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公开(公告)号：CN101734915A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810227251.8
申请日：2008-11-25
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种可变热辐射陶瓷材料和制备方法，特别涉及一种锰酸锶镧基智能热辐射材料及其制备方法。本发明的锰酸锶镧基智能热辐射材料的组成和配比如下：La1-xSrxMnO3，x＝0.16-0.18；或La1-xCaxMnO3，x＝0.20-0.40；或La1-(x1+x2)Srx1Cax2nO3，x1＝0.10-0.13；x2＝0.09-0.11。本发明采用溶胶-凝胶法制备颗粒度在100nm以下的超细LSMO基陶瓷粉，降低了烧结温度，缩短烧结时间，提高LSMO基复合陶瓷膜的均匀性和平整度，减少烧结缺陷；同时减少了LSMO基复合陶瓷膜从ZrO2基底上剥落的概率，并减少该复合膜在烧结过程中产生开裂的可能性。
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公开(公告)号：CN100416896C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200510123747.7
申请日：2005-11-22
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及可用于低温镍氢电池的贮氢合金材料及其电池。可用于低温镍氢电池的贮氢合金材料的成分组成为：LaxCeyPrzNimConMnuAlv，其中x＝0.16～0.5，y＝0.12～0.81，z＝0.03～0.59，m＝3.7～3.8，n＝0.55～0.6，u＝0.25～0.45，v＝0.1～0.25。采用本发明负极贮氢材料与现有负极贮氢材料相比具有低温容量高等特点。
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公开(公告)号：CN101734907B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200910242480.1
申请日：2009-12-16
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/04 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种过渡族元素掺杂的钛酸锶钡基复合陶瓷，其组成包括40wt％的xM-Ba0.6Sr0.4TiO3和60wt％的MgO，其中M为过渡金属，x为过渡金属M与Ba0.6Sr0.4TiO3的摩尔比，取值范围为0.25％～1.25％。由于过渡族元素的掺杂，提高了M-Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO复合陶瓷的压控可调率，大幅度降低了微波介电损耗，同时陶瓷块体的击穿场强均大于28kV/mm，完全可以满足微波介质材料的使用要求。
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公开(公告)号：CN101734922B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200810227383.0
申请日：2008-11-27
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C23C14/35 , C04B35/581 , C04B41/88 , H01P1/22
Abstract: 本发明涉及一种微波衰减器材料及制备方法，特别涉及一种应用于真空条件下的绿色环保微波衰减器材料及制备技术，属于微波电子真空技术领域。本发明的高导热微波衰减器材料，包括金属相Mo或W：1.65～2.01vol.％(磁控溅射镀膜)；介质相AlN：93～96vol.％；烧结助剂CaF2：2～5vol.％。本发明的微波衰减器材料导热率高、气孔率低、机械强度高、均匀性及一致性高且无毒、无污染，此材料可以满足在较宽频段内，至少有20dB的反射衰减量。
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公开(公告)号：CN101734922A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810227383.0
申请日：2008-11-27
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/581 , C04B41/88 , H01P1/22
Abstract: 本发明涉及一种微波衰减器材料及制备方法，特别涉及一种应用于真空条件下的绿色环保微波衰减器材料及制备技术，属于微波电子真空技术领域。本发明的高导热微波衰减器材料，包括金属相Mo或W：1.65～2.01vol.％(磁控溅射镀膜)；介质相AlN：93～96vol.％；烧结助剂CaF2：2～5vol.％。本发明的微波衰减器材料导热率高、气孔率低、机械强度高、均匀性及一致性高且无毒、无污染，此材料可以满足在较宽频段内，至少有20dB的反射衰减量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101851720A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200910080974.4
申请日：2009-03-31
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种微波衰减器材料及其制备方法，特别涉及一种AlN-Mo微波衰减器材料及其制备方法，属于微波电子真空技术领域，其包括金属相Mo：20～25vol.％；烧结助剂CaF2：2～5vol.％；其余为介质相AlN；采用浆料包覆法制备AlN-Mo复合粉体，再经过单向轴压成型，然后进行冷等静压成型，得到AlN-Mo复合生坯；将生坯置于ZrO2或AlN坩埚中进行氮气氛下常压烧结，即得到AlN-Mo复合块体材料。本发明方法降低了烧结温度，缩短了烧结时间，提高了金属-介质复合微波衰减材料的烧结致密度，利于批量生产；可获得高致密度、无缺陷及均匀性、一致性好的金属-介质微波衰减器材料。
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公开(公告)号：CN101748319A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810239845.0
申请日：2008-12-19
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及一种抗电子辐射屏蔽材料及其制备方法，所述抗电子屏蔽材料包括Mo或W作为高Z金属相，其量为15-35vol.％；AlN为低Z介质相，其量为85-65vol.％。本发明的抗电子辐射屏蔽材料是具有高的屏蔽效率、高导热率、绝缘的高能电子屏蔽材料，此材料具有比高原子序数金属(钽、钨、铅等)更高的屏蔽效率，可以使电子辐照沉积剂量降低两个数量级以上，并且不破坏元器件原有的散热条件，保证元器件工作时芯片的温度满足正常工作的要求。
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公开(公告)号：CN101734907A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910242480.1
申请日：2009-12-16
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/04 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种过渡族元素掺杂的钛酸锶钡基复合陶瓷，其组成包括40wt％的xM-Ba0.6Sr0.4TiO3和60wt％的MgO，其中M为过渡金属，x为过渡金属M与Ba0.6Sr0.4TiO3的摩尔比，取值范围为0.25％～1.25％。由于过渡族元素的掺杂，提高了M-Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO复合陶瓷的压控可调率，大幅度降低了微波介电损耗，同时陶瓷块体的击穿场强均大于28kV/mm，完全可以满足微波介质材料的使用要求。
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公开(公告)号：CN101337812B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200810118319.9
申请日：2008-08-13
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/47 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明属微波陶瓷制备技术领域，特别涉及一种压控可调钛酸锶钡基复合陶瓷材料及其制备方法。本发明采用Ba1-xSrxTiO3与低介电常数、低介电损耗的Mg1-yZnyO相复合，并加入少量的Ta2O5对(1-m)Ba1-xSrxTiO3-mMg1-yZnyO复合陶瓷进行掺杂改性来满足介电常数适中、低微波介电损耗和较高的压控可调性等压控可调微波陶瓷的性能要求。用固相反应法或共沉淀包覆法制得钛酸锶钡基复合陶瓷粉体，再用不加任何成型剂的冷等静压成型及常压烧结工艺获得高致密、高纯净度的陶瓷块体。本发明压控可调钛酸锶钡基复合陶瓷材料适用于相控阵移相器、可调滤波器、延迟线、振荡器、共振器等微波器件。
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公开(公告)号：CN101337812A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810118319.9
申请日：2008-08-13
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C04B35/47 , C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明属微波陶瓷制备技术领域，特别涉及一种压控可调钛酸锶钡基复合陶瓷材料及其制备方法。本发明采用Ba1－xSrxTiO3与低介电常数、低介电损耗的Mg1－yZnyO相复合，并加入少量的Ta2O5对(1－m)Ba1－xSrxTiO3－mMg1－yZnyO复合陶瓷进行掺杂改性来满足介电常数适中、低微波介电损耗和较高的压控可调性等压控可调微波陶瓷的性能要求。用固相反应法或共沉淀包覆法制得钛酸锶钡基复合陶瓷粉体，再用不加任何成型剂的冷等静压成型及常压烧结工艺获得高致密、高纯净度的陶瓷块体。本发明压控可调钛酸锶钡基复合陶瓷材料适用于相控阵移相器、可调滤波器、延迟线、振荡器、共振器等微波器件。
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