公开(公告)号：CN1239725C

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN01141893.1

申请日：2001-09-18

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 杨坚 ,  史锴 ,  刘慧舟 ,  舒勇华 ,  胡广勇

IPC: C22C9/06 ,  C22F1/08

Abstract: 一种多晶立方织构无磁性铜镍合金基带，其特征在于：该铜镍合金基带中的镍的重量百分比为15%-40%，该基带在涂层超导带材应用条件下不具有磁性；该基带具有单一组分立方织构或双轴织构{100} 。其方法将高纯度铜和镍采用中频感应熔炼成锭坯；室温下锻造成坯料；定向轧制总加工率≥95%，道次变形量为10%-20%；高温高真空或者N2中结晶退火，退火温度为750℃-1000℃。该基带以满足在此类基带上外延生长高质量钇钡铜氧YBCO厚膜的需要。

公开(公告)号：CN1408889A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN01141893.1

申请日：2001-09-18

Applicant: 北京有色金属研究总院

Inventor： 杨坚 ,  史锴 ,  刘慧舟 ,  舒勇华 ,  胡广勇

IPC: C22C9/06 ,  C22F1/08

Abstract: 一种多晶立方织构无磁性铜镍合金基带，其特征在于：该铜镍合金基带中的镍的含量小于40重量％，该基带在涂层超导带材应用条件下不具有磁性；该基带具有单一组分立方织构或双轴织构{100} 。其方法将高纯度铜和镍采用中频感应熔炼成锭坯；室温下锻造成坯料；定向轧制总加工率≥95％，道次变形量为10％－20％；高温高真空或者N2或A2中结晶退火，退火温度为750℃－1000℃。该基带以满足在此类基带上外延生长高质量钇钡铜氧YBCO厚膜的需要。