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公开(公告)号：CN109632855A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811358362.2
申请日：2018-11-15
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/225
Abstract: 本发明公布了一种化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法。首先制备用于确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的原生样品，然后将部分原生样品进行退火操作，制得退火样品；利用高温退火操作实现替代阳离子位置的杂质发生从阳离子位置到阴离子位置或间隙位置的转变，进而通过正电子湮没谱技术的多普勒展宽谱测量化合物半导体原生样品和退火样品中的阳离子空位浓度的差异，最终确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度。本发明方法简单且快捷有效，能够精确地确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度，对于研究化合物半导体材料中的替代阳离子位置的杂质缺陷浓度及其对器件应用的影响将发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN111900097B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010595872.2
申请日：2020-06-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种检测宽禁带半导体中深能级缺陷态的方法，利用在高温下仍然能保持很好的二极管特性的重‑轻‑重掺杂pn二极管样品结构，通过测量不同填充电压的高温深能级瞬态电容谱来同时获得样品内的多子陷阱和少子陷阱的信号，最终利用阿列纽斯曲线得到样品内的深能级缺陷态能级位置和浓度的信息。本发明方法简单且快捷有效，能够精确地测定宽禁带半导体中深能级缺陷态的能级位置和浓度，对于研究宽禁带半导体材料中的深能级缺陷态能级位置和浓度及其对器件应用的影响将发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN111900097A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010595872.2
申请日：2020-06-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种检测宽禁带半导体中深能级缺陷态的方法，利用在高温下仍然能保持很好的二极管特性的重-轻-重掺杂pn二极管样品结构，通过测量不同填充电压的高温深能级瞬态电容谱来同时获得样品内的多子陷阱和少子陷阱的信号，最终利用阿列纽斯曲线得到样品内的深能级缺陷态能级位置和浓度的信息。本发明方法简单且快捷有效，能够精确地测定宽禁带半导体中深能级缺陷态的能级位置和浓度，对于研究宽禁带半导体材料中的深能级缺陷态能级位置和浓度及其对器件应用的影响将发挥重要的作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111211159A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010039835.3
申请日：2020-01-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/02 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种硅基氮化镓射频器件射频损耗的抑制方法，在高阻硅衬底上外延一层n型单晶硅，得到复合硅衬底，再在其上外延氮化铝和后续的氮化镓薄膜，通过复合硅衬底掺杂的n型电子与铝原子扩散带来的空穴流子复合，从而使硅衬底维持在高阻状态，降低硅基氮化镓射频器件的射频损耗。该方法在有效抑制器件射频损耗的同时，不会降低外延层的晶体质量，不影响器件的稳定性，而且操作简单快捷，成本可控。
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公开(公告)号：CN109632855B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811358362.2
申请日：2018-11-15
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公布了一种化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法。首先制备用于确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的原生样品，然后将部分原生样品进行退火操作，制得退火样品；利用高温退火操作实现替代阳离子位置的杂质发生从阳离子位置到阴离子位置或间隙位置的转变，进而通过正电子湮没谱技术的多普勒展宽谱测量化合物半导体原生样品和退火样品中的阳离子空位浓度的差异，最终确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度。本发明方法简单且快捷有效，能够精确地确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度，对于研究化合物半导体材料中的替代阳离子位置的杂质缺陷浓度及其对器件应用的影响将发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN101580526A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910085159.7
申请日：2009-06-02
Applicant: 北京大学
IPC: C07H15/224 , C07H1/00 , A61K31/706 , A61P31/04 , A61P31/18
Abstract: 本发明公开了新霉胺－咔啉羧酸缀合物及其制备方法和在药学中的用途。本发明采用咔啉羧酸及其衍生物作为平面芳稠环结构，通过连接臂与新霉胺缀合，得到本发明新霉胺－咔啉羧酸缀合物。咔啉环通过嵌插作用，新霉胺通过静电、氢键作用，两者作用相辅相成，所获得的缀合物具有协同增效作用，可增强与靶标RNA的结合能力。体外抑菌试验结果表明，本发明缀合物均具有优良的抑菌活性，可作为临床潜在的抗菌制剂；本发明采用表面等离子共振技术测定了本发明缀合物与HIV TAR RNA的结合能力，试验结果表明，本发明缀合物具有抗艾滋病病毒潜力，可作为临床潜在的抗艾滋病制剂。
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公开(公告)号：CN101580526B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200910085159.7
申请日：2009-06-02
Applicant: 北京大学
IPC: C07H15/224 , C07H1/00 , A61K31/706 , A61P31/04 , A61P31/18
Abstract: 本发明公开了新霉胺-咔啉羧酸缀合物及其制备方法和在药学中的用途。本发明采用咔啉羧酸及其衍生物作为平面芳稠环结构，通过连接臂与新霉胺缀合，得到本发明新霉胺-咔啉羧酸缀合物。咔啉环通过嵌插作用，新霉胺通过静电、氢键作用，两者作用相辅相成，所获得的缀合物具有协同增效作用，可增强与靶标RNA的结合能力。体外抑菌试验结果表明，本发明缀合物均具有优良的抑菌活性，可作为临床潜在的抗菌制剂；本发明采用表面等离子共振技术测定了本发明缀合物与HIV TAR RNA的结合能力，试验结果表明，本发明缀合物具有抗艾滋病病毒潜力，可作为临床潜在的抗艾滋病制剂。
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公开(公告)号：CN220257147U
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202321297309.2
申请日：2023-05-26
Abstract: 本实用新型属于情感交互设备技术领域，公开了一种基于arduino和超声波传感器的互动玩偶装置，外壳上安装有超声波传感器、Arduino板、面包板，面包板上设置有灯泡；面包板、Arduino板置于外壳布偶衣物里，面包板置于外壳左上角的位置。本实用新型玩偶通过超声波进行测距以改变相应的灯泡闪烁频率，随之此玩偶能自主的与用户进行近距离交互，并且可以让用户感受到更加亲切的互动。本实用新型玩偶通过超声波测距的结果使得灯泡呈现不同的灯泡闪烁频率，无需手动或者遥控控制，只需用户简单的主动靠近玩偶，就能使得用户可以感受到装置的亲切，体验零学习式互动，让用户能够更加关注玩偶带来的情感体验。
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