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公开(公告)号：CN114574955B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210212260.X
申请日：2022-03-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂双辅助的二维过渡金属硫族化合物薄膜(TMDs)的制备方法。该方法在使用化学气相沉积法制备TMDs薄膜过程中，采用一端开口一端闭合的石英舟盛放金属源，将衬底的生长面朝下扣在石英舟闭合的一端，形成一种半封闭结构，载气携带源在衬底下方形成涡旋，使衬底生长面的源分压更大且更均匀，避免了薄膜不连续以及晶体质量不均匀的问题；同时，采用卤化物催化剂双辅助的方法，在金属源中以及衬底生长面同时添加催化剂，进一步提高了源分压，缩短生长时间；并通过改变旋涂于衬底表面的催化剂溶液的浓度，实现不同层数TMDs薄膜的可控生长。本发明制备TMDs薄膜的方法具有薄膜厚度可控、晶形完整、重复性高的优点。
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公开(公告)号：CN119836066A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202311312427.0
申请日：2023-10-11
Applicant: 北京大学
IPC: H10H20/825 , H10H20/816 , H10H20/01
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基深紫外发光二极管注入结构及应用。本发明提供的注入结构为周期性结构，每个周期结构包括如下组成：Al组分占比渐变的p‑AlmGa1‑mN层；每个周期结构中，Al组分占比m沿生长方向由x至y线性渐变，x取值范围为0.6‑0.85；y取值范围为0.3‑0.7；且x>y。本发明提供的注入结构，可利用压电极化效应诱导产生的负极化体电荷调制p型区能带，降低空穴注入势垒，并抑制电子泄露。该方法将深紫外发光器件的p型区整合成统一的周期性结构，规避了电子阻挡层(p‑EBL)的使用，提高器件载流子注入效率的同时有效降低器件工作电压，对提升AlGaN基DUV‑LED电光转换效率并推动其产业应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN119403302A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202310916651.4
申请日：2023-07-25
Applicant: 北京大学
IPC: H10H20/01 , H10H20/815 , H10H20/85 , H10H20/82
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基紫外发光二极管器件LED及其制备方法。本发明提供的方法包括在GaN/蓝宝石模板上通过裂纹预置及填埋等外延工艺实现表面平整、无裂纹的紫外LED全结构外延生长；然后采用激光剥离手段去除蓝宝石衬底，结合紫外LED制备工艺，得到薄膜倒装型紫外LED芯片。本发明所述方法不仅改善紫外LED器件光提取效率低的问题，还解除了紫外LED器件对于AlN模板的依赖，降低生产成本，对AlGaN基紫外LED器件性能提升及产业应用具有重要意义，适合大力推广。
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公开(公告)号：CN119156124A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411650636.0
申请日：2024-11-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于ScAlN的氮化物自旋场效应忆阻器及其制备方法，属于半导体技术领域。该氮化物自旋场效应忆阻器包括衬底及其上的ScAlN/GaN异质结构，栅极位于沟道区之上，沟道区的两端为源漏自旋注入隧穿结；所述源漏自旋注入隧穿结由电子隧穿层和自旋注入金属层组成，自旋注入隧穿结下方的ScAlN层厚度在2~7 nm，构成所述自旋注入金属层的铁磁金属材料的居里温度高于室温。本发明的氮化物自旋场效应忆阻器不仅具备能够在室温下工作、低功耗、高集成度、与现有半导体工艺兼容的优点，同时克服了氮化物自旋场效应晶体管栅极调控效率低的缺点，还具备存算一体特性，有望实现兼具高集成度、非易失性、高稳定性的高速低功耗新型器件，进一步推动信息技术的发展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118039753A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410291874.0
申请日：2024-03-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种垂直注入型AlGaN基紫外发光二极管器件及其制备方法。本发明提供的方法包括在GaN/蓝宝石模板上通过应力释放及表面修复等外延工艺实现表面平整、无裂纹的紫外LED全结构外延生长；然后采用激光剥离手段去除蓝宝石衬底，结合紫外LED制备工艺，得到垂直注入型紫外LED器件。本发明提供的垂直注入型AlGaN基紫外发光二极管器件不仅改善紫外LED器件光提取效率低的问题，还解除了紫外LED器件对于AlN模板的依赖，降低生产成本，对AlGaN基紫外LED器件性能提升及产业应用具有重要意义，适合大力推广。
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公开(公告)号：CN116013961B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310293802.5
申请日：2023-03-24
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/267 , H01L29/66 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种表面自氧化的氮化镓自旋注入结制备方法，采用原子层沉积系统的远端氧等离子体吹扫GaN单晶薄膜，使氧初始附着氮化镓表面；然后采用氧化物分子束外延统，在高温下利用臭氧氧化氮化镓表面，在GaN表面形成一层薄的氧化镓（GaOx）；最后采用磁控溅射系统，在GaOx层上溅射铁磁金属层以及贵金属保护层，实现铁磁金属注入电极，完成自旋注入结的制备。该方法利用氧化物分子束外延系统以及原子层沉积系统，实现大面积、连续、高质量的自氧化GaOx自旋隧穿介质层，具有重复性高，成本低，可大规模生产以及隧穿层界面质量佳的优点。
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公开(公告)号：CN109632855B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811358362.2
申请日：2018-11-15
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/2251
Abstract: 本发明公布了一种化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的检测方法。首先制备用于确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度的原生样品，然后将部分原生样品进行退火操作，制得退火样品；利用高温退火操作实现替代阳离子位置的杂质发生从阳离子位置到阴离子位置或间隙位置的转变，进而通过正电子湮没谱技术的多普勒展宽谱测量化合物半导体原生样品和退火样品中的阳离子空位浓度的差异，最终确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度。本发明方法简单且快捷有效，能够精确地确定化合物半导体中替代阳离子位置的杂质缺陷浓度，对于研究化合物半导体材料中的替代阳离子位置的杂质缺陷浓度及其对器件应用的影响将发挥重要的作用。
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公开(公告)号：CN110429135A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910628709.9
申请日：2019-07-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种向GaN基异质结构二维电子气中注入自旋的方法和结构，属于半导体自旋电子学技术领域。该方法通过制备AlN/GaN异质结构，控制AlN厚度在1-3nm左右，使AlN同时作为势垒层和隧穿层注入自旋。本发明可以极大的提高向GaN基异质结构中二维电子气中注入自旋的效率，推进GaN基异质结构中二维电子气的自旋性质的研究，得到性质优良的自旋电子学器件。
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公开(公告)号：CN109103070A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810801132.2
申请日：2018-07-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米图形硅衬底制备高质量厚膜AlN的方法，通过该方法获得的层状叠加AlN材料，从下向上依次为：纳米图形硅衬底、纳米图形AlN成核层、高温AlN横向生长层和高温AlN纵向生长层，在纳米图形硅衬底、纳米图形AlN成核层和高温AlN横向生长层中具有周期性排布的空气隙，所述空气隙在Si衬底中的深度为10nm～1μm，其横截面最大宽度为50nm～1μm，周期为100nm～2μm。与现有生长厚膜AlN的方法相比，本发明成本低廉，可被大规模产业化应用，大幅降低硅衬底上AlN的缺陷密度，提高后续器件结构材料的晶体质量，在垂直结构的UV-LED器件、微机电系统、发光二极管、射频滤波器以及声表面波器件制造和高频宽带通信等领域有着广阔的应用前景。
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