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公开(公告)号：CN117049525A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210487750.0
申请日：2022-05-06
IPC: C01B32/19
Abstract: 本发明公开了一种将金属铜箔表面生长的高品质石墨烯薄膜无损洁净地转移至多种功能衬底的普适性方法。该方法无需使用丙酮等有机溶剂去除转移媒介，实现石墨烯薄膜的高效洁净的无损转移。该方法通过调控石墨烯与目标衬底间的界面结合力，使转移媒介层与石墨烯薄膜的结合力小于转移媒介层与剥离膜之间的结合力，实现从石墨烯薄膜表面直接剥离转移媒介层。无需丙酮等有机试剂的参与，即可成功实现石墨烯薄膜的无损洁净转移。该方法获得的石墨烯薄膜完整度高达99％，洁净度高，且整个转移过程无需使用有机溶液，工艺简单、环保，有望用于大规模生产。
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