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公开(公告)号：CN114813826A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210413955.4
申请日：2022-04-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片封装外壳导热特性测试方法和测试模块，属于半导体芯片封装外壳测试技术领域，所述测试方法包括在导热基板的上表面制作金属薄膜电阻；将制作有金属薄膜电阻的导热基板固定装配在待测的封装外壳内、并与待测的封装外壳电连接，组成封装外壳测试模块；将封装外壳测试模块安装到红外测试系统中，对金属薄膜电阻通电模拟半导体芯片的工作状态；测试金属薄膜电阻和封装外壳的表面温度，计算封装外壳的导热特性参数。本发明提供的半导体芯片封装外壳导热特性测试方法，通过简单的方法及工艺即可实现对封装外壳的热特性进行测试，不仅提高了测试的准确率，还降低了测试的成本。
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公开(公告)号：CN110265793A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910486144.5
申请日：2019-06-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种三维纳米天线阵列的制备方法，属于微米/纳米加工技术领域。该方法利用绘制的二维展开阵列图形及三维转换图形；先在悬浮薄膜上应用FIB刻蚀出纳米天线二维阵列结构；然后再应用FIB-SID技术，根据三维转换图形使前述结构转换成三维阵列结构。本发明采用的FIB-SID技术制备纳米天线阵列，工艺方法简单、稳定并且对材料的适用性好，可实现高效率大规模三维阵列结构加工，推进了大规模三维超材料器件化的研究和应用。
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公开(公告)号：CN103227102B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310133783.6
申请日：2013-04-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种图形化纳米颗粒自组装制造方法，其步骤包括：采用单面抛光单晶硅衬底,通过化学气相淀积方法在硅衬底表面淀积出一层聚对二甲苯薄膜；通过传统光刻方法，在硅衬底表面制作所需的光刻胶掩模图形；采用氧等离子体刻蚀方法，刻蚀裸露的聚对二甲苯薄膜；采用金刚石划片机对硅衬底进行划片；采用丙酮去除在硅衬底表面的光刻胶；将去除光刻胶后的硅衬底浸泡在浓硫酸、双氧水的混合液中，取出后用去离子水清洗；取一定量制备好的纳米颗粒悬浊液，滴入到装有乙醇的容器中，将两种液体混合均匀并缓慢倒入已装有去离子水的培养皿中；将得到的硅衬底完全浸泡在培养皿中的液体后，取出放置在另一培养皿中，并水平放入一干燥箱内，在室温条件下自然蒸发后得到具有图形化纳米颗粒自组装的硅衬底。
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公开(公告)号：CN103193196B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310089315.3
申请日：2013-03-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种三维微纳米结构的组装方法，其步骤包括：采用常规微机电系统工艺方法、纳机电系统工艺方法和聚焦离子束与微机电系统/纳机电系统结合中的一种工艺方法中制作一端是自由端，另一端是固定端的悬臂梁结构；从悬臂梁的自由端到固定端以均匀间距为标准，依次在悬臂梁上通过离子刻蚀的方式设置刻蚀区域；确定控制聚焦离子束的注入剂量，确定与结构弯曲的角度现有的聚焦离子束扫描倾斜的角度，确定与悬臂梁上设置刻蚀区域现有的聚焦离子束扫描的间距；从悬臂梁的自由端第一个刻蚀区域开始依次用聚焦离子束对各刻蚀区域进行刻蚀，使整个悬臂梁形成向下卷曲的螺旋、折叠、正弦形、发条等结构。本发明可以广泛用于纳米螺旋、纳米管、折叠、正弦形、发条等结构的制作过程中。
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公开(公告)号：CN101881881B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201010199618.7
申请日：2010-06-08
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种可变光衰减器件及其制备方法，该器件包括：硅基座以及与所述硅基座键合的玻璃基座，所述硅基座设置有垂直光反射面、以及以所述光反射面为一侧面的加热空腔，所述加热空腔与所述玻璃基座的部分上表面围成密封腔体，在所述密封腔体内的玻璃基座的上表面上设置有加热部件。本发明的可变光衰减器件可满足振动环境中对器件的可靠性要求、成本低、且性能高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102079499B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010595044.5
申请日：2010-12-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种悬臂梁微量检测传感器及其制备方法。该传感器是将经过重金属扩散或者伽马射线辐照处理过的金属-硅肖特基二极管嵌入硅悬臂梁适当位置的表面，用以将力学信号转化为电学信号。在悬臂梁的一个表面淀积薄的贵金属层，在该金属层上通过自主装的方法生长上具有特异性吸附能力的单分子敏感层。被检测化学物质与敏感层分子结合时在悬臂梁上下表面产生表面应力差，致使悬臂梁发生弯曲，从而在悬臂梁根部产生集中的弯曲应力，该应力由嵌入悬臂梁表面的肖特基二极管检测。本发明提供的传感器，结构简单、制作简便、灵敏度高、分辨率高，可应用于力传感器和扫描探针等，在环境检测、食品安全、航天军事等领域有重要应用。
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公开(公告)号：CN101792112B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010117672.2
申请日：2010-03-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面增强拉曼散射活性基底的微流控检测器件。该微流控检测器件是按照包括下述步骤的方法制备得到的：在衬底上旋涂光刻胶，并对光刻胶依次进行前烘、曝光、显影和定影后形成微流道形状的光刻胶图形；对光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀，在衬底上形成了垂直分布于的纳米颗粒结构或纳米纤维直立结构；以所述纳米颗粒结构为掩模，对衬底进行各向异性刻蚀，在衬底上形成了纳米柱；在衬底上的硅纳米柱或纳米纤维直立结构上溅射金属纳米颗粒层，得到表面增强拉曼散射活性基底；结合微流体器件及其加工技术形成了无杂质干扰、可实时监测的硅-PDMS双层结构SERS微流控检测器件，该微流控检测器件不仅能用于液体待分析物的检测还可用于胶体和气体待分析物的检测。
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公开(公告)号：CN101792112A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010117672.2
申请日：2010-03-03
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面增强拉曼散射活性基底的微流控检测器件。该微流控检测器件是按照包括下述步骤的方法制备得到的：在衬底上旋涂光刻胶，并对光刻胶依次进行前烘、曝光、显影和定影后形成微流道形状的光刻胶图形；对光刻胶图形进行氧等离子体干法刻蚀，在衬底上形成了垂直分布于的纳米颗粒结构或纳米纤维直立结构；以所述纳米颗粒结构为掩模，对衬底进行各向异性刻蚀，在衬底上形成了纳米柱；在衬底上的硅纳米柱或纳米纤维直立结构上溅射金属纳米颗粒层，得到表面增强拉曼散射活性基底；结合微流体器件及其加工技术形成了无杂质干扰、可实时监测的硅-PDMS双层结构SERS微流控检测器件，该微流控检测器件不仅能用于液体待分析物的检测还可用于胶体和气体待分析物的检测。
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公开(公告)号：CN101718910A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910237299.1
申请日：2009-11-12
Applicant: 北京大学
IPC: G02B26/10
Abstract: 本发明涉及一种静电振镜及其制作方法，该静电振镜由下至上包括衬底、驱动层、振镜层，衬底至少表面绝缘；驱动层包括：驱动电极、着陆电极、键合点、导线，驱动电极用于提供驱动电压以及外部管脚的连接，以振镜中心线为对称线设置于中心线两侧，用于控制振镜一个维度的振动；着陆电极两两以中心线为对称线设置于中心线两侧，并通过键合与振镜层相连，使得着陆电极与振镜层悬臂梁电位相同；振镜层包括：振镜、支架、悬臂梁，振镜两端与悬臂梁连接，支架固定于衬底，悬臂梁与支架连接，为鱼骨形结构，具有末端可接触到着陆电极的多根不同长度的齿状子梁，允许振镜产生扭动。本发明的静电振镜制造工艺简单、成本低，可靠性高。
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公开(公告)号：CN101265578A
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200810104014.2
申请日：2008-04-14
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种多角度垂直反射镜面的制造方法及产品，本发明方法其以体硅侧墙为载体，以改变刻蚀时间和钝化时间的比值为主，兼顾调节其它刻蚀条件进行深刻蚀。本发明解决了同一垂直侧壁上仅能制造单一垂直角度的反射镜面的这一国际性难题，使采用该镜面结构的微光器件结构能够在同一侧壁上实现多种光处理，可以比较容易地开发出一系列应用广泛的多功能MEMS器件，由此将极大的提高器件性能、集成度和生产效率，从而大大提高了MEMS器件的性能和应用领域。本发明新型镜面制造工艺和目前绝大多数垂直镜面的制造工艺兼容，具有很强的移植性和适应性。本发明可以广泛用于微机电系统中。
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