一种复合原子氧防护涂层
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106397807A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201610766634.7

    申请日:2016-08-30

    Abstract: 本发明涉及一种复合原子氧防护涂层,属于航空航天技术领域。本发明的特点在于:所述涂层由PHPS过渡层和硅氧烷原子氧防护涂层构成。PHPS过渡层附着在有机基底材料表面,厚度为100~300nm;硅氧烷原子氧防护涂层附着在PHPS过渡层上,厚度为200~500nm。其中PHPS过渡层采用液相化学制膜法制备,硅氧烷原子氧防护涂层采用化学气相沉积技术制备。增加PHPS过渡层后,硅氧烷原子氧防护涂层的附着力大幅提高,并有效减少了涂层缺陷;有机基底材料的耐原子氧性能大大提高。该发明可用于聚酰亚胺、聚酯薄膜材料等有机基底材料表面的原子氧防护,提高涂层结合力,减少缺陷,从而大大提高涂层的防原子氧性能。

    一种组分梯度分布的防原子氧薄膜

    公开(公告)号:CN116948445A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310917000.7

    申请日:2023-07-25

    Abstract: 本发明提供一种组分梯度分布的防原子氧薄膜,涉及航天器空间环境效应防护领域。该防原子氧薄膜的化学组分为SiOxCyHz,其中,薄膜表面的化学组分为SiO2,在由薄膜表面向其内部延伸的方向上,x从2减小到0.5,y从0增大到2,z从0增大到8。制备方法:通过等离子体增强化学气相沉积技术在基底上制备有机硅氧烷薄膜;采用紫外光辐照所述有机硅氧烷薄膜,使得该薄膜化学组分呈梯度分布,获得组分梯度分布的防原子氧薄膜。该防原子氧薄膜具有一定柔韧性,与基底材料结合力强,可应用于低地球轨道中飞行的航天器表面,并且该薄膜的防原子氧性能优异,生产效率高且光学透明度高,能够满足航天领域对超高原子氧累积通量的防护要求。

    一种复合材料热防护用高温抗氧化涂层

    公开(公告)号:CN115537812B

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202211197995.6

    申请日:2022-09-29

    Abstract: 本发明公开了一种复合材料热防护用高温抗氧化涂层,涉及卫星复合材料喷管热防护技术领域,解决了现有热防护涂层无法耐受1800℃以上服役环境的问题。该涂层包括SiC/C基体、过渡层、周期性叠层和耐高温烧蚀层。SiC/C基体表面设置过渡层;过渡层材料为碳化硅和硼化铱多元组合涂层。在过渡层的表面设置周期性叠层。周期性叠层中每四层结构为一个周期,四层结构由下至上顺次为:第一层是1微米‑10微米的碳化硅,第二次是1微米‑10微米的硼化铱、第三次是1微米‑10微米的金属铱,第四层是1微米‑10微米的硼化铱与碳化硅的复合层。周期性叠层表面设置耐高温烧蚀层。耐高温烧蚀层由有碳化硅、硼化铪和硼化铱组成。

    一种高致密复合型原子氧防护薄膜

    公开(公告)号:CN115537728A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211234011.7

    申请日:2022-10-10

    Abstract: 本发明公开了一种高致密复合型原子氧防护薄膜。首先在有机物基底表面设计一层厚度为1~100nm的致密无微观缺陷的SiOx薄膜,作为硅氧烷涂层生长的“种子层”;随后在SiOx种子层上设计厚度为200~600nm的硅氧烷涂层。最后在硅氧烷表面上设计一层厚度为5~200nm的SiOx薄膜,作为帽子层。本发明的优点在于:SiOx种子层可以有效降低硅氧烷涂层中的微观缺陷,防止形成原子氧剥蚀通道。SiOx帽子层可以有效遮盖硅氧烷表面孔洞、裂纹等缺陷,同时增强原子氧防护性能。为低轨道、超低轨道卫星长期在轨运行提供原子氧防护方法,保证长寿命、低轨道卫星在轨性能和使用寿命。

    一种复合材料热防护用高温抗氧化涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN115536440A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211199886.8

    申请日:2022-09-29

    Abstract: 本发明公开了一种复合材料热防护用高温抗氧化涂层的制备方法,通过设计涂层制备方法,使SiC/C复合材料喷管高温抗氧化涂层耐受1800℃的工作温度和剧烈热震。采用如下步骤:将SiC/C复合材料喷管内壁表面用飞秒激光采用一定的能量密度和脉冲频率进行扫描,在内壁表面形成微纳复合的微结构,利用微纳结构实现与后期制备的防护用高温抗氧化涂层之间形成镶嵌结构。采用等离子体增强CVD技术,完成碳化硅和硼化铪组成的过渡层生长。采用Ir(acac)3、还原气体H2、Ar进行金属铱膜层制备。采用等离子体增强CVD技术,完成碳化硅和硼化铪组成的过渡层生长。重复10‑50次,完成周期性叠层结构的生长。采用等离子体增强CVD技术,完成碳化硅和硼化铪组成的耐烧蚀层生长。

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