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公开(公告)号：CN102531605A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010596428.9
申请日：2010-12-20
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/565 , C04B35/626
Abstract: 一种高热导率SiC基微波衰减材料，该材料由W和两种具有不同电阻率的SiC组成，其中W的含量为0～15wt.％，具有低电阻率的SiC的含量为3～40wt.％，其余为具有高电阻率的SiC。其制备方法为：将纯度为高纯Si粉和C粉混合后进行烧结，改变烧结的气体气氛制得高纯SiC粉和掺杂N的SiC粉，将高纯SiC粉、掺杂N的SiC粉与W粉混合后在1900℃～2100℃、氩气气氛下热压烧结，热压的压力为20～100Mpa。然后将热压后的材料在2100～2200℃、1大气压的氩气气氛下热处理。该微波衰减材料在室温的热导率大于120W/m·K，在8-40GHz介电常数ε达到20以上，损耗角正切tgθ＞0.1。
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公开(公告)号：CN101658968B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910093251.8
申请日：2009-09-23
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了属于用于射频能量衰减等技术领域的一种镍锌铁氧体与无氧铜基板的焊接方法。首先将镍锌铁氧体在空气中进行烧渗银层使其金属化，形成10-20μm厚的过渡层，然后使用Sn-Ag合金焊料将镍锌铁氧体与无氧铜在真空下进行焊接，焊接温度为300-380℃。本发明的镍锌铁氧体与无氧铜基板的焊接方法避免了由于钎焊温度过高引起的铁氧体断裂以及铁氧体性能的恶化，从而解决了镍锌基铁氧体吸收器在制备中遇到的问题。此低温焊接方法可以扩展到其它铁氧体与无氧铜或不锈钢的焊接应用中，使其得到更为广泛的应用价值。
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公开(公告)号：CN101337812B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200810118319.9
申请日：2008-08-13
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/47 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明属微波陶瓷制备技术领域，特别涉及一种压控可调钛酸锶钡基复合陶瓷材料及其制备方法。本发明采用Ba1-xSrxTiO3与低介电常数、低介电损耗的Mg1-yZnyO相复合，并加入少量的Ta2O5对(1-m)Ba1-xSrxTiO3-mMg1-yZnyO复合陶瓷进行掺杂改性来满足介电常数适中、低微波介电损耗和较高的压控可调性等压控可调微波陶瓷的性能要求。用固相反应法或共沉淀包覆法制得钛酸锶钡基复合陶瓷粉体，再用不加任何成型剂的冷等静压成型及常压烧结工艺获得高致密、高纯净度的陶瓷块体。本发明压控可调钛酸锶钡基复合陶瓷材料适用于相控阵移相器、可调滤波器、延迟线、振荡器、共振器等微波器件。
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公开(公告)号：CN100590101C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200810104411.X
申请日：2008-04-18
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种氧化铪掺杂氧化铈栅电介质材料及其制备方法，本发明主要采用传统的陶瓷烧结技术将10～20%摩尔的氧化铪掺杂到氧化铈中，在1400℃下高温烧结，得到相应的氧化铪掺杂氧化铈陶瓷靶材，随后采用激光脉冲沉积技术，在经过标准RCA清洗过程后的n型Si片上沉积氧化铈掺杂氧化铪薄膜。本发明制备的氧化铈掺杂氧化铪介电陶瓷薄膜为单晶薄膜，与衬底材料的取向关系为(111)HDC//(001)Si和[110]HDC//[110]Si；并且具有非常小的漏电流密度，适于做高κ栅介质使用。
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公开(公告)号：CN101337812A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810118319.9
申请日：2008-08-13
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/47 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明属微波陶瓷制备技术领域，特别涉及一种压控可调钛酸锶钡基复合陶瓷材料及其制备方法。本发明采用Ba1－xSrxTiO3与低介电常数、低介电损耗的Mg1－yZnyO相复合，并加入少量的Ta2O5对(1－m)Ba1－xSrxTiO3－mMg1－yZnyO复合陶瓷进行掺杂改性来满足介电常数适中、低微波介电损耗和较高的压控可调性等压控可调微波陶瓷的性能要求。用固相反应法或共沉淀包覆法制得钛酸锶钡基复合陶瓷粉体，再用不加任何成型剂的冷等静压成型及常压烧结工艺获得高致密、高纯净度的陶瓷块体。本发明压控可调钛酸锶钡基复合陶瓷材料适用于相控阵移相器、可调滤波器、延迟线、振荡器、共振器等微波器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101295612A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810114587.3
申请日：2008-06-06
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明提供一种无金属底托的环状真空吸气元件的制备方法，属真空吸气元件制备领域。制备工艺为：首先用无水乙醇及加拿大胶制备粘结剂溶液，再将粘结剂溶解液慢慢加入到吸气剂粉末中混至均匀，并制成不同粒度组成的吸气剂球形颗粒，将制备的球形颗粒经烘干后，在环形模具中加压，压制成环状坯件，将此环状坯件在真空状态下去除粘结剂，最后将去除粘结剂的环状坯件在真空炉中进行高温烧结，降温出炉后便制得无金属底托环状吸气元件。其优点在于节省了底托金属，简化了工艺操作，降低了制作成本，便于感应加热，吸气元件的激活温度容易控制；去掉金属底托，在同等重量前提下相当于增加了吸气剂的净含量，相对提高了吸气元件单位重量的吸气性能。
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公开(公告)号：CN1971979A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200510123747.7
申请日：2005-11-22
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及可用于低温镍氢电池的贮氢合金材料及其电池。可用于低温镍氢电池的贮氢合金材料的成分组成为：LaxCeyPrzNimConMnuAlv，其中x＝0.16～0.5，y＝0.12～0.81，z＝0.03～0.59，m＝3.7～3.8，n＝0.55～0.6，u＝0.25～0.45，v＝0.1～0.25。采用本发明负极贮氢材料与现有负极贮氢材料相比具有低温容量高等特点。
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公开(公告)号：CN109942195A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201711389364.3
申请日：2017-12-20
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种具有高介电常数低介电损耗的玻璃陶瓷及其制备方法。该玻璃陶瓷的化学成分组成为：xBaO-ySrO-zPbO-wTiO2-vSiO2-tNb2O5，其中的x、y、z、w、v、t表示各成分的摩尔比例，分别为：2.5≤x≤14，14≤y≤20，0≤z≤10，4≤w≤12，16≤v≤22，10≤t≤30。其制备方法是：将上述成分对应的原料按照所述摩尔比例进行配料、混料，在1450℃的高温下保温3个小时形成熔融的玻璃液，然后将玻璃液制成玻璃片，玻璃片经过可控结晶热处理，得到本发明的玻璃陶瓷。本发明的玻璃陶瓷具有高的介电常数、低的介电损耗，适合用作高压电容器介质。
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公开(公告)号：CN109868467A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201711265538.5
申请日：2017-12-04
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种铝合金表面抗辐射加固复合涂层的制备方法，包括以下步骤：(1)对基材铝合金表面进行预处理；(2)将预处理后的铝合金片固定至不锈钢球磨罐底部，将钨粉、铝粉或铝合金粉按配比混合后放入球磨罐中，不锈钢磨球与粉料重量比为5∶1，使用行星式球磨机在真空或氩气保护的环境中以转速为100转/分钟球磨1小时，再以转速为300转/分钟高能球磨5～20小时，即可得到的铝合金表面抗辐射加固复合涂层；(3)采用真空热压致密化处理的方法进行致密化；(4)经表面修整和机加工得到铝合金表面抗辐射加固复合涂层。采用本发明的方法制备的铝合金表面抗辐射加固复合涂层，具有致密度高、界面结合力强、屏蔽性能好的特点，具有较大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN106676333B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201611129388.0
申请日：2016-12-09
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种属于封装材料领域的具有抗辐射加固功能的高导热电子封装材料。所述封装材料是一种Al‑W‑Si三元体系的复合材料，其中W的质量分数为20～40％，Si的质量分数为10～60％，其余为Al，该材料的密度为2.9～4.01g/cm3，热导率为130～200W/(m×K)，热膨胀系数为8～19×10‑6/K，厚度为2mm的该材料对40KeV能量的X射线屏蔽效能超过75％，对60KeV能量的X射线屏蔽效能超过40％。本发明制备的封装材料具有低比重、高热导率、低膨胀系数的特性，同时兼具抗辐射加固性能，可以满足某些特殊应用环境下对器件小型化、轻量化和多功能集成的要求。
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