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公开(公告)号：CN119069381A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310632341.X
申请日：2023-05-30
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明一种石墨烯晶圆的转移方法，包括：在直接生长于生长基底上的石墨烯晶圆表面形成封装层；在所述封装层上旋涂粘合胶形成粘合胶层，再贴合具有粘性的支撑衬底，得到支撑衬底/封装层/石墨烯晶圆/生长基底复合结构；将支撑衬底/封装层/石墨烯晶圆与所述生长基底分离，得到支撑衬底/封装层/石墨烯晶圆复合结构；将所述支撑衬底/封装层/石墨烯晶圆复合结构贴合至目标衬底；热处理分离所述支撑衬底与所述封装层，得到封装层/石墨烯晶圆/目标衬底复合结构；其中，所述封装层为三氧化二锑层。本发明用封装材料转移石墨烯晶圆的方法，实现石墨烯晶圆的无损、洁净、大面积转移和封装。
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公开(公告)号：CN118201451A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211599931.9
申请日：2022-12-12
Abstract: 本发明公开了一种单晶石墨烯晶圆薄膜的转移方法。本发明的转移方法能够实现石墨烯晶圆的无损转移，完整度大于>90％。本发明的转移方法兼容石墨烯的层层转移，可实现1‑100层的均匀石墨烯晶圆的转移。此外，此转移方法操作简便快速，可在15分钟内轻松完成。
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公开(公告)号：CN116789127A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310890378.2
申请日：2023-07-19
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面旋涂高分子薄膜；在高分子薄膜上贴合热释放胶带TRT，形成TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜/金属基底复合结构；将TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜与金属基底分离；将TRT/高分子薄膜/石墨烯薄膜贴合至目标衬底；加热释放热释放胶带TRT，得到高分子薄膜/石墨烯薄膜/目标衬底复合结构，将去除TRT后的高分子薄膜/石墨烯薄膜/目标衬底复合结构继续保持在热台上；用水洗涤去除高分子薄膜，得到石墨烯薄膜/目标衬底复合结构。对石墨烯薄膜的损坏程度更小，可以得到完整度更高的石墨烯薄膜，且操作简便、原料环保，有利于工业化。
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公开(公告)号：CN114804079B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110073600.0
申请日：2021-01-20
IPC: C01B32/182 , C01B32/194
Abstract: 本发明公开一种石墨烯薄膜的转移方法，包括：在直接生长于金属基底上的石墨烯薄膜表面形成辅助转移层，得到辅助转移层/石墨烯薄膜/金属基底复合体；除去所述金属基底，得到辅助转移层/石墨烯薄膜复合体；将所述辅助转移层/石墨烯薄膜复合体的石墨烯薄膜侧面向目标衬底贴合；以及用有机溶剂除去所述辅助转移层；其中所述辅助转移层为聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层。该方法利用聚碳酸丙烯酯层或聚ε‑己内酯层转移石墨烯薄膜，由于PPC或PCL与石墨烯表面相互作用弱且易溶于多种有机溶剂，可容易地将其从薄膜表面去除而不留下残留，因而可提高薄膜表面的洁净度。同时通过转移可获得多褶皱石墨烯薄膜，褶皱密度可达每100μm2内50‑60条。
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公开(公告)号：CN117049525A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210487750.0
申请日：2022-05-06
IPC: C01B32/19
Abstract: 本发明公开了一种将金属铜箔表面生长的高品质石墨烯薄膜无损洁净地转移至多种功能衬底的普适性方法。该方法无需使用丙酮等有机溶剂去除转移媒介，实现石墨烯薄膜的高效洁净的无损转移。该方法通过调控石墨烯与目标衬底间的界面结合力，使转移媒介层与石墨烯薄膜的结合力小于转移媒介层与剥离膜之间的结合力，实现从石墨烯薄膜表面直接剥离转移媒介层。无需丙酮等有机试剂的参与，即可成功实现石墨烯薄膜的无损洁净转移。该方法获得的石墨烯薄膜完整度高达99％，洁净度高，且整个转移过程无需使用有机溶液，工艺简单、环保，有望用于大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117048134A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210494886.4
申请日：2022-05-07
IPC: B32B9/00 , B32B9/04 , B32B27/30 , B32B27/36 , B32B27/08 , B32B7/12 , B32B37/12 , B32B37/10 , B32B38/10 , B32B38/16 , B32B37/06 , B65D65/40 , C09J169/00
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯复合薄膜材料及其制备方法，所述石墨烯复合薄膜材料为：在一种高分子透明复合膜上设有至少一层石墨烯，所述高分子透明复合膜由高分子衬底和聚合物胶层两层结构组成；所述高分子透明复合膜与石墨烯层之间通过粘合剂相连；若复合膜上有多层石墨烯，则相邻石墨烯层间直接相连，不需任何粘合剂。本发明制备的石墨烯复合薄膜突破了以往高分子材料对于水蒸气和氧气阻隔性能的局限，同时具有出色的透光性和柔韧性，能够满足OLED器件封装，医药、食品包装等应用需求。
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公开(公告)号：CN208440698U
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201820925014.8
申请日：2018-06-14
Abstract: 本实用新型提供了一种石墨烯的清洁装置，包括动力系统和滚轮；所述动力系统包括动力轴；所述滚轮表面设置有吸附剂；所述滚轮能够在所述动力轴的作用下对所述石墨烯的表面进行滚压吸附处理。本实用新型一实施方式的石墨烯的清洁装置，通过具有吸附性的滚轮对石墨烯表面进行滚压处理，可以获得超洁净石墨烯。
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公开(公告)号：CN119974736A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510170909.X
申请日：2025-02-17
Applicant: 北京大学
IPC: B32B37/12 , C09J123/08 , B32B37/10 , B32B37/06 , B32B38/10 , B32B9/04 , B32B27/36 , B32B27/30 , B32B27/08 , B32B7/12
Abstract: 本发明提供一种水氧阻隔膜的制备方法及水氧阻隔膜，属于材料技术领域，其中方法包括：在金属基底上制备六方氮化硼与无定形六方氮化硼的复合结构；通过在复合结构的无定形六方氮化硼层表面涂覆有机胶层，以将复合结构的无定形六方氮化硼层表面与柔性衬底黏附贴合，得到复合结合体；去除复合结合体的金属基底，并将六方氮化硼层露出的表面作为材料连接面，得到复合结构膜；通过在一复合结构膜的材料连接面涂覆二维材料层，以与另一复合结构膜的材料连接面贴合，得到水氧阻隔膜。利用本发明，能够解决现有技术中存在的转移媒介去除时有残留、损坏阻隔膜，致使阻隔膜性能下降等问题。
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公开(公告)号：CN108726510B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710260014.0
申请日：2017-04-20
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/186 , G01N23/22 , G01Q60/24
Abstract: 本发明公开了一种大面积超洁净石墨烯及其宏量制备方法与其洁净度的快速评估方法。所述超洁净石墨烯的宏量制备方法包括采用化学气相沉积的步骤；在生长基底的上方设置泡沫铜。所述快速评估大面积石墨烯洁净度的方法包括如下步骤：在石墨烯样品上沉积纳米颗粒；根据所述纳米颗粒的沉积情况，即实现对所述石墨烯样品洁净度的评估。通过泡沫铜的引入，可以得到连续面积在微米级别的超洁净石墨烯，有效地减少了生长过程中引入的无定型吸附物。亚厘米级单晶石墨烯(即单个畴区)经过进一步生长可以拼接为单层石墨烯薄膜，此时单层石墨烯薄膜样品面积只与铜箔大小有关，从而能够实现大面积制备，可推广至大规模生产。
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公开(公告)号：CN109422260A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201710761253.4
申请日：2017-08-30
Applicant: 北京大学
IPC: C01B32/196 , C01B32/30
Abstract: 本发明公开了一种基于活性炭复合物制备超洁净石墨烯的方法。所述活性炭复合物按照包括如下步骤的方法制备：活性炭粉末、粘结剂和极性溶剂混合形成浆料；将所述浆料涂于多孔状固体上即得。利用所述活性炭复合物制备超洁净石墨烯时，按照如下步骤进行：利用化学气相沉积法制备石墨烯；利用所述活性炭复合物粘附所述石墨烯上的污染物，即得到超洁净石墨烯。本发明提供的多孔的活性炭复合物能够将石墨烯表面原子级厚度的污染物清除干净，使得石墨烯的洁净度达到98％及以上；从而降低石墨烯表面电子、声子散射，提高石墨烯的迁移率、热导率，降低石墨烯与金属电极之间的接触电阻，对于石墨烯的电子器件、光电子器件和散热器件的性质提高极有帮助。
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