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公开(公告)号：CN114883171B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202210452382.6
申请日：2022-04-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺腔室及其上电极结构，上电极结构包括磁控管组件、发射组件、接收组件、靶材和信号处理装置；磁控管组件位于靶材上方；发射组件与接收组件对称设置在磁控管组件沿水平方向的两侧，且高度均与磁控管组件对应；发射组件用于向接收组件发射多束沿高度方向间隔设置的光线；接收组件用于接收光线以形成光信号，将光信号转换成电信号并发送给信号处理装置；信号处理装置用于根据电信号确定磁控管组件与靶材之间的靶磁间距。在本发明中，磁控管组件能够阻挡发射组件发出的对应高度范围内的光线，进而可根据接收组件接收到光线的情况实时确定磁控管组件的高度，提高确定磁控管组件位置的效率，并保证磁控管组件位置的精确性。
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公开(公告)号：CN115305454B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202211030289.2
申请日：2022-08-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种磁控管装置及磁控溅射设备，该包括旋转轴、旋转横梁、磁控管组件和两个限位组件，其中，旋转轴能够围绕自身的第一轴线沿第一方向或者与之相反的第二方向旋转；旋转轴与旋转横梁可围绕第二轴线相对旋转的连接；磁控管组件与旋转横梁连接；两个限位组件设置于旋转横梁上，且沿旋转横梁的延伸方向相对设置于第二轴线的两侧，旋转轴位于两个限位组件之间，且旋转轴上设置有用于与限位组件进行定位配合的定位结构；定位结构用于在旋转轴沿第一方向或者第二方向旋转至预设位置时，与对应的限位组件相配合，以使旋转轴和旋转横梁同步旋转。本发明提供的磁控管装置可以解决因电机扰动被放大而引起的电机扭矩过载报警的问题。
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公开(公告)号：CN115305452B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210790450.X
申请日：2022-07-06
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/34
Abstract: 本发明提供一种反应腔室，其包括腔体和设置在腔体中的基座，该基座具有承载待加工晶圆的承载部，以及环绕承载部设置的台阶部；沉积环具有与台阶部相搭接的搭接部，以及沿沉积环的轴向延伸的延伸部；延伸部内设置有冷却组件，用于对沉积环进行冷却；温控组件用于检测沉积环的温度，并根据温度控制冷却组件对沉积环进行冷却，从而能够减少沉积环在工艺过程中的热形变量，减少颗粒问题的发生。
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公开(公告)号：CN115305454A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211030289.2
申请日：2022-08-26
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明提供一种磁控管装置及磁控溅射设备，该包括旋转轴、旋转横梁、磁控管组件和两个限位组件，其中，旋转轴能够围绕自身的第一轴线沿第一方向或者与之相反的第二方向旋转；旋转轴与旋转横梁可围绕第二轴线相对旋转的连接；磁控管组件与旋转横梁连接；两个限位组件设置于旋转横梁上，且沿旋转横梁的延伸方向相对设置于第二轴线的两侧，旋转轴位于两个限位组件之间，且旋转轴上设置有用于与限位组件进行定位配合的定位结构；定位结构用于在旋转轴沿第一方向或者第二方向旋转至预设位置时，与对应的限位组件相配合，以使旋转轴和旋转横梁同步旋转。本发明提供的磁控管装置可以解决因电机扰动被放大而引起的电机扭矩过载报警的问题。
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公开(公告)号：CN112054316B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN201910490726.0
申请日：2019-06-06
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01R4/48 , H01R4/64 , F16H57/029 , H01J37/34
Abstract: 本发明公开了一种弹性等电位环、上电极齿轮箱、上电极组件和半导体处理设备。所述弹性等电位环包括第一安装面、与所述第一安装面相对设置的第二安装面以及连接所述第一安装面与所述第二安装面的弧形连接面，所述弧形连接面在受到挤压力时能够发生变形，以使得所述第一安装面与所述第二安装面之间产生相对位移。在将弹性等电位环安装在齿轮箱中时，其可以将旋转密封组件中金属部分与齿轮驱动机构导通，两者具有相同电位，不会产生打火问题，避免因机械密封密封橡胶失效而出现漏水问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111987031B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201910438245.5
申请日：2019-05-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种卡盘装置及半导体设备，该卡盘装置包括由下而上依次设置的基座、底座以及用于承载被加工工件的卡盘，其中，所述基座与所述底座之间设置有隔热件；还包括短接结构；所述短接结构设置在所述底座和所述基座的外侧或者二者之间，且分别与所述底座和所述基座电接触；所述卡盘的下表面与所述底座的上表面相贴合。通过本发明，可添加射频电源并在实现射频功能的同时保证了工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN116815140A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310745558.1
申请日：2023-06-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开一种半导体工艺设备的工艺腔室，包括腔体、校准机构以及设于腔体之内的承载座、托架和遮蔽部件；校准机构设于腔体；遮蔽部件可随托架在第一位置与第二位置之间切换；在遮蔽部件处在第一位置的情况下，遮蔽部件与承载座错开，且校准机构可将遮蔽部件调整至托架上的预设位置处；在遮蔽部件处在托架上的预设位置处，且托架带动遮蔽部件运动至第二位置的情况下，遮蔽部件位于承载座的上方，且遮蔽部件的中心轴线与承载座的中心轴线之间的间隔距离小于或等于第一预设距离。此方案能解决相关技术涉及的工艺腔室在对遮蔽部件进行位置校准时较易产生颗粒而污染承载座的问题。本申请还公开一种半导体工艺设备。
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公开(公告)号：CN114883171A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210452382.6
申请日：2022-04-27
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体工艺腔室及其上电极结构，上电极结构包括磁控管组件、发射组件、接收组件、靶材和信号处理装置；磁控管组件位于靶材上方；发射组件与接收组件对称设置在磁控管组件沿水平方向的两侧，且高度均与磁控管组件对应；发射组件用于向接收组件发射多束沿高度方向间隔设置的光线；接收组件用于接收光线以形成光信号，将光信号转换成电信号并发送给信号处理装置；信号处理装置用于根据电信号确定磁控管组件与靶材之间的靶磁间距。在本发明中，磁控管组件能够阻挡发射组件发出的对应高度范围内的光线，进而可根据接收组件接收到光线的情况实时确定磁控管组件的高度，提高确定磁控管组件位置的效率，并保证磁控管组件位置的精确性。
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公开(公告)号：CN111987031A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910438245.5
申请日：2019-05-23
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种卡盘装置及半导体设备，该卡盘装置包括由下而上依次设置的基座、底座以及用于承载被加工工件的卡盘，其中，所述基座与所述底座之间设置有隔热件；还包括短接结构；所述短接结构设置在所述底座和所述基座的外侧或者二者之间，且分别与所述底座和所述基座电接触；所述卡盘的下表面与所述底座的上表面相贴合。通过本发明，可添加射频电源并在实现射频功能的同时保证了工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN222729880U
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202421395142.8
申请日：2024-06-18
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请提供了一种上电极装置及磁控溅射设备，上电极装置包括磁控部件、冷却腔、套筒组件、空心轴以及驱动机构，冷却腔的底部固定设置有靶材组件，磁控部件设置在冷却腔中；空心轴部分穿入冷却腔中，空心轴内部设有介质通道，介质通道用于向冷却腔内输送冷却液；套筒组件套设在空心轴的外周，空心轴和套筒组件中的一者固定设置，另一者与磁控部件相连，并连接驱动机构，用于带动磁控部件绕空心轴转动。冷却液由介质通道输送入冷却腔中。磁控部件绕空心轴转动，带动冷却液流动，使冷却液在冷却腔内均匀扩散，提高冷却液的流动路径，进而提高靶材组件降温效率。另外，冷却液在冷却腔内可分布得更加均匀，提高了靶材组件降温的均匀性。
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