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公开(公告)号：CN108288651A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810062341.X
申请日：2018-01-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种全磁控溅射制备全透明顶栅结构薄膜晶体管的方法。室温下依次用射频磁控溅射在衬底上沉积一层Al2O3缓冲层，用射频磁控溅射沉积一层Nd-IZO半导体层，用直流磁控溅射沉积一层ITO源漏电极，用射频磁控溅射沉积一层Al2O3栅极绝缘层，用直流磁控溅射沉积一层ITO栅电极；整个器件在大气环境下350℃～400℃热退火1h，并自然冷却，得到全透明顶栅结构薄膜晶体管。本方法能实现只用磁控溅射设备制备顶栅结构薄膜晶体管，且器件具有优异的正负偏压稳定性和光照稳定性。
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公开(公告)号：CN107880650B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201711175627.0
申请日：2017-11-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于印刷电子领域，公开了一种混合溶剂的喷墨打印墨水及其制备方法。所述喷墨打印墨水由聚合物的良溶剂、聚合物的非良溶剂、聚合物和八水合氯氧化锆组成；所述聚合物为聚丙烯酰胺或聚乙烯醇。其制备方法为：往聚合物的良溶剂中加入聚合物，搅拌使其充分溶解，然后加入聚合物的非良溶剂搅拌混合均匀，再加入八水合氯氧化锆搅拌溶解，陈化后得到所述喷墨打印墨水。本发明通过选用一种聚合物的良溶剂和一种聚合物的非良溶剂的混合溶剂体系，一定程度上改善了含聚合物墨水的喷墨状态，且对墨水的功能性无太大影响，所得喷墨打印墨水在大剂量的应用中同样具有出色的均匀性。
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公开(公告)号：CN108288651B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201810062341.X
申请日：2018-01-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种全磁控溅射制备全透明顶栅结构薄膜晶体管的方法。室温下依次用射频磁控溅射在衬底上沉积一层Al2O3缓冲层，用射频磁控溅射沉积一层Nd‑IZO半导体层，用直流磁控溅射沉积一层ITO源漏电极，用射频磁控溅射沉积一层Al2O3栅极绝缘层，用直流磁控溅射沉积一层ITO栅电极；整个器件在大气环境下350℃～400℃热退火1h，并自然冷却，得到全透明顶栅结构薄膜晶体管。本方法能实现只用磁控溅射设备制备顶栅结构薄膜晶体管，且器件具有优异的正负偏压稳定性和光照稳定性。
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公开(公告)号：CN109887991A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910135861.3
申请日：2019-02-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种叠层硅掺杂氧化锡薄膜晶体管及其制备方法。所述叠层硅掺杂氧化锡薄膜晶体管包括依次层叠的衬底、栅极、栅极绝缘层、第一层有源层、第二层有源层和源漏电极；其中第一层有源层为硅的质量百分含量为0～3％的硅掺杂氧化锡，第二层有源层为硅的质量百分含量为5～10％的硅掺杂氧化锡。本发明采用硅掺杂氧化锡半导体材料作为有源层材料，通过搭配不同硅掺杂含量氧化锡有源层材料，制备叠层有源层结构，调控器件沟道中的载流子，获得良好的器件性能。
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公开(公告)号：CN109524469A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811219278.2
申请日：2018-10-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于晶体管技术领域，公开了一种基于少层氧化亚锡的场效应晶体管及其制备方法。将尺寸大于200μm的大尺寸氧化亚锡晶体均匀洒在胶带上，通过胶带反复撕揭的机械剥离法剥离少层氧化亚锡晶体，然后转移到干净的硅片衬体上；在硅片衬体上旋涂一层电子束光刻胶，然后通过电子束光刻的方法得到源、漏电极图形，通过电子束蒸镀源、漏电极，得到基于少层氧化亚锡的场效应晶体管。本发明将少层氧化亚锡作为半导体有源层应用于场效应晶体管，并采用电子束光刻技术制备源、漏电极，具有操作可控性强，实验精度高的优点，有源层与源、漏电极之间的接触会很致密，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109402735A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811062169.4
申请日：2018-09-12
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于场效应晶体管技术领域，具体涉及一种少层单晶氧化亚锡及其制备方法与应用。所述少层单晶氧化亚锡的制备方法包括以下步骤：以晶粒尺寸大于100μm的三维单晶氧化亚锡为原料，将其均匀洒在胶带的一部分上；将胶带中洒有所述三维单晶氧化亚锡的部分与空白部分对折挤压，然后撕开，重复所述对折挤压和撕开操作直至得到所述少层单晶氧化亚锡。所述少层单晶氧化亚锡可用于制备场效应晶体管。本发明采用的方法实验操作简单，所需的药品以及实验仪器都是普通常见的，不需要作特殊处理。并且所制得的少层单晶SnO不易受到污染，形状规则，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN109390411A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201811146879.5
申请日：2018-09-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/22 , H01L29/221 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种叠层有源层薄膜晶体管及其制备方法。所述叠层有源层薄膜晶体管由依次层叠的玻璃基板、Al:Nd薄膜栅极、Al2O3:Nd栅极绝缘层、AZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及Al源漏电极构成。本发明采用射频磁控溅射沉积制备得到了AZO半导体层、Al2O3半导体修饰层，构成AZO/Al2O3有源层，AZO薄膜含有的元素为Al、Zn、O，这三种元素资源丰富，且都无毒无害，可以很好的响应当下提倡的绿色环保要求，与此同时可实现大面积的生产，且制备过程不需要加热处理。
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公开(公告)号：CN109346456A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811019125.3
申请日：2018-09-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于薄膜电极材料领域，公开了一种显示用电子器件铜互连布线电极及其制备方法。所述铜互连布线电极包括衬底及衬底上的铜合金薄膜层，所述铜合金薄膜的材料成分由Cu、Cr、Zr和Pr组成。以磁控溅射方法、自溅射方法、离子溅射方法、化学气相沉积方法、蒸发方法或电化学方法在衬底上沉积铜合金薄膜层，得到显示用电子器件铜互连布线电极。本发明的制备方法简单，所制备的导电电极具有结合强度高，电阻率低的特点。
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公开(公告)号：CN108900676A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810913832.0
申请日：2018-08-13
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于电子设备技术领域，公开了一种全面屏手机及实现全面屏显示的方法。所述全面屏手机包括全面屏和与全面屏相连接的外壳体，所述全面屏为全透明显示屏，手机的前置摄像头和其他光线或图像感知功能模块设置于全透明显示屏下，所述前置摄像头和其他光线或图像感知功能模块可直接透过全面屏对光线或图像实现感知。本发明的全面屏手机无需给前置摄像头和其它光线或图像感知功能模块预留安置位置，并结合无边框等技术，可以极大提高全面屏设备的屏占比，可以达到接近100％的屏占比，无刘海、外观美观，且不需要可伸缩支撑件即能实现前置拍照等功能，使用方便。
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公开(公告)号：CN108288643A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810077682.4
申请日：2018-01-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于电子器件的技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管栅极及其制备、氧化物薄膜晶体管。所述栅极，由依次叠设的铜合金层和三氧化二铝层组成，且三氧化二铝层靠近薄膜晶体管中栅极绝缘层；所述铜合金层包含铬和锆。方法：(1)在衬底上沉积铜合金薄膜，作为栅极主体层；(2)在铜合金薄膜上沉积三氧化二铝薄膜。氧化物薄膜晶体管由下至上依次包括衬底、铜合金层、三氧化二铝层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极。本发明的氧化物薄膜晶体管栅极具有成本低廉，结合强度高，电阻率低，电学稳定性好，工艺简单的优点。
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