公开(公告)号：CN119403302A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202310916651.4

申请日：2023-07-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  王嘉铭 ,  冀晨 ,  康香宁 ,  唐宁 ,  秦志新

IPC: H10H20/01 ,  H10H20/815 ,  H10H20/85 ,  H10H20/82

Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基紫外发光二极管器件LED及其制备方法。本发明提供的方法包括在GaN/蓝宝石模板上通过裂纹预置及填埋等外延工艺实现表面平整、无裂纹的紫外LED全结构外延生长；然后采用激光剥离手段去除蓝宝石衬底，结合紫外LED制备工艺，得到薄膜倒装型紫外LED芯片。本发明所述方法不仅改善紫外LED器件光提取效率低的问题，还解除了紫外LED器件对于AlN模板的依赖，降低生产成本，对AlGaN基紫外LED器件性能提升及产业应用具有重要意义，适合大力推广。

公开(公告)号：CN118039753A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410291874.0

申请日：2024-03-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 许福军 ,  沈波 ,  王嘉铭 ,  冀晨 ,  郎婧 ,  康香宁 ,  唐宁 ,  秦志新

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明公开了一种垂直注入型AlGaN基紫外发光二极管器件及其制备方法。本发明提供的方法包括在GaN/蓝宝石模板上通过应力释放及表面修复等外延工艺实现表面平整、无裂纹的紫外LED全结构外延生长；然后采用激光剥离手段去除蓝宝石衬底，结合紫外LED制备工艺，得到垂直注入型紫外LED器件。本发明提供的垂直注入型AlGaN基紫外发光二极管器件不仅改善紫外LED器件光提取效率低的问题，还解除了紫外LED器件对于AlN模板的依赖，降低生产成本，对AlGaN基紫外LED器件性能提升及产业应用具有重要意义，适合大力推广。