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公开(公告)号：CN113176293A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110334082.3
申请日：2021-03-29
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种采用点阵接触方式测量异质结界面热导率的结构及方法，属于半导体材料及器件的电学和热学测试技术领域。所处测量结构包括：测温芯片和被测样品，其中测温芯片包括由多个二极管或肖特基结串联形成的测温端，以及由多晶硅图形的微加热器结构；被测样品由两种半导体材料及其异质结构界面组成，表面经过光刻等工艺处理，形成均匀分布的矩形矩阵。本发明通过设计一种测温芯片，将测温芯片与被测材料通过点阵矩阵的接触方式，通过测温芯片采集温度响应曲线，对被测材料建立热仿真模型并迭代异质结界面热导率进行求解，直至模型解与实际采集的温度响应曲线一致，即可提取出被测材料异质结界面的热导率。
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公开(公告)号：CN110501380A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910680388.7
申请日：2019-07-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种逐层推移测量多层材料热阻的方法属于电子器件电学和热学测量技术领域。装置包括被测材料，热源，温度采集设备和计算机。所述方法测量了热源温度随时间变化的曲线，即瞬态热响应曲线；然后，根据传统结构函数方法得到的热阻信息，进一步构造薄层材料前各层材料的热响应曲线，并将其从总的曲线中剔除，从而提取出薄层的热阻信息。本发明区分出了两个热时间常数相近的材料，提高了特殊情况下薄层热阻测量精度。
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公开(公告)号：CN109738777A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910003679.2
申请日：2019-01-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 一种双极型晶体管器件热阻构成测量装置与方法，属于双极型晶体管器件可靠性设计和测试领域。本发明设计了集电极-地连接高速开关和发射极-地连接高速开关，通过这两个开关实现测量基极-集电极(VBC)压降，由此得到双极型晶体管温升与热阻构成。测试中，首先得到温敏参数；然后给被测双极型晶体管器件施加工作电压，使器件升温，待器件达到稳定状态，断开工作电压，接通测试电流，采集基极-集电极的电压，对应得到器件降温曲线，再使用结构函数法处理分析，就可以得到双极型晶体管的热阻构成。本发明提出一种不同于目前其他仪器测量基极-发射极(VBE)压降的方法，测量方式更加合理，测量结果更加准确。
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公开(公告)号：CN109541428A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811546935.4
申请日：2018-12-18
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: G01R31/2601 , G01R1/02 , G01R31/2621 , G01R31/2628
Abstract: 一种采用源漏短接减少HEMT热阻测量自激振荡的方法和装置，属于半导体器件电学和热学测量技术领域。所述装置包括：HEMT热阻测试仪、防自激电路、测试平台和被测HEMT器件。所述方法包括：将被测HEMT安装于防自激电路中，固定在测试平台上，并与HEMT热阻测试仪相连接，在测试过程中，通过采用防自激振荡技术，大幅度减少HEMT器件自激振荡的发生，从而实现HEMT器件的稳定加热及测量，同时采用一种快速开关技术，在测量前快速短路HEMT源漏两端，减少由于防自激振荡电路引入的各项电学参数，如电容、电感等，对切换时间带来的影响，提高测量结果的准确性。本发明可实现HEMT结温及热阻的稳定测量，并具有较好的通用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117074893A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310809170.3
申请日：2023-07-04
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种采用射频切换电路实现HEMT热阻准在线测量的方法和装置。本发明通过控制射频切换电路可将被测HEMT器件从工作回路与热阻测量电路中来回切换，同时实现器件射频工作功能以及热阻测量功能。射频切换电路将防自激电路与射频切换开关相结合；通过电路改进将热阻仪的状态切换与射频切换电路开关切换控制集成到一起，热阻测量流程可变更为首先射频开关与第二选通端连接，HEMT器件处于工作回路中的射频下工作状态，而后热阻测试仪开关切换到热阻测试仪测量状态同时使得射频开关一同切换，射频开关从工作回路中断开与热阻测试仪连接进行热阻测量，从而由射频下工作状态替代热阻测试仪工作状态，所得热阻为器件处于实际射频工作状态下的真实热阻。
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公开(公告)号：CN116520117A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310429707.3
申请日：2023-04-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供了一种采用探针接触快速测量多路半导体器件的温度系数的方法和装置。本发明将控制模块、激励源模块、测量模块、采集模块、传输模块以及数据处理模块进行了级联调试，设计了对应测试器件的夹具，采用探针法进行测量，完成了高精度的温度系数测量系统的设计与实现。本发明提供的测量方法和装置解决了传统测量只能测量单只器件的问题，同时完成了测量系统的自动化实现，省去了复杂的人工操作，同时提高了测量精度。
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公开(公告)号：CN112684255B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202011531302.3
申请日：2020-12-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R27/02
Abstract: 一种用于热阻矩阵测量的由FPGA控制的多路智能驱动装置与方法，属于集成电路电子器件热学和电学测量领域。公开了一种可应用于多种被测器件样品情景下的开启速度快，开启时间、大小、正负可控且具有多路选通功能的新型智能驱动开关装置。本发明在FPGA内写入硬件电路控制程序，通过上位机软件进行驱动电压开启时间、大小、方向及多路选通功能的控制。本发明能实现纳秒级高速驱动控制，且电路带有隔离功能，能实现测试电路部分与本发明电气隔离，多路选通的功能实现了多个被测器件的精确驱动。适用于多路选择、高速控制、大电流下、被测样品复杂的热阻测量。
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公开(公告)号：CN115902564A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211464061.4
申请日：2022-11-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于光电探测器热阻测量的光功率及反向偏置控制装置及方法，涉及半导体光电探测器热特性测量技术领域。本发明包括：第一门驱动电路与光功率设置模块连接；第二门驱动电路与绝缘栅开关器件的栅极连接；测试电流源与被测光电探测器的阳极连接；二极管的阳极与被测光电探测器的阳极连接，二极管的阴极与绝缘栅开关器的漏极连接；绝缘栅开关器的源极与电压源的一端连接；电压源的另一端与被测光电探测器的阴极连接；光功率设置模块通过光路与被测光电探测器连接。本发明可实现从同时设置光功率为通并施加反向偏置的加热状态到设置光功率为断并施加正向电流的测试状态的高速切换。
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公开(公告)号：CN111289562B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010250313.8
申请日：2020-04-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种薄层热阻测试探针的结构及测试方法，属于半导体材料及器件的电学和热学测试技术领域。所述热测试探针结构包括：探头芯片及封装结构。其中：探头芯片包括由多个二极管串联及并联组成的温度探头，掺杂多晶硅图形构成的微加热器，引线电极及半导体衬底材料；封装结构包括用于固定探头芯片和引出电极的基板和用于移动探头芯片及施加压力的弹簧支撑结构。本发明设计了一种采用双面工艺的Si基测温探头芯片组成的薄层热阻测试探针结构，采用加热源与测量源分离的结构设计，能够实现加热状态和测量状态同时进行，不存在开关延迟，可以对半导体芯片及薄层材料实现非开关式的热阻测量。
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