公开(公告)号：CN102137961A

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN201080002480.5

申请日：2010-06-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  长田英树 ,  中畑成二 ,  藤原伸介

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  C30B25/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/045 ,  C01B21/0632 ,  C01P2002/90 ,  C01P2006/12 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种制造III族氮化物晶体的方法，在所述方法中能够在高晶体生长速率下生长具有主面的高结晶度III族氮化物晶体，所述主面的面取向不同于{0001}。本发明的制造III族氮化物晶体的方法包括：从III族氮化物块晶体1切割多个具有主面的III族氮化物晶体衬底10p和10q的步骤，所述主面10pm和10qm的面取向对于选自{20-21}、{20-2-1}、{22-41}和{22-4-1}中的晶体几何等价面取向的偏离角为五度以下；以相互邻接的方式横向布置所述衬底10p和10q使得所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm相互平行且所述衬底10p和10q的各个[0001]方向相互一致的步骤；以及在所述衬底10p和10q的所述主面10pm和10qm上生长III族氮化物晶体20的步骤。

公开(公告)号：CN101910477A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200980102461.7

申请日：2009-01-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤史隆 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B25/18 ,  C30B25/186 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明公开了用于生长III族氮化物晶体的方法，其包括如下步骤：准备衬底(10)，所述衬底包括构成其一个主面(10m)的III族氮化物晶种(10a)；通过气相腐蚀在所述衬底(10)的所述主面(10m)上形成多个小平面(10ms、10mt、10mu)；以及在其上形成有所述小平面(10ms、10mt、10mu)的所述主面(10m)上生长III族氮化物晶体(20)。以此方式，能够容易且有效地得到具有低位错密度的III族氮化物晶体(20)。

公开(公告)号：CN101071794B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200710102802.3

申请日：2004-04-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: H01L23/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L21/02378 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02642 ,  H01S5/323 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12681

Abstract: 一种可以采用各种各样的基质生产出没有裂纹的高质量III-V族晶体的方法，该方法成本低而且容易简单。一种生产III-V族晶体的方法，其特征在于包括：在基质上(1)沉积金属膜(2)的步骤；在含有形成图案的化合物的气氛下热处理金属膜(2)的步骤；以及在热处理后的金属膜上生长III-V族晶体(4)的步骤。另外一种生产III-V族晶体的方法，其特征在于包括：在热处理后的金属膜上生长III-V族化合物缓冲膜的步骤；在III-V族化合物缓冲膜上生长III-V族晶体的步骤。

公开(公告)号：CN101568671A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001356.X

申请日：2008-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  元木健作

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/18 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/32341 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02387 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02656 ,  H01S5/0042 ,  H01S5/2201 ,  H01S2301/173

Abstract: 提供一种具有提高了的成品率的GaN外延衬底、使用GaN外延衬底的半导体器件以及用于制造该GaN外延衬底和半导体器件的方法。GaN外延衬底制造方法具有：第一GaN层形成步骤，在基础衬底上外延生长第一GaN层；凹陷部形成步骤，在第一GaN层形成步骤之后，在基础衬底的上表面上形成凹陷部；以及第二GaN层形成步骤，在凹陷部形成步骤之后，在第一GaN层上外延生长第二GaN层。因而，抑制了裂纹的产生并提高了成品率。

公开(公告)号：CN101535533A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780042700.5

申请日：2007-11-14

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 水原奈保 ,  上松康二 ,  宫永伦正 ,  谷崎圭祐 ,  中幡英章 ,  中畑成二 ,  冈久拓司

IPC: C30B29/38 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/045 ,  C30B19/02 ,  C30B23/025 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/2003 ,  Y10T428/24752

Abstract: 本发明提供制造III族氮化物晶体的方法，所述III族氮化物晶体(20)具有除{0001}以外的任意指定的面取向的主面(20m)，所述方法包括以下步骤：由III族氮化物块状晶体(1)切出多个具有指定面取向的主面(10pm)，(10qm)的III族氮化物晶体衬底(10p)，(10q)；在横向上将所述衬底(10p)，(10q)互相邻接地布置，使得所述衬底(10p)，(10q)的主面(10pm)，(10qm)互相平行，并使得所述衬底(10p)，(10q)的[0001]方向以相同的方式取向；以及使所述III族氮化物晶体(20)在所述衬底(10p)，(10q)的主面(10pm)，(10qm)上生长。

公开(公告)号：CN101441999A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810172909.X

申请日：2008-10-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤史隆 ,  中畑成二 ,  木山诚

IPC: H01L21/205 ,  H01L29/02 ,  H01L29/772 ,  H01L33/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明涉及一种半绝缘氮化物半导体衬底及其制造方法、氮化物半导体外延衬底和场效应晶体管，其中，制造半绝缘氮化物半导体衬底的方法包括以下步骤：在下衬底上形成掩模，在所述掩模中以250μm～2000μm的间隔Dw来排列具有10μm～100μm的宽度或直径Ds的点状或带状覆盖部分；用HVPE方法，在1040℃～ 1150℃的生长温度下，通过供应V族/III族比例R5/3设定为1至10的III族原料气体和V族原料气体以及含有铁的气体在下衬底上生长氮化物半导体晶体；以及去除下衬底，从而获得自支撑半绝缘氮化物半导体衬底，其具有不小于1×105Ωcm的比电阻和不小于100μm的厚度。由此，能获得其中翘曲较少且较不可能发生破裂的半绝缘氮化物半导体晶体衬底。

公开(公告)号：CN101393851A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810173810.1

申请日：2002-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  弘田龙 ,  冈久拓司 ,  中畑成二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/18 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明提供一种单晶氮化镓基板和单晶氮化镓长晶方法，单晶氮化镓基板具有表面、背面和厚度，具有晶体缺陷集合区H、低缺陷单晶区Z和C面生长区Y，具有HZYZ构造；所述晶体缺陷集合区H直线状伸展，贯通表背面，有宽，在宽度方向两侧具有交界线K、K，让变位集合在内部；所述低缺陷单晶区Z直线状伸展，贯通表背面，通过交界线K与晶体缺陷集合区H相接，有宽，变位密度比晶体缺陷集合区H低；所述C面生长区Y位于低缺陷单晶区Z的大致中央，直线状伸展，贯通表背面，有宽，变位密度比晶体缺陷集合区H低，电阻率比低缺陷单晶区Z低高，C面生长区Y的宽度并非一定而具有随机偏差，在厚度方向以及与面平行的方向上歪歪扭扭。

公开(公告)号：CN100435268C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN02145712.3

申请日：2002-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  弘田龙 ,  冈久拓司 ,  中畑成二

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B23/002 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种单晶氮化镓长晶方法，在衬底基板上有规律地设条纹图案，在其长形成凹凸构成的V沟(谷)并加以维持，同时让GaN凹凸生长，凹凸面构成的V沟(谷)底部形成缺陷集合区H，将变位集结于此，实现其周围的低缺陷单晶区Z与C面生长区Y的低变位化。克服了这些难点：自凹凸面构成的坑的中央变位变位零乱分布、生成放射状面状缺陷、坑生成位置不可控制。

公开(公告)号：CN101106081A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710111857.0

申请日：2007-06-20

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: H01L21/304 ,  H01L23/00 ,  B24B1/00

Abstract: 单面平面处理的III族氮化物晶片的质量取决于晶片在抛光板上的粘贴方向。通过以下步骤获得低表面粗糙度和高成品率，用具有等于或小于10μm厚度的热塑性蜡将多个III族氮化物生长状态的晶片粘贴在具有面向前(f)、向后(b)或向内(u)的OF或凹口的抛光板上、研磨生长状态的晶片、精磨已被研磨了的晶片、将精磨的晶片抛光成具有等于或小于200μm的水平宽度和等于或小于100μm的垂直深度的斜面的镜面晶片。

公开(公告)号：CN101081485A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710108825.5

申请日：2007-05-31

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 石桥惠二 ,  西浦隆幸 ,  入仓正登 ,  中畑成二

IPC: B24B29/00 ,  H01L21/304 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: 用于氮化物晶体的表面处理方法是化学和机械抛光氮化物晶体(1)的表面的表面处理方法。使用氧化物磨粒(16)。磨粒(16)具有至少－850kJ/mol的标准生成自由能作为每1摩尔氧分子的转换值，并具有至少为4的莫氏硬度。该表面处理方法有效地提供了具有形成于其上的平滑且高质量表面的氮化物晶体，用于有效地获得可以用于半导体器件的氮化物晶体衬底。