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公开(公告)号：CN101614685B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200910079885.8
申请日：2009-03-13
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/227
Abstract: 本发明公开了一种检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法，所述方法包括以下步骤：利用圆偏振光辐照待测的半导体晶体或外延薄膜材料，并检测所产生的无偏压电流的电流方向；根据所述无偏压电流的电流方向，判断所述待测的半导体晶体或外延薄膜材料的极性。另外本发明还公开了一种半导体晶体或外延薄膜材料极性的检测系统。本发明的测试系统可在常温常压下工作，检测精确度高、制样简单快捷、检测速度快，对测试样品具有无损性，而且对测试人员的要求很低，操作非常容易，每个样品的测试时间仅为10分钟左右，更为重要的是整套测试系统价格低廉，可以大大降低测试成本。
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公开(公告)号：CN101614685A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910079885.8
申请日：2009-03-13
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/227
Abstract: 本发明公开了一种检测半导体晶体或外延薄膜材料极性的方法，所述方法包括以下步骤：利用圆偏振光辐照待测的半导体晶体或外延薄膜材料，并检测所产生的无偏压电流的电流方向；根据所述无偏压电流的电流方向，判断所述待测的半导体晶体或外延薄膜材料的极性。另外本发明还公开了一种半导体晶体或外延薄膜材料极性的检测系统。本发明的测试系统可在常温常压下工作，检测精确度高、制样简单快捷、检测速度快，对测试样品具有无损性，而且对测试人员的要求很低，操作非常容易，每个样品的测试时间仅为10分钟左右，更为重要的是整套测试系统价格低廉，可以大大降低测试成本。
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公开(公告)号：CN111628059B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010351078.3
申请日：2020-04-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明实施例提供AlGaN基深紫外发光二极管器件及其制备方法，器件由底向上依次包括衬底、AlN层、应力缓冲层、n型AlGaN层、有源区、p型电子阻挡层、p型AlGaN层和p型GaN层；采用n个量子阱作为有源区，每个量子阱的势垒部分采用非对称凹型结构,由底向上包括n个阱层和n+1个势垒；每个势垒由底向上依次包括第一层、凹型层和第三层；第一、三层均为AlxGa1‑xN层，凹型层为AlyGa1‑yN层，第一层和第三层铝组分含量x大于凹型层铝组分含量y，第三层厚度小于第一层厚度；量子阱的阱层为AlzGa1‑zN层，阱层的铝组分含量z小于凹型层铝组分含量y。可有效提高载流子注入效率，显著提高器件性能。
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公开(公告)号：CN108878265B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201810714565.4
申请日：2018-07-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种在Si(100)衬底上生长单晶氮化镓薄膜的方法，包括：在Si(100)衬底上形成非晶SiO2层；将单晶石墨烯转移至Si(100)/SiO2衬底上；对单晶石墨烯表面进行预处理，产生悬挂键；生长AlN成核层；外延生长GaN薄膜。由于Si(100)表面重构产生两种悬挂键，导致氮化物生长时晶粒面内取向不一致而不能形成单晶，本发明以非晶SiO2层屏蔽衬底表面的两种悬挂键信息，并由石墨烯提供氮化物外延生长所需的六方模板，外延得到了连续均匀的高质量GaN单晶薄膜，为GaN基器件与Si基器件的整合集成奠定了良好的基础。
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公开(公告)号：CN110071197A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910237485.9
申请日：2019-03-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于非极性面氮化镓的高圆偏振极化度的自旋LED及其制备方法，采用非极性面(m面或a面)氮化镓为衬底制备倒置结构的自旋LED，有效增加了圆偏振极化度上限和电子自旋弛豫寿命，使得正面出光的实际圆偏振极化度大幅度提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105846310B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201610246740.2
申请日：2016-04-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种出光增强型电子束泵浦紫外光源及其制备方法。本发明的外延层的多量子阱作为有源区，势阱采用单原子层或亚原子层的数字合金，可以提高载流子局域化，抑制非辐射复合过程，进而提高内量子效率；利用周期性网格状划痕并蒸镀高反射金属薄膜，形成具有凹面的网格状反射层，可增强紫外光的反射，提高光提取效率；电子束泵浦源采用场发射电子束，场发射电子束的小型化和成本低廉使其易于商业化；同时，电子束泵浦源均配有金属栅极，更易于阴极加速的电流的控制、可有效解决发射电子均匀性。
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公开(公告)号：CN109632855A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811358362.2
申请日：2018-11-15
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/225
Abstract: 本发明公布了一种化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法。首先制备用于确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的原生样品，然后将部分原生样品进行退火操作，制得退火样品；利用高温退火操作实现替代阳离子位置的杂质发生从阳离子位置到阴离子位置或间隙位置的转变，进而通过正电子湮没谱技术的多普勒展宽谱测量化合物半导体原生样品和退火样品中的阳离子空位浓度的差异，最终确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度。本发明方法简单且快捷有效，能够精确地确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度，对于研究化合物半导体材料中的替代阳离子位置的杂质缺陷浓度及其对器件应用的影响将发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN108767055A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810373012.7
申请日：2018-04-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/08
Abstract: 本发明涉及一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在化学气相沉积法制备AlGaN过程中，对生长中断过程中Ga和Al金属原子的脱附速率进行控制，得到具有周期变化的AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN超晶格结构的p型AlGaN外延薄膜；其中，x
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公开(公告)号：CN108364852A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810058645.9
申请日：2018-01-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种AlN外延薄膜及其制备方法和应用。所述AlN外延薄膜的制备方法，包括：(1)在(0001)面蓝宝石表面溅射AlN层；(2)制作具有纳米级凹面孔洞周期排列图形的AlN；(3)完成侧向外延聚合过程；(4)继续外延生长至目标厚度，得到AlN外延薄膜。本发明通过图形化溅射AlN模板和高温侧向外延两个核心环节，获得表面原子级平整、位错密度很低的AlN外延薄膜，对实现AlGaN基深紫外高性能光电器件及产业应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN108269887A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201611258225.2
申请日：2016-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007
Abstract: 本发明属于III族氮化物半导体制备技术领域，涉及低位错密度AlN外延薄膜的制备。该方法结合图形化蓝宝石衬底和预溅射AlN成核层两个核心关键环节，在此基础上通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)实现侧向外延过程，获得表面平整、位错密度低的AlN薄膜。
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