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公开(公告)号：CN108396313A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810078909.7
申请日：2018-01-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明属于喷墨打印电子器件的技术领域，公开了一种减少喷墨打印薄膜表面裂纹的热处理方法。热处理方法为：(1)溶液的配制：采用溶剂将聚合物和金属氧化物的前驱体配成溶液；所述溶液为添加了聚合物的能够采用溶胶凝胶法成膜的体系；所述聚合物为水溶性聚合物；(2)喷墨打印薄膜：将步骤(1)的溶液喷墨打印成膜，获得凝胶化薄膜；(3)热处理：将凝胶化薄膜于60～80℃干燥15～48h，然后梯度退火，最后高温热处理，获得打印薄膜。本发明的热处理方法减少了喷墨打印薄膜表面裂纹，使得所制备的薄膜表面平整与致密，提高了薄膜的性能。
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公开(公告)号：CN107507866B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201710582068.9
申请日：2017-07-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/22
Abstract: 本发明属于柔性显示器件技术领域，公开了一种多晶氧化物柔性薄膜晶体管及其制备方法。所述多晶氧化物柔性薄膜晶体管由依次层叠的硬质衬底、柔性衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源/漏电极构成，所述有源层具有诱导层和多晶氧化物半导体层的双层结构，其中诱导层位于栅极绝缘层一侧。本发明的薄膜晶体管有源层具有诱导层和多晶氧化物半导体层的双层结构，通过诱导层表面的金属离子诱导多晶氧化物半导体晶化，改善结晶性，提升薄膜晶体管的性能，能够在室温下实现高性能的柔性薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN109524469B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201811219278.2
申请日：2018-10-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24
Abstract: 本发明属于晶体管技术领域，公开了一种基于少层氧化亚锡的场效应晶体管及其制备方法。将尺寸大于200μm的大尺寸氧化亚锡晶体均匀洒在胶带上，通过胶带反复撕揭的机械剥离法剥离少层氧化亚锡晶体，然后转移到干净的硅片衬体上；在硅片衬体上旋涂一层电子束光刻胶，然后通过电子束光刻的方法得到源、漏电极图形，通过电子束蒸镀源、漏电极，得到基于少层氧化亚锡的场效应晶体管。本发明将少层氧化亚锡作为半导体有源层应用于场效应晶体管，并采用电子束光刻技术制备源、漏电极，具有操作可控性强，实验精度高的优点，有源层与源、漏电极之间的接触会很致密，可以有效改善场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN108336135B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201810213140.5
申请日：2018-03-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/49 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种钕铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由基板、金属栅极、栅极绝缘层、Nd‑IZO半导体有源层、氧化物绝缘体钝化层和金属源漏电极构成。本发明在IZO半导体靶材中引入一定比例的Nd元素掺杂，通过室温溅射工艺沉积Nd‑IZO高载流子浓度有源层薄膜，结合超薄Al2O3钝化层对电场下的载流子运输进行控制，可以优化器件的电学性能，以获得高性能的薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN109887991B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910135861.3
申请日：2019-02-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种叠层硅掺杂氧化锡薄膜晶体管及其制备方法。所述叠层硅掺杂氧化锡薄膜晶体管包括依次层叠的衬底、栅极、栅极绝缘层、第一层有源层、第二层有源层和源漏电极；其中第一层有源层为硅的质量百分含量为0～3％的硅掺杂氧化锡，第二层有源层为硅的质量百分含量为5～10％的硅掺杂氧化锡。本发明采用硅掺杂氧化锡半导体材料作为有源层材料，通过搭配不同硅掺杂含量氧化锡有源层材料，制备叠层有源层结构，调控器件沟道中的载流子，获得良好的器件性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110228818A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910481472.6
申请日：2019-06-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: C01G19/02
Abstract: 本发明属于晶体材料制备技术领域，公开了一种形貌可控大尺寸氧化亚锡晶体材料的制备方法。将SnCl2·2H2O作为溶质，溶解在稀盐酸中，然后滴加NaOH溶液，调节溶液pH值至11.8～12.3，将所得溶液在恒温箱中50～100℃加热处理，得到黑色沉淀物质，用乙醇和去离子水依次洗涤，干燥得到目标产物。本发明提供形貌可控、大尺寸晶体氧化亚锡半导体材料的制备方法，利用溶胶凝胶机理。这种方法实验操作简单，所需的药品都为绿色环保且价格低廉。并且所制得的氧化亚锡晶体形状规则且尺寸大。加热处理采用恒温箱来调控，长出来的晶体尺寸更大，且实现了形貌的可控，效果更为明显。
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公开(公告)号：CN108735821A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810527382.1
申请日：2018-05-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种镨铟锌氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由基板、金属栅极、栅极绝缘层、Pr-IZO半导体有源层、氧化物绝缘体钝化层和金属源漏电极构成。本发明通过在IZO半导体中引入Pr元素掺杂，通过室温溅射工艺沉积Pr-IZO有源层薄膜，结合超薄Al2O3钝化层对电场下的载流子运输进行控制，在室温下实现高迁移率、高电流开关比的氧化物薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN108493237A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810353578.3
申请日：2018-04-19
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/45 , H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于显示器件领域，公开了一种AZO源漏电极透明薄膜晶体管及其制备方法。将基底清洗，烘干预处理后在基底上通过等离子体增强化学气相沉积制备ITO栅极和Si3N4栅极绝缘层；在栅极绝缘层上使用脉冲直流磁控溅射沉积IGZO半导体层；然后使用射频磁控溅射在半导体层上沉积Al2O3半导体修饰层；最后在室温下使用脉冲激光沉积AZO源漏电极，得到AZO源漏电极透明薄膜晶体管。本发明通过激光脉冲沉积室温制备AZO源漏电极，在降低薄膜电阻率的同时且兼有优良的透明度，极大地提高了TFT的器件性能。
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公开(公告)号：CN108231907A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810072557.4
申请日：2018-01-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/417
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管技术领域，公开了一种具有全铝透明源漏电极的透明薄膜晶体管及其制备方法。所述薄膜晶体管由依次层叠的玻璃衬底、ITO栅极、Si3N4栅极绝缘层、IGZO半导体层、Al2O3半导体修饰层以及两侧的源漏电极构成，所述Si3N4栅极绝缘层完全覆盖ITO栅极，所述源漏电极由内至外依次具有AZO/Al/AZO/Al/AZO的五层堆叠结构，源漏电极最内层与Si3N4栅极绝缘层、IGZO半导体层和Al2O3半导体修饰层两侧均接触。本发明的源漏电极为AZO/Al/AZO/Al/AZO五层堆叠结构，能够降低薄膜的接触电阻率并实现高透光性。
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公开(公告)号：CN107805787A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201710785172.8
申请日：2017-09-04
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种脉冲直流溅射波形调控半导体薄膜成分的方法。所述方法为：将基板清洗和烘干，然后送入磁控溅射设备真空仓中，进行抽气，使本底真空度达到目标值；设置溅射参数，调控脉冲波形的频率和占空比，在室温下对IGZO靶材进行脉冲直流溅射，得到所述IGZO半导体薄膜。本发明的方法不需要热处理等额外工艺，只需通过调制脉冲波形，在室温下对同一块IGZO靶材进行脉冲直流溅射，具有工艺简单、耗时短、节约能源和适用于工业生产的发展潜力，以及能够实现人为调控半导体薄膜特性以应用于不同领域的技术优势。
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