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公开(公告)号：CN1494168A
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN02145972.X
申请日：2002-10-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种本发明采用以无机盐为前驱物的溶胶。凝胶法制备YBCO涂层导体用CeO2隔离层。以Ce(NO3)3·6H2O和(NH2)2CO作为起始原料配成水溶液，利用水浴加热使其水解形成溶胶，把该溶胶涂覆在金属基底上，在干燥脱水后进行1000－1200℃高温热处理，恒温10－60分钟，随炉冷却，制得YBCO涂层导体用CeO2隔离层，膜层均匀、致密、平整，且具有一定织构。
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公开(公告)号：CN101736296A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810225973.X
申请日：2008-11-07
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种在金属基带上连续制备YBCO超导层的方法，包括：(1)在连续制备YBCO超导层的设备的真空腔体中，将带有隔离层的金属基带固定在不锈钢引带上；(2)以YBCO为靶材，靶基距为35～60mm；(3)在抽真空前调整激光光路，使激光聚焦于靶位，并位于金属基带正下方；(4)抽真空至真空腔体内的真空度优于3×10-4Pa，且将金属基带加热至750～820℃；再向真空腔体内通入氧气，并控制纯氧气氛为10～60Pa；(5)使金属基带匀速运动，用脉冲激光沉积方法在带有隔离层的金属基带上制备YBCO薄膜；(6)将制得有YBCO薄膜的金属基带进行原位退火，即在带有隔离层的金属基带上制成YBCO超导层。使用激光法制备的YBCO薄膜不仅有良好的织构和表面形貌，更有高的电性能，沉积速率可达到200nm/min。
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公开(公告)号：CN100545302C
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200610089044.1
申请日：2006-07-31
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种生长立方织构氧化钇膜层的方法，包括：(1)将具有立方织构的金属衬底，或具有立方结构或赝立方结构的单晶衬底进行清洁处理；(2)清洗后的上述衬底置于磁控溅射沉积腔体中，抽真空至腔体的背底真空小于或等于5×10-4Pa。将衬底加热至500-820℃，再充氩气至腔体气压1×10-1Pa-8×10-1Pa。以Y金属为溅射靶材，采用直流磁控溅射沉积方法，开始预溅射；(3)预溅射20分钟后，通入水气，使沉积腔体内的水含量控制在1×10-3-8×10-3Pa，，并调控制沉积腔体内压力至1Pa-5Pa，开始正式溅射沉积，沉积完后，即得氧化钇膜。所制得的氧化钇隔离层具有单一立方织构，以满足在其上外延生长其它隔离层并生长YBCO涂层的需要。
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公开(公告)号：CN101117701A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200610089045.6
申请日：2006-07-31
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种电子束蒸发在移动基片上制备立方织构Y2O3薄膜的方法。将单晶基片、Ni或Ni合金基片粘贴或焊接在可以移动的不锈钢基带上，然后抽腔体真空至小于3×10－4Pa，随后将加热器温度升至500℃～700℃，通入O2或水气，将腔体气压调至4～7×10－3Pa，开电子枪电源，使电子束轰击坩埚内纯钇金属表面，调整好工艺参数，同时待气压、束流、膜料蒸发速率及基带移动速率稳定后，移开样品挡板，开始沉积Y2O3薄膜。最后得到具有强立方织构的Y2O3薄膜，该薄膜平整致密。
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公开(公告)号：CN101117700A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200610089048.X
申请日：2006-07-31
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种金属基带上连续生长的多层立方织构氧化物隔离层，是在具有立方织构的金属基带上依次有氧化钇膜、钇稳定二氧化锆膜、二氧化铈膜三层膜。一种连续生长多层立方织构氧化物隔离层的制备方法，包括：(1)将金属基带清洁处理；(2)将金属基带缠绕放带轮和收带轮上；(3)以Y金属为溅射靶材，预溅射；(4)使金属基带经过沉积区，溅射沉积氧化钇；(5)以Zr－Y金属为溅射靶材，预溅射；(6)使金属基带经过沉积区，溅射沉积钇稳定二氧化锆；(7)以金属Ce为溅射靶材，预溅射；(8)使金属基带经过沉积区，溅射沉积二氧化铈。该方法以水气代替氧气作为反应气体。制得的多层隔离层具有单一立方织构，满足外延生长YBCO涂层的需要。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100342560C
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN02145972.X
申请日：2002-10-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明公开了一种本发明采用以无机盐为前驱物的溶胶。凝胶法制备YBCO涂层导体用CeO2隔离层。以Ce(NO3)3·6H2O和(NH2)2CO作为起始原料配成水溶液，利用水浴加热使其水解形成溶胶，把该溶胶涂覆在金属基底上，在干燥脱水后进行1000-1200℃高温热处理，恒温10-60分钟，随炉冷却，制得YBCO涂层导体用CeO2隔离层，膜层均匀、致密、平整，且具有一定织构。
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公开(公告)号：CN1239725C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN01141893.1
申请日：2001-09-18
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种多晶立方织构无磁性铜镍合金基带，其特征在于：该铜镍合金基带中的镍的重量百分比为15%-40%，该基带在涂层超导带材应用条件下不具有磁性；该基带具有单一组分立方织构或双轴织构{100} 。其方法将高纯度铜和镍采用中频感应熔炼成锭坯；室温下锻造成坯料；定向轧制总加工率≥95%，道次变形量为10%-20%；高温高真空或者N2中结晶退火，退火温度为750℃-1000℃。该基带以满足在此类基带上外延生长高质量钇钡铜氧YBCO厚膜的需要。
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公开(公告)号：CN1630115A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200310121357.7
申请日：2003-12-15
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01L39/24
Abstract: 一种多层双轴取向隔离层结构及高温超导涂层导体和制备方法。隔离层结构包括种子层，阻挡层和帽子层。它主要为在立方织构金属镍表面，通过氧化外延生长立方织构氧化镍种子层，再在其上生长钇稳定二氧化锆(YSZ)阻挡层和二氧化铈CeO2帽子层。这种双轴取向隔离层结构用于高温超导涂层导体，可使YBCO涂层沿双轴取向生长，具有良好的超导电性，获得超导临界电流密度Jc＞4×105A/cm2。该方法包括：将具有高度立方织构的金属镍片进行清洁处理；在高温炉中恒温、氧化；采用真空沉积方法进行二氧化锆生长、CeO2生长、YBCO生长；进行YBCO退火而制成。该方法成本低，适宜大规模长带生产，制备手段易连续化。
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公开(公告)号：CN1408889A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN01141893.1
申请日：2001-09-18
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 一种多晶立方织构无磁性铜镍合金基带，其特征在于：该铜镍合金基带中的镍的含量小于40重量％，该基带在涂层超导带材应用条件下不具有磁性；该基带具有单一组分立方织构或双轴织构{100} 。其方法将高纯度铜和镍采用中频感应熔炼成锭坯；室温下锻造成坯料；定向轧制总加工率≥95％，道次变形量为10％－20％；高温高真空或者N2或A2中结晶退火，退火温度为750℃－1000℃。该基带以满足在此类基带上外延生长高质量钇钡铜氧YBCO厚膜的需要。
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公开(公告)号：CN2844137Y
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200520106339.6
申请日：2005-08-25
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C23C14/56
Abstract: 本实用新型公开了一种多功能连续镀膜装置，由真空镀膜单元装置、泵抽系统、气路及控制系统组成，所述的真空镀膜单元装置包括一真空镀膜室，其下方布控有电子枪、热蒸发电极，下侧方设立一对磁控溅射靶；还配有一基带卷绕系统，该基带卷绕系统由分置在真空镀膜室两侧的放带室、收带室构成。它还配有机架，真空镀膜单元装置固定在其上，泵抽系统安置在其内；机架的两侧有用于活性固定放带室、收带室的小支架台。所述的真空室内装有样品挡板、电子枪挡板、热蒸发舟挡板和靶挡板。在电子枪与热蒸发舟之间、热蒸发舟与热蒸发舟之间均设有固定挡板。本装置可用于在长带上开发多种材料多层膜。
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