式制备得到生长于光刻定义的坡面台阶边缘的纳米线阵列，而后在生长有硅纳米线的衬底上旋涂一层氧树脂胶体，并进行光刻图案的操作，再用湿法刻蚀除去衬底表面的非晶硅介质层，使得粘住纳米线阵列的环氧树脂胶体薄膜悬浮于溶液表面，与乙醇充分置换后利用干燥技术，即可制备得到自组装的悬空纳米线机械手阵列。本发明利用转移技术和临界点干燥技术将纳米线阵列转移至已光刻的可自支撑衬底，消除溶液表面张力的影响，保持纳米线机械手的原貌，最后得到可操作的悬空纳米线机械手阵列，可广泛应用于纳米机器人、生物医学的细胞检测和生物传感器等多种领域。
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公开(公告)号：CN109904308B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201910191517.6
申请日：2019-03-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过纳米线环结构实现电操控磁读写存储功能的方法，首先，在衬底上利用光刻和刻蚀技术定义所需要的纳米线引导生长沟道的图案；通过金属液滴引导的生长模式，顺延引导台阶边缘生长纳米线形成纳米环结构；然后，在样品表面蒸镀或者涂布一层磁性薄膜材料，仅保留纳米环附近的磁性薄膜材料；在纳米线两端利用制备电极；最后，通过在纳米线中通过适当电流，可在纳米环中产生感应磁场，使得磁性薄膜中的磁畴发生定向翻转，从而实现对磁性介质的电操控“写入”操作，反之亦可实现相应的擦除；本发明由于消除了对移动读写磁头的需求，此电操控磁读写单元可以在垂直方向上实现多层堆叠，从而实现高密度的3D存储应用。
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