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公开(公告)号：CN102280456B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110121051.6
申请日：2011-05-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/144 , G01J5/20 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法，属于半导体制造领域。本结构包括：包括第一硅晶圆、第二硅晶圆，第一硅晶圆第二表面上设有红外敏感元件阵列和焊盘、第一表面上设有若干第一电接触元件，第一硅晶圆上设有若干第一硅通孔微互连、若干第二硅通孔微互连，红外敏感元件阵列通过第一硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接，焊盘通过第二硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接；第二硅晶圆第一表面上设有红外敏感元件阵列的信号处理电路和与信号处理电路电连接的若干第二电接触元件；第一电接触元件与第二电接触元件分别对应电连接。本发明降低了热干扰，提高非制冷红外焦平面阵列探测器稳定性、可靠性。
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公开(公告)号：CN102214624B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110128047.2
申请日：2011-05-17
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2224/13
Abstract: 本发明公开了一种具有通孔的半导体结构及其制造方法，半导体结构包括衬底、多个环形通孔和多个实心通孔，环形通孔和实心通孔嵌于衬底中；实心通孔是金属填充的通孔；环形通孔是实心介质塞和环绕实心介质塞的金属环填充的通孔。其制造方法为：1)在衬底的第一表面上刻蚀出多个深孔；2)形成金属层；3)在衬底第一表面上粘附干膜，图形化所述干膜，使干膜在一部分深孔上形成开口；4)向干膜上有开口的的深孔填充金属，去掉所述干膜；5)向剩余深孔中填充介质，形成实心介质塞；6)减薄所述衬底的第二表面。本发明的半导体结构的实心通孔可以用于叠层芯片散热，改善电源完整性；环形通孔则可以改善通孔结构的应力，以及翘曲变形等问题。
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公开(公告)号：CN102937695A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210400993.2
申请日：2012-10-19
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔超薄晶圆测试结构及测试方法。该测试结构包括一带有重新布线层的转接板，该转接板的表面设有用于与待测试的带有硅通孔的超薄晶圆形成电学连接的键合结构。将待测试的带有硅通孔的超薄晶圆与带有重新布线层的转接板通过临时键合形成电学连接后，采用普通平面探针台或自动测试设备即可进行晶圆测试，转接板对超薄晶圆提供了良好地机械支撑，不会产生翘曲或碎裂，有利于快速、准确地进行晶圆测试。
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公开(公告)号：CN102214662B
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201110105424.0
申请日：2011-04-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/144 , G01J5/22 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了非制冷红外焦平面阵列探测器单片集成结构及制作方法，属于半导体制造领域。本结构包括硅晶圆，硅晶圆具有相对的第一表面和第二表面；硅晶圆第一表面上设有红外焦平面敏感元件阵列，第二表面上设有红外焦平面敏感元件阵列的信号处理电路，硅晶圆上设有硅通孔微互连，红外焦平面敏感元件阵列通过硅通孔微互连与信号处理电路电连接。与现有技术相比，本发明实现了红外敏感元件阵列与其信号处理电路的有效热隔离，降低红外敏感元件阵列传导到其信号处理电路的热量，提高了信号处理电路的性能与可靠性。
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公开(公告)号：CN102437110A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110391525.9
申请日：2011-11-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种石墨烯垂直互连结构的制作方法，首先在基片上制作垂直孔；然后在所述基片的表面上制作绝缘层，该绝缘层覆盖所述垂直孔的内表面；然后在所述绝缘层上制作石墨烯层。基于该石墨烯垂直互连结构，可采用晶圆到晶圆、芯片到晶圆或芯片到芯片的方式进行堆叠并形成三维集成结构。石墨烯由于其特有的弹道疏运机制，具有非常高的电导率，有利于提高垂直互连结构的电信号传输性能，特别有利于高频高速电信号的传输，可减小垂直互连结构间及对其它电路的干扰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102024782A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010513047.X
申请日：2010-10-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/50 , H01L21/76843 , H01L21/76879 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2224/0557 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/83896 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06558 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明公开了一种三维垂直互联结构及其制作方法。结构包括顺次堆叠或面对面堆叠在一起的至少两层芯片，各层所述芯片之间采用粘结材料粘结，各层所述芯片由下至上依次为衬底层和表面介质层，所述芯片的上表面具有横截面为环形的第一凹坑，所述第一凹坑内填充有金属形成第一导电环，所述第一导电环通过重新布局布线层与所述芯片内部的微电子器件连接，与所述第一导电环内径相同且圆心一致的第一通孔贯穿所述堆叠的芯片，所述第一通孔内具有第一微型导电柱。本发明的三维垂直互联结构提高了微电子器件制作中三维互联叠层间电互联和粘合强度，提高了成品率。
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公开(公告)号：CN114964356B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210384332.9
申请日：2022-04-13
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明提出一种氮化铝膜参数提取方法，涉及材料参数提取技术领域，能够精确提取氮化铝膜的材料系数。根据本发明实施例中的氮化铝膜参数提取方法，包括：基于待测氮化铝膜制作参数提取组件；测量参数提取组件的阻抗谱，并根据阻抗谱计算得到参数提取组件中待测氮化铝膜的介电常数；测量参数提取组件的属性参量，并根据属性参量计算得出待测氮化铝膜的压电系数与弹性系数；将待测氮化铝膜的介电常数、压电系数与弹性系数进行整合，得到待测氮化铝膜的材料参数。在本发明实施例中的方法中，由于对氮化铝膜各类材料系数进行分开提取，从而能够减少积累误差，提高提取精度。
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公开(公告)号：CN111293210B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN201811491104.1
申请日：2018-12-07
Applicant: 茂丞(郑州)超声科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院
Abstract: 一种晶圆级超声波芯片模块，包含基板、复合层、超声波传导材料以及底材，基板具有贯通槽，贯通槽连通基板的上表面及基板的下表面，复合层位于基板上，复合层包括超声波体及保护层，超声波体位于基板的上表面且贯通槽暴露出超声波体的下表面，保护层覆盖超声波体及部分的基板的上表面，保护层具有开口，开口暴露出部分的超声波体的上表面，超声波传导材料位于开口内且接触超声波体的上表面，底材位于基板的下表面且覆盖贯通槽，以使贯通槽、超声波体的下表面与底材的上表面之间形成空间。
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公开(公告)号：CN112820712A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011642597.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L23/498 , H01L23/50 , H01L23/538 , H01L21/50
Abstract: 本申请公开了一种三维异质集成的扇出型封装结构及制造方法。三维异质集成的扇出型封装结构包括：基板上侧设置有凹槽，凹槽用于放置芯片，凹槽底部设置导电柱，导电柱贯穿基板并连接对应的芯片，第一金属互联层连接对应的导电柱，第一固定层设置在基板上侧，第二金属互联层设置在基板下侧，第二金属互联层连接对应的导电柱，第二金属互联层用于使芯片之间电连接，第二固定层设置在基板下侧，微焊结构连接对应的第二金属互联层，微焊结构用于形成封装结构的焊点。通过在同一基板的凹槽中设置芯片，并通过导电柱与金属互联层将对应的芯片之间电性连接，实现了三维的异质集成结构，满足了小尺寸、高密度、低成本的封装需求。
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公开(公告)号：CN111241867A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201811429713.4
申请日：2018-11-28
Applicant: 茂丞科技(深圳)有限公司 , 北京大学深圳研究生院
IPC: G06K9/00 , H01L41/053 , H01L41/113 , H01L41/23 , H01L41/25
Abstract: 一种具悬浮结构的晶圆级超声波芯片模块，包含基板、复合层、以及底材，基板具有贯通槽，贯通槽连通基板的上表面及基板的下表面，复合层位于基板上，复合层包括超声波体及保护层，超声波体位于基板的上表面且贯通槽暴露出超声波体的下表面，保护层覆盖超声波体及部分的基板的上表面，复合层具有沟槽，沟槽连通保护层的上表面、保护层的下表面及贯通槽，且沟槽围绕超声波体周围的一部分且超声波体对应于贯通槽，底材位于基板的下表面且覆盖贯通槽，以使贯通槽、超声波体的下表面与底材的一上表面之间形成空间，空间连通沟槽。
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