高熔点金属粒分散成形焊料的制造方法

    公开(公告)号:CN101001716A

    公开(公告)日:2007-07-18

    申请号:CN200580026759.6

    申请日:2005-05-09

    Inventor: 上岛稔 石井隆

    Abstract: 现有的成形焊料制造方法是在熔融焊料中直接投入规定量的高熔点金属粒,之后使高熔点金属粒分散,因此需要搅拌很长时间。为此在现有的成形焊料制造方法中,高熔点金属粒会熔进熔融焊料中而粒径变小。若是用这种粒径变小的成形焊料进行半导体元件和电路板的软钎焊,则软钎焊部间变窄,得不到充分的接合强度。在本发明中,首先制作高熔点金属粒的配合量多的混合母合金,将该混合母合金投入熔融焊料中并使高熔点金属粒分散,因此能够在短时间内使高熔点金属粒均一地分散在焊料中。因此,由本发明的成形焊料制造方法得到的成形焊料,由于能够使软钎焊部间保有规定的间隙,所以接合强度充分。

    金属烧结接合体和芯片接合方法

    公开(公告)号:CN109643663A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201780051107.0

    申请日:2017-08-17

    Inventor: 竹政哲 上岛稔

    Abstract: 提供热循环耐性和散热性优异的金属烧结接合体。对于本发明的金属烧结接合体,将基板与芯片接合,金属烧结接合体与芯片对置的矩形状区域的至少中央部和角部具有低于矩形状区域的平均孔隙率的低孔隙率区域,低孔隙率区域位于以矩形状区域的对角线为中心线的带状区域内。

    各向异性导电材料
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103106951B

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201310016360.6

    申请日:2008-03-12

    Inventor: 上岛稔

    Abstract: 本发明解决以下技术问题:在以往的使用低熔点粒子作为导电性粒子的各向异性导电材料中,必须具有良好的导通性的上下方向的导体间的电导率却低,而必须具有高绝缘电阻的相邻导体间的绝缘电阻却低。本发明采用以下技术手段解决技术问题:在本发明的各向异性导电材料中,低熔点粒子的固相线温度为125℃以上,且峰值温度为200℃以下,并且固相线温度与峰值温度的温度差为15℃以上;另外,混入的低熔点粒子之中大的低熔点粒子的最大径比相邻导体间隔的1/4小。

    各向异性导电材料
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103106951A

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:CN201310016360.6

    申请日:2008-03-12

    Inventor: 上岛稔

    Abstract: 本发明解决以下技术问题:在以往的使用低熔点粒子作为导电性粒子的各向异性导电材料中,必须具有良好的导通性的上下方向的导体间的电导率却低,而必须具有高绝缘电阻的相邻导体间的绝缘电阻却低。本发明采用以下技术手段解决技术问题:在本发明的各向异性导电材料中,低熔点粒子的固相线温度为125℃以上,且峰值温度为200℃以下,并且固相线温度与峰值温度的温度差为15℃以上;另外,混入的低熔点粒子之中大的低熔点粒子的最大径比相邻导体间隔的1/4小。

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