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公开(公告)号：CN113651289B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110768773.4
申请日：2021-07-07
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种吸盘结构成型模具的制备方法，该方法采用电化学腐蚀工艺对中度掺杂硅衬底上的微纳结构阵列进行各向同性抛光，从而将微纳结构阵列转化为吸盘阵列。由该方法制得的吸盘阵列一致性好，并且通过调节电化学腐蚀的腐蚀电流和腐蚀时间，可以方便地调节吸盘阵列的尺寸。本发明还涉及一种吸盘结构的制备方法，该方法利用所述吸盘结构成型模具通过两次翻模工艺即可制备出吸盘结构，重复性好、工艺简单、耗时较短且批量加工成本低。
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公开(公告)号：CN113611675B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202110680799.3
申请日：2021-06-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/427
Abstract: 本发明涉及一种散热装置，包括：盖板；底板，结合在所述盖板下方，所述底板上设置有多个供液微通道和多个蒸汽扩散通道，所述供液微通道和蒸汽扩散通道相互间隔排列，并且相邻的所述供液微通道和蒸汽扩散通道共用侧壁，该共用的所述侧壁上设有通孔；入液口，所述入液口与所述供液微通道连通；以及蒸汽出口，所述蒸汽出口与所述蒸汽扩散通道连通。本发明的散热装置蒸发面积较大且热源到蒸发界面的路径热阻较小，散热效率较高。此外，本发明的散热装置无需外接泵送系统，减小了散热系统的占用空间且降低了功耗，易于实现受限空间内的芯片散热。
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公开(公告)号：CN113629030A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110678826.3
申请日：2021-06-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/473 , B01L3/00 , B01L7/00
Abstract: 本发明涉及一种冷却装置，其包括：上盖板，包括注液口和复合孔径薄膜，所述复合孔径薄膜在厚度方向分为纳米孔径的毛细段和微米孔径的供液段；下盖板，结合在所述上盖板下方，包括供液微结构，所述供液微结构与所述注液口和所述供液段是流体连通的。该冷却装置利用复合膜结构产生的被动式毛细压差作为供液动力，无需外接泵送系统，减小了散热系统的占用空间且降低了功耗，易于实现受限空间内的芯片散热。
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公开(公告)号：CN113611675A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110680799.3
申请日：2021-06-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/427
Abstract: 本发明涉及一种散热装置，包括：盖板；底板，结合在所述盖板下方，所述底板上设置有多个供液微通道和多个蒸汽扩散通道，所述供液微通道和蒸汽扩散通道相互间隔排列，并且相邻的所述供液微通道和蒸汽扩散通道共用侧壁，该共用的所述侧壁上设有通孔；入液口，所述入液口与所述供液微通道连通；以及蒸汽出口，所述蒸汽出口与所述蒸汽扩散通道连通。本发明的散热装置蒸发面积较大且热源到蒸发界面的路径热阻较小，散热效率较高。此外，本发明的散热装置无需外接泵送系统，减小了散热系统的占用空间且降低了功耗，易于实现受限空间内的芯片散热。
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公开(公告)号：CN116854027A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310745056.9
申请日：2023-06-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种体硅内空腔结构及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：提供硅衬底；在所述硅衬底的上表面刻蚀形成第一多孔层；刻蚀生成第二多孔层；腐蚀去除所述第二多孔层，以形成连通所述第一孔隙的空腔；覆盖所述硅衬底的上表面以及所述第一多孔层的上表面形成薄膜层。该制备方法简单、高效，成本低，而且通过第一多孔层和第二多孔层的设计可以有效控制空腔的大小以及硅薄膜厚度的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113651290A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110769121.2
申请日：2021-07-07
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种硅基微纳结构的修饰方法，包括：提供具有微纳结构的重度掺杂硅衬底；对所述重度掺杂硅衬底进行电化学腐蚀，从而在所述微纳结构上形成多孔层；以及用碱性溶液进行清洗，从而去除所述多孔层。本发明方法只需通过一步电化学腐蚀工艺和一步碱性溶液清洗工艺即可完成。本发明方法通过精确控制电化学腐蚀工艺的过程参数，可以对已经成型的硅基微纳结构进行灵活修饰，弥补了常规微纳加工技术无法对微纳结构进行有效修饰的不足。本发明方法为功能表面的制备提供了新的思路，即通过对已经成型的硅基微纳结构进行灵活修饰来制备具有更优性能或者特殊性能的功能表面。
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公开(公告)号：CN113651290B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202110769121.2
申请日：2021-07-07
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种硅基微纳结构的修饰方法，包括：提供具有微纳结构的重度掺杂硅衬底；对所述重度掺杂硅衬底进行电化学腐蚀，从而在所述微纳结构上形成多孔层；以及用碱性溶液进行清洗，从而去除所述多孔层。本发明方法只需通过一步电化学腐蚀工艺和一步碱性溶液清洗工艺即可完成。本发明方法通过精确控制电化学腐蚀工艺的过程参数，可以对已经成型的硅基微纳结构进行灵活修饰，弥补了常规微纳加工技术无法对微纳结构进行有效修饰的不足。本发明方法为功能表面的制备提供了新的思路，即通过对已经成型的硅基微纳结构进行灵活修饰来制备具有更优性能或者特殊性能的功能表面。
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公开(公告)号：CN113628956B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110678808.5
申请日：2021-06-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种复合孔径薄膜，包括堆叠的第一掺杂硅层和第二掺杂硅层，所述第一掺杂硅层上分布有纳米尺度的通孔，所述第二掺杂硅层上分布有微米尺度的通孔，所述第一掺杂硅层的掺杂浓度大于所述第二掺杂硅层的掺杂浓度。本发明还涉及所述复合孔径薄膜的制备方法。本发明的复合孔径薄膜在厚度方向具有跨微纳尺度变孔径特征，在生物传感、光学、传热等领域内具有提升的性能。本发明的制备方法解决了常规微纳加工工艺难以实现跨尺度变孔径多孔薄膜的制备技术现状，通过表面掺杂工艺改变衬底表面的掺杂浓度，并通过电化学腐蚀工艺制备出在厚度方向具有跨微米至纳米尺度变孔径特征的多孔硅薄膜。
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公开(公告)号：CN113651288B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202110768772.X
申请日：2021-07-07
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种新型、高效的用于制备间隔墙上具有纳米通孔的微通道结构的方法。本发明方法利用硅材料的电化学腐蚀反应具有沿特定晶向生长的特点，在硅基微通道结构的间隔墙的两个侧壁上制备出横向生长的纳米盲孔结构。本发明方法采用电化学抛光工艺将电化学腐蚀反应的反应界面以各向同性的方式向侧向扩展，从而在间隔墙的中间部分形成两个分别与两侧的纳米盲孔结构连通的内腔；并通过将相邻内腔组合形成新的微通道结构，制备出了间隔墙上具有纳米通孔的微通道结构。
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公开(公告)号：CN113628956A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110678808.5
申请日：2021-06-18
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种复合孔径薄膜，包括堆叠的第一掺杂硅层和第二掺杂硅层，所述第一掺杂硅层上分布有纳米尺度的通孔，所述第二掺杂硅层上分布有微米尺度的通孔，所述第一掺杂硅层的掺杂浓度大于所述第二掺杂硅层的掺杂浓度。本发明还涉及所述复合孔径薄膜的制备方法。本发明的复合孔径薄膜在厚度方向具有跨微纳尺度变孔径特征，在生物传感、光学、传热等领域内具有提升的性能。本发明的制备方法解决了常规微纳加工工艺难以实现跨尺度变孔径多孔薄膜的制备技术现状，通过表面掺杂工艺改变衬底表面的掺杂浓度，并通过电化学腐蚀工艺制备出在厚度方向具有跨微米至纳米尺度变孔径特征的多孔硅薄膜。
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