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公开(公告)号：CN101436127A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200710177444.2
申请日：2007-11-15
Applicant: 北大方正集团有限公司 , 北京大学 , 北京北大方正电子有限公司
IPC: G06F9/44
Abstract: 本发明公开了一种选择日期的方法，用于实现灵活的进行日期选择，以便于对日期及相关次数信息的设置。所述方法为：通过监听鼠标点击日历牌上日期的事件确定用户选择的日期；更新所述选择的日期被选择的次数；通过监听鼠标点击日历牌上结束标志的事件确定用户最终选择的日期及对应的选择次数。本发明还公开了一种装置和系统。
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公开(公告)号：CN117845326B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410258109.9
申请日：2024-03-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种生长AlGaN薄膜的精细调控方法。本发明通过停止Al源供应，以生长腔内残余的Al源的扩散迁移作为生长的驱动力，显著降低生长速率，为Al源提供充足迁移时间，有助于Al源的均匀并入；以残余Al源的扩散迁移作为生长的驱动力，本发明能够实现生长速率低于0.1 nm/s的目标AlGaN薄膜生长；结合残余Al源流量和目标AlGaN薄膜生长时间的控制，实现目标AlGaN薄膜的Al组分和原子层级厚度的精准生长控制；能够形成Al组分逐渐降低或常规恒定的目标AlGaN薄膜；本发明在外延结构和器件制备方面具有直接应用的重大价值，应用于紫外发光/激光二极管等发光器件的有源区、p型极化诱导层、HEMT的AlGaN势垒层、多周期超晶格结构和AlGaN组分渐变的应变调制层等。
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公开(公告)号：CN116497455A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310781440.4
申请日：2023-06-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种调控铁电畴尺寸的氮化物铁电半导体的制备方法。本发明利用氮化物铁电半导体在二维晶体与衬底上生长时成核密度的差异，通过在氮化物铁电半导体与衬底之间插入多层图形化的二维晶体复合结构，实现铁电畴尺寸可调制的高效氮化物铁电半导体，并避免了失效层的形成；同时利用二维晶体的层间范德瓦尔斯力作用结合力弱的特点，有效释放单个铁电畴中的应力，同时释放铁电畴与衬底之间异质界面的强耦合作用，进一步提升铁电性的稳定性和可靠性；更进一步，采用本发明的方法外延生长的氮化物铁电半导体，能够用于制备高性能电子器件、铁电存储器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等。
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公开(公告)号：CN107706245B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201711120075.3
申请日：2017-11-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/88 , H01L21/336 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种氮化物平面结构共振隧穿二极管及其制备方法。本发明的共振隧穿二极管包括：衬底、发射极掺杂层、发射极非掺隔离层、双势垒结构、集电极非掺隔离层、集电极掺杂层、发射极电极、集电极电极以及钝化层；本发明采用自对准工艺，并且在光刻胶掩膜制备过程中进行过度曝光与过度显影，显著降低了结面积，减少了器件内漏电通道数目，提高了器件稳定性；发射极电极和集电极电极形成平面结构，避免了刻蚀损伤对电极接触的不利影响；全过程仅需两次光刻，有效降低了工艺难度，加快了研发进程。
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公开(公告)号：CN110429025A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910733300.3
申请日：2019-08-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用金属基底制备的氮化物外延结构及其制备方法。本发明通过在退火处理的金属基底上表面氮化形成金属氮化物薄层和沉积低温金属氮化物薄层，抑制金属基底和氮化物外延功能层间界面反应和金属原子扩散，并通过高温外延法和富氮插入层方法提高氮化物外延功能层晶体质量，得到高晶体质量、高散热能力的氮化物外延功能层；采用单晶Ni或Ti为金属基底，与氮化物外延技术兼容，并能够通过高温热处理方法提高金属基底晶体质量，有利于制备高质量氮化物外延功能层；高温外延和富氮插入层技术提高了氮化物外延功能层晶体质量，降低了缺陷密度并改善结构性能；本发明无需复杂的光刻技术，设备简单，易操作，适合产业化应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107706245A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201711120075.3
申请日：2017-11-14
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/88 , H01L21/336 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种氮化物平面结构共振隧穿二极管及其制备方法。本发明的共振隧穿二极管包括：衬底、发射极掺杂层、发射极非掺隔离层、双势垒结构、集电极非掺隔离层、集电极掺杂层、发射极电极、集电极电极以及钝化层；本发明采用自对准工艺，并且在光刻胶掩膜制备过程中进行过度曝光与过度显影，显著降低了结面积，减少了器件内漏电通道数目，提高了器件稳定性；发射极电极和集电极电极形成平面结构，避免了刻蚀损伤对电极接触的不利影响；全过程仅需两次光刻，有效降低了工艺难度，加快了研发进程。
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公开(公告)号：CN101436127B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200710177444.2
申请日：2007-11-15
Applicant: 北大方正集团有限公司 , 北京大学 , 北京北大方正电子有限公司
IPC: G06F9/44
Abstract: 本发明公开了一种选择日期的方法，用于实现灵活的进行日期选择，以便于对日期及相关次数信息的设置。所述方法为：通过监听鼠标点击日历牌上日期的事件确定用户选择的日期；更新所述选择的日期被选择的次数；通过监听鼠标点击日历牌上结束标志的事件确定用户最终选择的日期及对应的选择次数。本发明还公开了一种装置和系统。
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公开(公告)号：CN102572220A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210048378.X
申请日：2012-02-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明将生物视觉划分为三级结构和仿生目标检测的三级物理实现手段，给出3-3-2空间信息转换新模式的仿生复眼运动目标检测，采用基于复眼结构仿生的低分辨率成像传感器技术对运动目标初步检测得到三维轮廓信息，使冗余信息成数量级减少；采用基于复眼功能仿生的高分辨率成像传感器技术凝视目标区域对运动目标精确识别，将识别的图像进行稳像处理，得到运动目标的二维高清数据，实现了在不增加信息量条件下对运动目标的稳像跟踪控制、运动目标的三维轮廓向二维细节的识别控制，使三维数据量降低为二维，三维精细数据量减少，由此实现遥感观测等保留高频细节信息、无损压缩有效目标信息的仿生学手段。本发明可以广泛用于各种运动目标捕获与检测过程中。
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公开(公告)号：CN1332631C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200410009380.1
申请日：2004-07-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种掌纹提取方法和装置，包括取像盒和摄像机，取像盒侧壁上距摄像机最佳取像高度处设有供手掌伸入的入口，同一高度的入口对端适当距离处设置有支撑手掌的定位杆，取像盒内还固定有两照明用光源，该两光源处于与摄像机镜头等高的同一平面内且基本沿镜头中心对称，光源和手掌待取像部分中心点的连线与镜头中心线的夹角在27.5—35.5的范围内，近端光源和镜头中心连线与纵向中心轴的夹角在54.5—62.5的范围内，远端光源和镜头中心连线与横向中心轴的夹角在50.5—58.5的范围内。不同时刻点亮不同的光源，拍摄对不同掌纹特征进行增强的图像；将得到的两幅图像进行融合，得到所有需增强特征均得到增强的图像。
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公开(公告)号：CN118524775B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410988745.7
申请日：2024-07-23
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有温度感知功能的氮化物铁电神经形态器件及实现方法。本发明通过第一和第二热膨胀层与氮化物铁电层的热膨胀系数不同，在温度变化时对氮化物铁电层的夹持作用，对氮化物铁电层施加随温度变化的应力，调控矫顽电场，分别实现电写入和热写入；本发明赋予了氮化物铁电神经形态器件新的温度感知功能，应用于高性能电子器件、铁电存储器、传感器、光电器件、声学器件和非线性光子器件等领域，能够显著提升相关神经形态计算系统的集成度和功能性，并拓宽氮化物铁电半导体材的在人工智能和物联网等领域的应用场景。
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