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公开(公告)号：CN115632072A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211398685.0
申请日：2022-11-09
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L31/0203 , H01L31/0224 , H01L25/16 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种硅光芯片高密度光电共封装的封装结构及封装方法，包括硅光芯片、扇出结构基板以及转接电路模块，扇出结构基板既作为基板，又作为扇出结构，通过其底部的高密度第二电学引脚、内部电路图以及第三电学引脚，在固定硅光芯片的同时，将硅光芯片的高密度第一电学引脚扇出至第三电学引脚，并采用引线焊接方式与转接电路模块的第四电学引脚电学连接，实现电学封装，并避免封装和使用中的热失配问题。扇出结构基板的工字形状，扇出结构基板的两侧凹槽区域作为避让空间，便于硅光芯片两侧光学耦合端口与外部光纤阵列的耦合封装，满足了电学引脚、光学耦合端口高密度并存的硅光芯片及类似光芯片的封装需求。
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公开(公告)号：CN115390189A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211341659.4
申请日：2022-10-31
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/125
Abstract: 本发明公开了一种基于伴随法的平面光交叉波导，包括波导层和波导外围，所述波导外围位于波导层的外部，所述波导层呈“十字”结构，由中心波导和四个分支波导组成，四个所述分支波导分别位于中心波导的四周；所述分支波导的轮廓由若干个关键结点拟合成的光滑曲线构成；构成光滑曲线的关键结点在沿光传播方向上呈等距离分布；构成光滑曲线的关键结点在垂直于光传播方向上通过伴随法进行距离优化；所述光滑曲线由关键结点通过线性连接或样条插值法拟合而成。本发明相比于其他传统的平面光交叉波导更加简单，对设计者的光学基础要求较低，能够获得更低的插入损耗，同时能严格保证波导边沿的平滑性，确保其工艺可制备。
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公开(公告)号：CN115190382A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202211098976.8
申请日：2022-09-09
Applicant: 之江实验室
IPC: H04Q11/00
Abstract: 本发明提出一种基于Banyan网络拓扑的光交换路由装置和方法，该方法涉及的装置主要包括一个N×N端口的光交换芯片，N个互连终端，一个控制芯片，其中控制芯片包含一个路由等待表和一个端口占用表。互连终端通过电缆向控制芯片发送路由建立或中断信号。控制芯片收到路由建立信号后，判断路由是否阻塞，进而选择是否建立终端与光交换芯片的数据传送；若为中断信号，控制芯片断开终端与光交换芯片的数据传送并检验路由等待表中是否有不阻塞的路由。本发明为基于Banyan网络拓扑的光交换芯片提供了一种便捷的路由方法，借助端口占用表，控制芯片可高效地判断路由的阻塞情况并执行不同的操作，保证了光网络的高传输效率。
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公开(公告)号：CN115166883A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211068415.3
申请日：2022-09-02
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种光谱低功率可调的刻蚀衍射光栅，所述刻蚀衍射光栅包括输入信道波导、输出信道波导、平板波导、过渡波导、反射光栅面及设计的马赫‑曾德尔干涉仪，所述输入信道波导与平板波导间通过设计的马赫‑曾德尔干涉仪连接，所述输出信道波导与平板波导间通过过渡波导连接，入射光由入射信道波导进入马赫‑曾德尔干涉仪，经马赫‑曾德尔干涉仪调节在输出端叠加输出，进入平板波导，入射角度发生偏转，从而实现通道光谱位置的调节。本发明基于平面光波导技术及标准CMOS工艺，仅需较低外加电压对局部区域加热，即可实现刻蚀衍射光栅整体光谱的调节，简单易行，无特殊工艺，可适用于大面积、多通道的刻蚀衍射光栅。
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公开(公告)号：CN113253386B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202110543354.0
申请日：2021-05-19
IPC: G02B6/124
Abstract: 本发明提出了一种高效宽带光栅耦合器设计，该设计将光从硅波导中耦合进入顶层介质层，在光栅耦合区域刻蚀顶层介质层波导形成光栅结构，中间多层介质膜及刻蚀区形成的布拉格反射镜共同降低泄露损耗。与此同时，由于光在顶层介质层的光栅图形中出射，使得该设计具有氮化硅光栅的宽带特性。实现了高效宽带的光纤与光芯片耦合，同时实现方法能够与CMOS工艺兼容，无需较小的线宽即可完成制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114755757A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210670962.2
申请日：2022-06-15
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明提出一种基于双层曲线边沿波导结构的TM0‑TE1光模式转换器及光学装置，该模式转换器具有双层波导结构，每层波导包含若干个可优化位置的关键结点，并通过二次或三次样条插值法确定波导边沿的具体形状。该模式转换器能够将输入波导的横磁基模即TM0模式转换为一阶横电模即TE1模式，而同时不改变输入的横电基模即TE0模式。本发明相比于传统的基于双层线性渐变波导结构的TM0‑TE1模式转换器，能够在更紧凑的尺寸内通过优化更密集的关键结点参数以获得更高的模式转换效率，同时能严格保证波导边沿的平滑性，确保其工艺可制备。
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公开(公告)号：CN114003546A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202210000454.3
申请日：2022-01-04
Applicant: 之江实验室
IPC: G06F15/177 , H03M7/30
Abstract: 本发明公开了一种多通道开关量复合编码设计方法和装置，包括以下步骤：步骤S1、设计多通道开关量基于变化量的同步编码策略；步骤S2、设计多通道开关量压缩编码协议；步骤S3、设计压缩编码协议有效性判断策略；步骤S4、设计普通编码与压缩编码的协同编码机制；步骤S5、设计用户配置接口。装置包括存储器和一个或多个处理器，所述存储器中存储有可执行代码，所述一个或多个处理器执行所述可执行代码时，用于实现所述的多通道开关量复合编码设计方法。本发明保证传输双方数据状态的一致，避免单次大量的数据传输过程所造成的阻塞、误码等问题，同时各个独立的小数据体在校验和重发等机制的设计上也可以更加灵活，保证数据的准确性。
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公开(公告)号：CN115939033B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202310019294.1
申请日：2023-01-06
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/768
Abstract: 本申请涉及金属凸点的制作方法与倒装芯片互连方法。其中，金属凸点的制作方法包括：在基底上形成种籽层；在所述种籽层上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案暴露部分种籽层；刻蚀去除暴露于所述第一光刻胶图案外的种籽层，而后去除残余的第一光刻胶图案；形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案暴露所述种籽层；利用电化学沉积工艺在所述种籽层上电镀形成凸点下金属和金属凸点；去除所述第二光刻胶图案。一个实施例中，第二光刻胶图案的材料是SU8光刻胶。上述金属凸点的制作方法以及制得的上述金属凸点可很好地适用于超细间距且高度可调的倒装芯片互连工艺中。
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公开(公告)号：CN116224504A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211570971.0
申请日：2022-12-08
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种用于硅光子芯片的光封装平台和方法，该光封装平台包括基板、龙门架、滑轨、观察镜组、两个电控位移台、用于固定光纤阵列的夹具、曲杆和PCB板，其中，龙门架和两个电控位移台安装在基板上，滑轨安装在龙门架上，观察镜组包括第一光学放大镜头、第二光学放大镜头、第三光学放大镜头和第四光学放大镜头，第一光学放大镜头和第四光学放大镜头安装在滑轨上，第二光学放大镜头和第三光学放大镜头相对设置安装在基板上，曲杆用于连接电控位移台和夹具，PCB板通过支架安装在基板上，PCB板上安装有芯片、陶瓷片和转接板，芯片位于转接板的下方。本发明的操作更加简单，能够使光封装过程更加自动化和稳定，有利于缩短封装时间。
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公开(公告)号：CN116125592A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211630834.1
申请日：2022-12-19
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种锥形波导及其设计方法、装置以及光纤耦合系统，其中，该锥形波导包括：第一端和第二端，第一端的横截面小于第二端的横截面；锥形波导中设置有多个通孔，通孔用于降低锥形波导的有效折射率；锥形波导的有效折射率由第一端至第二端逐渐降低。本发明通过在锥形波导中设置通孔，可以使得锥形波导的有效折射率由第一端至第二端逐渐降低，或者说使得锥形波导的光斑由第一端至第二端逐渐增大。具有直接将小尺寸光纤与大尺寸光纤进行耦合的效果，解决了现有的耦合器件可以耦合的光纤尺寸不容易放大的问题。
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