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公开(公告)号：CN111986976B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201910430077.5
申请日：2019-05-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种工艺腔室及半导体处理设备，该工艺腔室包括腔室主体、与腔室主体的内部连通的遮蔽盘库和遮蔽盘，其中，在腔体主体中设置有基座和第一顶针机构；还包括传输机构，该传输机构包括传输手臂和控温装置，其中，传输手臂能够在腔室主体和遮蔽盘库之间移动，且能够支撑遮蔽盘；控温装置设置在传输手臂上，且在传输手臂移动至腔室主体的内部，且位于与由第一顶针机构承载的被加工工件相对的位置时，用以对被加工工件进行温度控制。本发明提供的工艺腔室，其可以提高温控效率和温控均匀性，而且不会对腔室内的其他零件带来不良影响。
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公开(公告)号：CN108022714B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201610934742.0
申请日：2016-10-31
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种软磁薄膜及其制备方法。本发明的软磁薄膜，包括堆叠设置的多组层结构，每组层结构包括软磁材料层及位于软磁材料层上方的介质层，每组层结构还包括第一粘结层和/或第二粘结层，第一粘结层和第二粘结层用于增强层结构的粘附性；其中，第一粘结层位于软磁材料层和介质层之间，和/或，第二粘结层位于介质层之上。本发明的软磁薄膜的制备方法，包括循环制备层结构的步骤，以形成堆叠设置的多组层结构，制备层结构的步骤包括：S1：溅射软磁材料层；S2：溅射介质层；在S1和S2之间还包括S3：在软磁材料层上溅射第一粘结层；和/或，在S2之后还包括S4：在介质层上溅射第二粘结层。
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公开(公告)号：CN108796459B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201710298706.4
申请日：2017-04-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种薄膜沉积方法，其包括：第一阶段，使基座位于第一工艺位置，向工艺腔室内通入工艺气体，并仅开启射频电源，以在晶片表面沉积形成预设厚度的薄膜；第二阶段，使基座位于第二工艺位置，并开启直流电源，以使该薄膜达到目标厚度；其中，第一工艺位置低于第二工艺位置。本发明提供的薄膜沉积方法，其通过在第一阶段仅加载射频功率，可以避免产生的靶材颗粒的能量过大，造成晶片表面损伤，同时通过使第一工艺位置低于第二工艺位置，可以在仅加载射频功率的条件下，保证溅射速率满足工艺要求。
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公开(公告)号：CN111986976A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910430077.5
申请日：2019-05-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种工艺腔室及半导体处理设备，该工艺腔室包括腔室主体、与腔室主体的内部连通的遮蔽盘库和遮蔽盘，其中，在腔体主体中设置有基座和第一顶针机构；还包括传输机构，该传输机构包括传输手臂和控温装置，其中，传输手臂能够在腔室主体和遮蔽盘库之间移动，且能够支撑遮蔽盘；控温装置设置在传输手臂上，且在传输手臂移动至腔室主体的内部，且位于与由第一顶针机构承载的被加工工件相对的位置时，用以对被加工工件进行温度控制。本发明提供的工艺腔室，其可以提高温控效率和温控均匀性，而且不会对腔室内的其他零件带来不良影响。
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公开(公告)号：CN108010718B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201610929208.0
申请日：2016-10-31
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，包括腔室主体和偏置磁场装置，在腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件。偏置磁场装置用于在基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于在待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。本发明提供的薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110965023A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911356970.4
申请日：2019-12-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化钛薄膜沉积方法，包括：向反应腔室通入工艺气体；向含钛靶材施加直流功率，以激发所述工艺气体形成等离子体，轰击所述含钛靶材，并在晶片上沉积形成氮化钛薄膜；其中，所述工艺气体包括氮气和惰性气体，所述直流功率与所述氮气的流量的比例为一个固定值。应用本发明，可提高含钛靶材原子的离化率，使含钛靶材离子以一定的速度向晶片运动，达到轰击薄膜表面的作用，从而抑制薄膜的立方生长晶向，促进薄膜的斜方生长晶向，继而改变了薄膜物质的内部结构，减少薄膜内部缺陷，可以获得电阻率更低的膜层。
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公开(公告)号：CN107068599B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201710327078.8
申请日：2017-05-10
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于硅通孔填充的磁控溅射腔室和半导体处理设备。本发明的磁控溅射腔室包括腔体、设置于腔体顶部的靶材、设置于靶材上方的磁控管、以及设置于腔体内部且位于靶材下方的基座，磁控管在靶材上的投影面积小于五分之一的靶材面积，以提高介质气体的离化率，从而提高对硅通孔的填充速率。根据本发明的半导体处理设备包括本发明的磁控溅射腔室。本发明的磁控溅射腔室和半导体处理设备，均提高了对硅通孔的填充速率。
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公开(公告)号：CN106282914B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201510251571.7
申请日：2015-05-15
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/00
Abstract: 本发明提供一种加热腔室以及半导体加工设备，包括：设置在加热腔室内的加热筒体以及可拆卸地安装在加热筒体中的上盖环形光源组件；该上盖环形光源组件包括：环绕设置在加热筒体内侧的筒状热源，用于自加热筒体的周围向内部辐射热量；电引入总成，用于将电流传导至筒状热源；支撑总成，包括：环形支撑组件，筒状热源安装在该环形支撑组件上；上盖组件，可拆卸地设置在环形支撑组件的顶部，电引入总成安装在上盖组件上，且通过环形支撑组件与筒状热源间接电连接。本发明提供的加热腔室，其可以简化筒状热源的拆装过程，从而可以更方便地对加热腔室进行维护。
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公开(公告)号：CN110459479A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201810426236.X
申请日：2018-05-07
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明提供一种阻挡层沉积方法、金凸块的底层金属薄膜及其制备方法，该沉积方法用于在底材上形成阻挡层组，包括包括在底材上形成阻挡层组的步骤，该步骤包括：沿远离底材的方向依次沉积至少三层叠置的阻挡层来形成所述阻挡层组；其中，沉积最上层的阻挡层和沉积最下层的阻挡层时所采用的工艺气压低于沉积其余阻挡层时所采用的工艺气压，以提高最上层的所述阻挡层和最下层的所述阻挡层的致密性。本发明提供的阻挡层沉积方法，其可以顺利通过PCT试验，而且无需采用较高的工艺温度，从而可以避免产生TiW靶材脱靶等的严重影响产品良率的事件。
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公开(公告)号：CN107785219B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201610789989.8
申请日：2016-08-30
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁控元件和磁控溅射装置。该磁控元件包括闭合磁极和开路磁极，闭合磁极包围开路磁极，闭合磁极和开路磁极之间形成的磁场能使溅射沉积薄膜的均匀性小于5％。该磁控元件通过设置闭合磁极和开路磁极，能适用于RF/DC PVD技术，通过调节闭合磁极和开路磁极之间形成的等离子体路径的形状与分布，能在全工艺压力范围下使溅射沉积薄膜满足设定的均匀性要求，从而大大提高了沉积薄膜的均匀性；该磁控元件适用的磁控溅射系统以及适用的薄膜沉积材料都比较广泛，并且，该磁控元件还能提高靶材的利用率。
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