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公开(公告)号：CN116520486B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310812462.2
申请日：2023-07-04
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种可重构的波分解复用器及其制备方法。该波分解复用器包括器件层，波分解复用器为阵列波导光栅，该器件层的结构包括入射波导、输入平板波导、阵列波导结构、输出平板波导以及多个输出波导，其中，输入平板波导与入射波导耦合，阵列波导结构耦合在输入平板波导与输出平板波导之间，输出平板波导与多个输出波导耦合，在阵列波导结构中的相邻阵列波导之间的区域填充有相变材料。本申请能够有效地解决片上波分解复用器件受工艺影响较大和调节困难的问题。
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公开(公告)号：CN116520487A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310812463.7
申请日：2023-07-04
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种偏振不敏感的硅基光接收集成芯片及其实现方法。该芯片包括端面耦合器、波分解复用器、光电探测器阵列及偏振自动反馈调节装置。在波分解复用器的上层沉积有相变材料，波分解复用器具有多个输出端口，多个输出端口包括偏振检测端口，波分解复用器的偏振检测端口连接偏振自动反馈调节装置的一端；偏振自动反馈调节装置的另一端用于连接至设于芯片外部的信号激励装置，偏振自动反馈调节装置用于测量偏振检测端口的输出光功率的强度来得到当前入射光的偏振态，并基于当前入射光的偏振态来控制信号激励装置产生激励信号的强度以触发相变材料的相态改变，进而调节波分解复用器的最佳工作偏振态以实现入射偏振不敏感。
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公开(公告)号：CN116520486A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310812462.2
申请日：2023-07-04
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种可重构的波分解复用器及其制备方法。该波分解复用器包括器件层，波分解复用器为阵列波导光栅，该器件层的结构包括入射波导、输入平板波导、阵列波导结构、输出平板波导以及多个输出波导，其中，输入平板波导与入射波导耦合，阵列波导结构耦合在输入平板波导与输出平板波导之间，输出平板波导与多个输出波导耦合，在阵列波导结构中的相邻阵列波导之间的区域填充有相变材料。本申请能够有效地解决片上波分解复用器件受工艺影响较大和调节困难的问题。
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公开(公告)号：CN115933054A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211568334.X
申请日：2022-12-08
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种全刻蚀偏振无关亚波长光栅耦合器，该光栅耦合器上包层、顶硅结构、下包层和硅衬底，其中，顶硅结构包括使用更多自由参数与逆向设计方法优化的亚波长光栅结构、两个相互垂直的输出/输入端口、单模过度波导和使用基于伴随法逆向方法设计的偏振合束器/偏振分离器；偏振合束器/偏振分离器采用的逆向方法设计。本发明可在标准硅光子学平台上制造，所引入的亚波长超材料结构和逆向设计方法可以有效降低器件的耦合损耗和尺寸，且具有较高的工作带宽；本发明能够同时允许光纤中以横电模式或横磁模式的光耦合进波导；本发明的亚波长光栅结构制作工艺简单，具有较大的制造公差，受制造工艺水平的影响较小。
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公开(公告)号：CN115166883A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211068415.3
申请日：2022-09-02
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种光谱低功率可调的刻蚀衍射光栅，所述刻蚀衍射光栅包括输入信道波导、输出信道波导、平板波导、过渡波导、反射光栅面及设计的马赫‑曾德尔干涉仪，所述输入信道波导与平板波导间通过设计的马赫‑曾德尔干涉仪连接，所述输出信道波导与平板波导间通过过渡波导连接，入射光由入射信道波导进入马赫‑曾德尔干涉仪，经马赫‑曾德尔干涉仪调节在输出端叠加输出，进入平板波导，入射角度发生偏转，从而实现通道光谱位置的调节。本发明基于平面光波导技术及标准CMOS工艺，仅需较低外加电压对局部区域加热，即可实现刻蚀衍射光栅整体光谱的调节，简单易行，无特殊工艺，可适用于大面积、多通道的刻蚀衍射光栅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116481684A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310685929.1
申请日：2023-06-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于单晶硅晶圆的高温压力传感芯片及三维集成方法，该芯片的制作工艺包括力敏电阻制造步骤、绝缘隔离步骤、耐高温电极及互连线制造步骤、压力敏感膜片腐蚀步骤、键合步骤。本发明使用在力敏电阻的周围刻蚀绝缘隔离槽并填充和覆盖绝缘层、精确腐蚀力敏电阻的下层体硅相结合的方法，避免了传统单晶硅pn结隔离高温漏电流失效的问题，不依赖SOI晶圆、碳化硅晶圆等昂贵的材料，使用一般的单晶硅晶圆就实现了惠斯登电桥力敏电阻间的相互绝缘隔离，满足高温工作需求。提出的基于硅通孔的气密无引线键合方法进一步提升了压力传感芯片的可靠性。同时，制造方法与硅基CMOS工艺完全兼容，可以实现晶上系统集成。
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公开(公告)号：CN117003197B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311247135.3
申请日：2023-09-26
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种具有垂直法珀腔的可晶上集成的高温惯性芯片制备方法，包括：在单晶硅晶圆上表面深刻蚀质量块填充孔并填充制成质量柱；围绕质量柱的三个侧面深刻蚀形成间隙，并对间隙进行临时填充；在间隙的对侧的单晶硅晶圆上表面刻蚀形成台阶，并在台阶上依次沉积下包层、芯层、上包层，形成光波导；在光波导的出射端面和质量柱之间的台阶顶部深刻蚀深沟槽结构，减薄单晶硅晶圆下表面使深沟槽和质量柱贯穿单晶硅晶圆，并形成垂直敏感结构；用湿法腐蚀从上下两端同时腐蚀减薄质量柱形成质量块；去除临时填充的材料，对得到的芯体结构进行密封，形成垂直法珀腔。
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公开(公告)号：CN117486167A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311711893.6
申请日：2023-12-13
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了面向晶上集成的具有耐高温垂直微镜结构的光计算芯片，包括晶圆及其上若干光计算基本单元和光路控制光学元件，光计算基本单元包括N型光逻辑开关和P型光逻辑开关，二者均包括透光结构、可动结构、固定结构，根据逻辑需要向所述透光结构、可动结构、固定结构施加电压，实现可动结构保持不动、偏转或移动，进而实现光路的通断；光计算基本单元通过如下过程制备得到：在晶圆上表面深刻蚀或先沉积结构层再光刻刻蚀形成包括透光结构、可动结构、固定结构的垂直微镜结构；对垂直微镜结构的垂直侧壁进行平坦化抛光；在垂直微镜结构上和晶圆衬底间沉积绝缘层，实现电学绝缘隔离；在垂直微镜结构上沉积金属层，形成引线互连。
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公开(公告)号：CN114559651B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210454656.5
申请日：2022-04-28
Applicant: 之江实验室
IPC: B29C64/112 , B29C64/40 , B29C64/379 , C25D5/02 , C25D7/00 , H02K15/02 , B33Y10/00 , B33Y40/00 , B33Y40/20
Abstract: 本发明公开了一种微静电马达执行器的一体化增材制造方法，采用具有多个打印喷头的三维打印机同时制造微静电马达的转子、转子电极、定子、定子电极、转轴、衬底、转子临时性支撑结构、转轴临时性支撑结构的制造，打印完成后，浸入相应的溶液中选择性地去除转子临时性支撑结构和转轴临时性支撑结构，得到微静音马达执行器，而不损害其他功能性材料结构，以导电材料为种子层可以在表面生长金属层，而不导电材料表面不会生长金属，实现金属层的选择性生长，整个器件在一个打印制造过程中完成，不需要额外的图形化、对准、装配工艺。
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公开(公告)号：CN114899265A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210823413.4
申请日：2022-07-14
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L31/105 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种点状金属接触结构的锗硅探测器，包括SOI衬底层，所述SOI衬底层包括上部的顶层硅，所述顶层硅上设有P型重掺杂有源层、N型重掺杂有源层、非掺杂本征锗层、点状金属接触电极，所述P型重掺杂有源层、非掺杂本征锗层、N型重掺杂有源层形成水平或纵向PIN结构，所述点状金属接触电极分别设置在P型重掺杂有源层和N型重掺杂有源层上，使用点状金属接触结构可以大大减少光模式与金属之间的重叠，从而减少吸收损失，提高锗硅探测器的响应度。
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