-
公开(公告)号：CN109897447A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910187207.7
申请日：2019-03-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: C09D11/03 , C09D11/033 , C09D11/36 , C09D11/38
Abstract: 本发明属于薄膜器件制备技术领域，公开了一种可低温印刷氧化物绝缘薄膜的制备方法。将氧化物前驱体材料溶解于良溶剂中，取样进行TG/DSC测试，选取挥发温度、致密化温度＜200℃的墨水，然后进行粘度和张力测试，加入辅助溶剂，调节墨水粘度和张力，再通过TG/DSC测试确定退火温度；通过紫外吸收曲线测试确定最大吸收波段；将所得墨水体系印刷成膜，在确定的退火温度下进行热退火处理，然后采用最大吸收波段的紫外光进行处理，得到氧化物绝缘薄膜。本发明通过一系列有效的测试分析，从物理化学的角度对前驱体、溶剂选择以及后处理参数进行了筛选和优化，获得可低温印刷氧化物绝缘薄膜，对大面积柔性电子设备的发展具有推动作用。
-
公开(公告)号：CN107369719A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710739074.0
申请日：2017-08-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/44
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/44 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 本发明属于电子器件制备技术领域，公开了一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极及其制备方法。所述制备方法为：在有源层上依次沉积刻蚀缓冲层、黏附阻挡层和纯Cu薄膜；旋涂光刻胶，曝光显影，保留有源沟道顶部一半的光刻胶；依次刻蚀非有源沟道区的纯Cu薄膜、黏附阻挡层、刻蚀缓冲层和有源层；除去有源沟道顶部保留的光刻胶，使纯Cu薄膜暴露出来；刻蚀纯Cu薄膜层和黏附阻挡层，使其图形化形成TFT的源漏电极；除去有源沟道表面的刻蚀缓冲层；除去源漏电极表面的光刻胶。通过引入C膜作为刻蚀缓冲层，可避免刻蚀纯铜源漏电极时对氧化物有源层的破坏，同时可以避免铜刻蚀时双氧水基刻蚀液使用，降低生产成本和安全风险。
-
公开(公告)号：CN106992120A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710229717.7
申请日：2017-04-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于电子器件材料制备技术领域，公开了一种显示用电子器件高导电联耦合电极及其制备方法。所述方法包括如下制备步骤：(1)在衬底上沉积5～200nm厚度的铜合金薄膜作为粘附阻挡层；(2)在铜合金薄膜上沉积5～1000nm厚的纯铜薄膜。步骤(1)和步骤(2)完成后可选择性在温度100～500℃的条件下进行退火0.5～2h。所述铜合金薄膜的材料成分包括铜、铬和锆。本发明制备的高导电联耦合电极具有高结合强度，低电阻率，刻蚀兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。
-
公开(公告)号：CN104505423A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410657646.7
申请日：2014-11-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0296 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/022425 , H01L31/0296 , H01L31/035281 , H01L31/1828
Abstract: 本发明提供一种溶液法加工的倒置结构CdTe纳米晶异质结高效太阳电池及其制备方法。所述太阳电池由下到上依次由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、n型层、光活性层和阳极叠层而成；所述的光活性层厚度为100~700 nm，由一层或多层CdTe纳米晶层组成；所述的n型层为CdSe薄膜。本发明大幅提高碲化镉-硒化镉全无机纳米晶异质结太阳电池的能量转化率，提高器件的开路电压和填充因子，大大延长了器件寿命。本发明制备工艺简单，主要过程均可在普通的通风橱内溶液加工完成，且使用较低温度热处理，大大减少了制作成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN206697449U
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201720367604.9
申请日：2017-04-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本实用新型属于电子器件技术领域，公开了一种显示用电子器件高导电联耦合电极。所述电极由依次层叠的衬底、粘附阻挡层和导电层构成，所述粘附阻挡层为厚度为5～200nm的铜合金薄膜层，所述导电层为厚度为5～1000nm的纯铜薄膜层。本实用新型制备的高导电联耦合电极在衬底和纯铜薄膜导电层之间设置铜合金粘附阻挡层，起到了增强结合强度和阻挡铜原子扩散的双重作用。所得高导电联耦合电极具有与基板结合强度高、电阻率低的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN207217551U
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201721070207.1
申请日：2017-08-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/44
Abstract: 本实用新型公开了一种氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极。所述的氧化物薄膜晶体管纯铜复合结构源漏电极包括依次沉积在有源层上的刻蚀缓冲层、黏附阻挡层和纯Cu电极层；所述刻蚀缓冲层为碳膜，所述黏附阻挡层为钛膜，所述纯Cu电极层为纯Cu薄膜。本实用新型中通过引入C膜作为刻蚀缓冲层，可避免刻蚀纯铜源漏电极时对氧化物有源层的破坏，同时可以避免铜刻蚀时双氧水基刻蚀液使用，降低生产成本和安全风险。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN207217542U
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201720864085.7
申请日：2017-07-17
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/49 , H01L21/285
Abstract: 本实用新型属于电子器件技术领域，公开了一种显示用电子器件铜合金电极。所述铜合金电极由依次层叠的衬底、铜合金薄膜导电主体层和纯铝薄膜缓冲阻挡层构成，所述导电主体层厚度为20～1000nm，缓冲阻挡层的厚度为5～200nm。本实用新型制备的铜合金电极具有高结合强度，低电阻率，与绝缘层兼容性好，工艺简单，成本低廉的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN207517700U
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201721502998.0
申请日：2017-11-13
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/34
Abstract: 本实用新型属于显示器件领域，公开了一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管由衬底、衬底上设置的栅极、栅极表面包覆的绝缘层、绝缘层上表面的有源层、有源层两侧的源漏电极和最外层的钝化层构成；所述源漏电极与有源层和绝缘层两侧及衬底上表面接触，所述钝化层覆盖源漏电极和有源层外表面。本实用新型的薄膜晶体管中，钝化层除了具有保护作用外，还具有与有源层共同作用，提高载流子浓度和加速载流子传输，从而提高迁移率的作用。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号：CN207517697U
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201720913631.1
申请日：2017-07-26
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/786
Abstract: 本实用新型公开了一种高性能薄膜晶体管，其底部是衬底，衬底上设置一栅极，栅极的四周有一绝缘层包覆隔绝，绝缘层之上是有源层，有源层之上是富铟层；该薄膜晶体管的最外层是钝化层，钝化层与富铟层、有源层、绝缘层、衬底围成的区域分别是含铜的源电极和漏电极；在本实用新型的薄膜晶体管中，富铟层提高了载流子浓度和加速载流子的传输，从而提高迁移率；所述的源电极和漏电极含有铜，含铜电极具有低的电阻率，能够有效降低阻抗延迟。本实用新型的薄膜晶体管使用真空法制备，制备方法简单，有利于大规模生产。所制得的薄膜晶体管同时具有高迁移率、高稳定性和低电阻率源/漏电极的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.023 seconds)
