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公开(公告)号：CN112613248B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202011569072.X
申请日：2020-12-25
Applicant: 北京大学
IPC: G06F30/28 , G06F30/3323 , G06F113/08 , G06F119/14
Abstract: 本发明实施例提供了一种改进嵌入式微流体结构设计的方法和系统，所述方法包括：计算所述嵌入式微流体中各流道的流阻；基于流阻与电阻类似的特性，构建与所述仿真模型相似的等效电阻网络；将所述各流道的流阻和该嵌入式微流体的边界条件参数输入所述等效电阻网络，利用MATLAB对所述等效电阻网络进行仿真，优化电阻的阻值，获得所述电阻优化完成后的优化电阻；根据所述优化电阻，获得所述流道流阻的优化流阻，再根据所述优化流阻，调节所述微流体的流道设计，以减小同一时间段内通过各个散热流道的流量方差。本发明实施例提供的方法和系统，将微流体等效为电阻网络进行仿真，可以实现各类微流体的结构设计的自动改进，增强微流体的散热均匀性。
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公开(公告)号：CN116705625A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310961493.4
申请日：2023-08-02
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L21/67 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本申请提供一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置，涉及半导体技术领域，该方法包括：将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面；对DAF膜进行刻蚀，制备得到多个盲孔，盲孔的深度为DAF膜的厚度；在DAF膜的表面沉积种子层，使种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁；在盲孔中填充与种子层的材料相同或匹配的第一金属材料，直至第一金属材料完全填充所述盲孔；去除DAF膜表面多余的金属材料，得到晶圆的DAF膜封装结构；利用DAF膜封装结构，将晶圆封装至基板上。本申请通过在DAF膜上刻蚀盲孔，在盲孔中填充第一金属材料，实现了在DAF膜中嵌入多个金属柱，利用金属柱的导热性，提升晶圆封装结构中DAF膜的热导率。
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公开(公告)号：CN113488441A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110557128.8
申请日：2021-05-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/31 , H01L23/29
Abstract: 本发明涉及一种基于歧管通道盖板的封装结构，其包括:芯片，包括衬底和位于所述衬底顶部的嵌入式微流道；盖板,包括歧管通道、入液口和出液口；以及用于使所述嵌入式微流道和所述歧管通道密封连通的低温密封层，所述低温密封层位于所述芯片和所述盖板之间。本发明还涉及一种基于歧管通道盖板的封装结构的制备方法。本发明的封装结构包括嵌入歧管式微流道，具有低温工艺兼容性和高的散热效率。所述歧管式微流道具有流动距离短、流阻小和热阻小的优势，更适合集成在高功率芯片中进行高效散热。
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公开(公告)号：CN113488432A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110567371.8
申请日：2021-05-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种包括高深宽比通孔的玻璃基板的制备方法，包括：提供复合衬底结构；在所述复合衬底结构顶部刻蚀出柱阵列；填充所述柱阵列之间的间隙并覆盖所述柱阵列，从而形成氧化硅填充层；减薄所述氧化硅填充层，以使所述柱阵列暴露；刻蚀去除所述柱阵列，从而形成盲孔；去除剩余的所述复合衬底结构，从而形成具有通孔的玻璃基板。本发明的方法可避免通孔附近的热应力凸起、裂纹、应力不均匀等。
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公开(公告)号：CN118335628B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410734114.2
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了一种基于内置式散热的功率器件的制备方法及功率器件，方法包括选择功率器件，在所述功率器件的衬底上沉积磁性金属层；将所述磁性金属层通过光刻剥离技术图形化；自所述功率器件的衬底至外延层上刻蚀出蒸汽腔模型；在所述蒸汽腔模型内填充蒸汽；熔化所述磁性金属层，密封含有所述蒸汽的所述蒸汽腔模型在所述衬底上的开口，得到内置有微型蒸汽腔的功率器件。通过本申请提供的制备方法，解决了当今电子器件用的外置式蒸汽腔难以有效散热的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118366870B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410796597.9
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了一种芯片换热结构的制备方法及芯片换热结构。方法包括：在晶圆的第一表面刻蚀形成多个换热肋片；将第一光刻胶涂布于换热肋片之间的流道内；通过物理气相沉积在流道内及换热肋片的顶部形成第一金属层；剥离位于流道内的第一光刻胶与第一金属层；在晶圆的第一表面上倒入聚苯乙烯微球溶液；待聚苯乙烯微球溶液蒸干形成微球模板后进行烧结处理；将晶圆进行电镀处理，使得多孔金属结构形成于覆盖换热肋片且位于道上方的微球模板的间隙之间；将晶圆放入第二溶液中进行化学反应去除微球模板。本申请降低了晶圆使用成本，且避免了不同硅晶圆之间键合的良率较低的问题，结构稳定性可得到保证。
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公开(公告)号：CN118366943A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410796592.6
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/427 , H01L21/48
Abstract: 本申请提供了一种芯片散热结构及加工方法。包括芯片衬底、孔板及供液夹具；芯片衬底的第一表面具有刻蚀形成的多个换热柱及凹槽，换热柱以及换热柱之间的间隔中附着有微纳三维多孔铜结构，多个凹槽间隔分布形成流道，流道围设于换热空间的外侧，芯片衬底的第二表面上集成有电气元件；孔板具有刻蚀形成的多个贯通的流通孔，孔板与所述芯片衬底的第一表面键合连接，流通孔对准换热柱；供液夹具开设有贯通的夹持孔，供液夹具与孔板及芯片衬底密封连接，供液夹具与芯片衬底的第二表面相互背离，夹持孔与流通孔连通，夹持孔用于夹持冷媒输送管道。本申请中的换热柱及流道蚀刻形成于芯片衬底的上表面，减少了接触热阻，提升了散热性能。
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公开(公告)号：CN118366870A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410796597.9
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了一种芯片换热结构的制备方法及芯片换热结构。方法包括：在晶圆的第一表面刻蚀形成多个换热肋片；将第一光刻胶涂布于换热肋片之间的流道内；通过物理气相沉积在流道内及换热肋片的顶部形成第一金属层；剥离位于流道内的第一光刻胶与第一金属层；在晶圆的第一表面上倒入聚苯乙烯微球溶液；待聚苯乙烯微球溶液蒸干形成微球模板后进行烧结处理；将晶圆进行电镀处理，使得多孔金属结构形成于覆盖换热肋片且位于道上方的微球模板的间隙之间；将晶圆放入第二溶液中进行化学反应去除微球模板。本申请降低了晶圆使用成本，且避免了不同硅晶圆之间键合的良率较低的问题，结构稳定性可得到保证。
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公开(公告)号：CN117832170A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410245397.4
申请日：2024-03-05
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本申请提供了一种适用于电子封装的连接结构的制备方法及连接结构，该方法包括：在被接基材的表面沉积种子层；在表面改性后的被接基材上旋涂光刻材料；通过光刻技术将光刻材料图形化，形成具有多个目标区域的凸点模板；在每个目标区域内交替沉积空穴模型层和金属层；空穴模型层表征为至少一个颗粒体在目标区域内按照预设参数排列；去除空穴模型层和凸点模板，至少一个颗粒体一一对应形成至少一个孔道，得到多个具有空穴结构的焊接凸点；预设参数包括颗粒体粒径、颗粒体形状和颗粒体间隙中的至少一种。通过本发明提供的制备方法，制备出的焊接凸点缓解了凸点在高温回流焊接过程中产生的热应力，降低了在高温环境下微凸点断连的风险。
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